GD400HTX120P4S, IGBT-Modul, STARPOWER

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

ICN

Implementierter Sammler Cu rrent

400

A

IC

Kollektorstrom @ T F =25o C @ T F =75o C

400

300

A

ICm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

800

A

PD

Maximalleistung Ablösung @ T j =175o C

1500

W

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

IFN

Implementierter Vorwärtskupfer rrent

400

A

IF

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

300

A

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

800

A

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

IC=300A,V GE =15V, T j =25o C

1.50

1.95

V

IC=300A,V GE =15V, T j =125o C

1.60

IC=300A,V GE =15V, T j =150o C

1.65

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC=16.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.3

5.8

6.3

V

ICES

Sammler Geschnitten – Aus Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

0.5

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

41.4

nF

Cres

Rückübertragungs- Kapazität

1.16

nF

F G

Gate-Ladung

V GE =15V

3.11

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =500V,I C=300A, R G=1.5Ω,V GE =±15V, T j =25o C

171

nS

t r

Aufstiegszeit

54

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

433

nS

t f

Herbstzeit

41

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

18.2

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

13.4

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =500V,I C=300A, R G=1.5Ω,V GE =±15V, T j =125o C

193

nS

t r

Aufstiegszeit

54

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

546

nS

t f

Herbstzeit

93

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

25.7

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

26.8

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =500V,I C=300A, R G=1.5Ω,V GE =±15V, T j =150o C

203

nS

t r

Aufstiegszeit

64

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

628

nS

t f

Herbstzeit

93

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

27.8

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

30.9

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤10μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200 V

1600

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

IF =300A,V GE =0V,T j =25o C

1.55

1.80

V

IF =300A,V GE =0V,T j =125o C

1.50

IF =300A,V GE =0V,T j =150o C

1.45

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =500V,I F =300A,

-di/dt=3150A/μs,V GE =-15V T j =25o C

25.7

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

229

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

6.7

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =500V,I F =300A,

-di/dt=3150A/μs,V GE =-15V T j =125o C

49.0

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

380

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

17.1

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =500V,I F =300A,

-di/dt=3150A/μs,V GE =-15V T j =150o C

57.0

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

380

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

20.0

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung aus R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2– 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2– 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2– 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

△p

Druckabfall Kühlung Cir schönheit

△V/ △t=10,0 dm 3/mINUTE ;T F =25o C;Kühlung Flüssigkeit=50% Wasser/50% Ethylenglykol

100

mbar

p

Maximaler Kühldruck schönheit

2.5

stab

LCE

Streuinduktivität

14

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.80

mΩ

R die

Junction – nach – Kühlung Wasser (proIGBT ) Verbindungsflüssigkeit zur Kühlung (pro Di) ode)

0.100 0.125

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5 3.0

5.0 6.0

N.M

G

Gewicht aus Modul

1250

g