GD600HFX120C2SAD_B20, IGBT-Modul, STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

Übergangsspannung des Tor-Emittors

±20 ±30

V

W C

Kollektorstrom @ T C =25o C @ T C =100o C

1096

600

Ein

W CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

1200

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T vj =175o C

3947

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

W F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom ent

600

Ein

W FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

1200

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T vjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

W C = 600 A, V GE =15V, T vj =25o C

1.70

2.15

V

W C = 600 A, V GE =15V, T vj =125o C

2.05

W C = 600 A, V GE =15V, T vj =150o C

2.15

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

W C =24.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

W CES

Sammler Geschnitten -Aus Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

W GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

1.25

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

64.7

nF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

1.88

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =-15…+15V

5.38

μC

t d (bei )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 600A, R G = 1,5Ω, L S =50nH , V GE =±15V,T vj =25o C

314

nS

t r

Aufstiegszeit

105

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

527

nS

t f

Herbstzeit

151

nS

E bei

Einschalten Schaltvorgang Verlust

63.7

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

53.3

mJ

t d (bei )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 600A, R G = 1,5Ω, L S =50nH , V GE =±15V,T vj =125o C

350

nS

t r

Aufstiegszeit

117

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

591

nS

t f

Herbstzeit

315

nS

E bei

Einschalten Schaltvorgang Verlust

96.5

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

72.2

mJ

t d (bei )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 600A, R G = 1,5Ω, L S =50nH , V GE =±15V,T vj =150o C

359

nS

t r

Aufstiegszeit

120

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

604

nS

t f

Herbstzeit

328

nS

E bei

Einschalten Schaltvorgang Verlust

105

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

75.6

mJ

W SC

SC-Daten

t P ≤10μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

2400

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

W F = 600 A, V GE =0V,T vj =25o C

1.65

2.10

V

W F = 600 A, V GE =0V,T vj =125o C

1.65

W F = 600 A, V GE =0V,T vj =150o C

1.60

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F = 600A,

-di/dt=5130A/μs, L S =50nH, V GE =-15V,T vj =25o C

38.6

μC

W RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

313

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

10.8

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F = 600A,

-di/dt=4440A/μs, L S =50nH, V GE =-15V,T vj =125o C

76.1

μC

W RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

368

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

22.5

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F = 600A,

-di/dt=4240A/μs, L S =50nH, V GE =-15V,T vj =150o C

88.9

μC

W RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

387

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

26.2

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.42

mΩ

R thJC

Junction -zu -Fallstudie (proIGBT ) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.038 0.068

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.031 0.056 0.010

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Gewicht aus Modul

320

g