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IGBT-Modul 1200V

IGBT-Modul 1200V

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GD600HFY120C2S,IGBT-Modul,STARPOWER

1200V 600A

Brand:
Stärken
Spu:
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.
  • Einführung
  • Gliederung
Einführung

Kurze Einführung

IGBT-Modul , hergestellt von STARPOWER. 1200V 600A.

Merkmale

  • Niedriges V CE (sitz ) Graben IGBT technologie
  • 10 μs kurzschluss-Kapazität - die
  • V CE (sitz ) mit positiv temperatur koeffizient
  • Maximal junction-Temperatur 175o C
  • Niedrige Induktivität gehäuse
  • Schnelle & sanfte Rückwärtsregeneration fWD gegen Parallel
  • Isolierte Kupferbasisplatte unter Verwendung der HPS DBC-Technologie

Typisch Anwendungen

  • Wechselrichter für Motorantrieb
  • Mit einer Leistung von mehr als 50 W
  • Ununterbrochene Stromversorgung

Absolut Maximal Kennwerte T C=25o C es sei denn sonstige angegeben

IGBT

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

IC

Kollektorstrom @ T C=25o C

@ T C=100o C

1000

600

A

ICm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

1200

A

PD

Maximalleistung Ablösung @ T j =175o C

3409

W

Diode

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

V

IF

Diode kontinuierlich vorwärts rent

600

A

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

1200

A

Modul

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagertemperatur Reichweite

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 mIN

4000

V

IGBT Eigenschaften T C=25o C es sei denn sonstige angegeben

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

IC= 600 A, V GE =15V, T j =25o C

1.70

2.05

V

IC= 600 A, V GE =15V, T j =125o C

1.95

IC= 600 A, V GE =15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC= 15,0mA,V CE =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Sammler Geschnitten -Aus

Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

1.3

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

62.1

nF

Cres

Rückübertragungs-

Kapazität

1.74

nF

F G

Gate-Ladung

V GE =- 15…+15V

4.62

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C= 600A, R G= 1,5Ω,

V GE =±15V, T j =25o C

257

nS

t r

Aufstiegszeit

96

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

628

nS

t f

Herbstzeit

103

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

37.5

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

51.5

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C= 600A, R G= 1,5Ω,

V GE =±15V, T j =125o C

268

nS

t r

Aufstiegszeit

107

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

659

nS

t f

Herbstzeit

144

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

53.5

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

77.3

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C= 600A, R G= 1,5Ω,

V GE =±15V, T j =150o C

278

nS

t r

Aufstiegszeit

118

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

680

nS

t f

Herbstzeit

155

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

58.9

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

82.4

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

2400

A

Diode Eigenschaften T C=25o C es sei denn sonstige angegeben

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts

Spannung

IF = 600 A, V GE =0V,T j =25o C

1.65

2.10

V

IF = 600 A, V GE =0V,T j = 125o C

1.65

IF = 600 A, V GE =0V,T j = 150o C

1.65

F r

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15 V, T j =25o C

61.4

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

280

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

20.9

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15 V, T j = 125o C

114

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

415

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

43.1

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15 V, T j = 150o C

128

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

443

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

50.0

mJ

Modul Eigenschaften T C=25o C es sei denn sonstige angegeben

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

LCE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand nce, Anschluss zum Chip

0.35

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Junction-to-Case (pro Di ode)

0.044

0.077

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.031

0.055

0.010

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Gewicht aus Modul

300

g

Gliederung

image(c3756b8d25).png

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