1200V 600A
Kurze Einführung
IGBT-Modul , hergestellt von STARPOWER. 1200V 600A.
Funktionen
Typisch ANWENDUNGEN
Absolut Maximum Kennwerte t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben
IGBT
Symbol |
Beschreibung |
Wert |
Einheit |
V CES |
Spannung zwischen Kollektor und Emitter |
1200 |
V |
V GES |
Spannung des Tor-Emitters |
±20 |
V |
I C |
Kollektorstrom @ T C =25 O C @ T C =100 O C |
1000 600 |
Ein |
I CM |
Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms |
1200 |
Ein |
P D |
Maximalleistung Ablösung @ T j =175 O C |
3409 |
W |
Diode
Symbol |
Beschreibung |
Wert |
Einheit |
V RRM |
Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung |
1200 |
V |
I F |
Diode kontinuierlich vorwärts rent |
600 |
Ein |
I FM |
Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms |
1200 |
Ein |
Modul
Symbol |
Beschreibung |
Wert |
Einheit |
t jmax |
Maximale Junction-Temperatur |
175 |
O C |
t - Was ist los? |
Betriebstemperatur der Sperrschicht |
-40 bis +150 |
O C |
t stg |
Lagertemperatur Reichweite |
-40 bis +125 |
O C |
V ISO |
Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 Min |
4000 |
V |
IGBT Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheit |
V CE(sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung |
I C = 600 A, V GE =15V, t j =25 O C |
|
1.70 |
2.05 |
V |
I C = 600 A, V GE =15V, t j =125 O C |
|
1.95 |
|
|||
I C = 600 A, V GE =15V, t j =150 O C |
|
2.00 |
|
|||
V GE (th ) |
Gate-Emitter-Schwelle Spannung |
I C = 15,0mA,V CE =V GE , T j =25 O C |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
V |
I CES |
Sammler Schnitt -aus Aktuell |
V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C |
|
|
1.0 |
mA |
I GES |
Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell |
V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C |
|
|
400 |
NA |
R Gint |
Interner Gate-Widerst and |
|
|
1.3 |
|
Ω |
C ies |
Eingangskapazität |
V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V |
|
62.1 |
|
NF |
C res |
Rückübertragungs- Kapazität |
|
1.74 |
|
NF |
|
Q g |
Gate-Ladung |
V GE =- 15…+15V |
|
4.62 |
|
μC |
t D (auf ) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
V CC =600V,I C = 600A, R g = 1,5Ω, V GE =±15V, t j =25 O C |
|
257 |
|
NS |
t R |
Aufstiegszeit |
|
96 |
|
NS |
|
t D (aus ) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
628 |
|
NS |
|
t F |
Herbstzeit |
|
103 |
|
NS |
|
e auf |
Einschalten Schaltvorgang Verlust |
|
37.5 |
|
mJ |
|
e aus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
51.5 |
|
mJ |
|
t D (auf ) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
V CC =600V,I C = 600A, R g = 1,5Ω, V GE =±15V, t j =125 O C |
|
268 |
|
NS |
t R |
Aufstiegszeit |
|
107 |
|
NS |
|
t D (aus ) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
659 |
|
NS |
|
t F |
Herbstzeit |
|
144 |
|
NS |
|
e auf |
Einschalten Schaltvorgang Verlust |
|
53.5 |
|
mJ |
|
e aus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
77.3 |
|
mJ |
|
t D (auf ) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
V CC =600V,I C = 600A, R g = 1,5Ω, V GE =±15V, t j =150 O C |
|
278 |
|
NS |
t R |
Aufstiegszeit |
|
118 |
|
NS |
|
t D (aus ) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
680 |
|
NS |
|
t F |
Herbstzeit |
|
155 |
|
NS |
|
e auf |
Einschalten Schaltvorgang Verlust |
|
58.9 |
|
mJ |
|
e aus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
82.4 |
|
mJ |
|
I SC |
SC-Daten |
t P ≤ 10 μs, V GE =15V, t j =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V |
|
2400 |
|
Ein |
Diode Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheit |
V F |
Diodenvorwärts Spannung |
I F = 600 A, V GE =0V,T j =25 O C |
|
1.65 |
2.10 |
V |
I F = 600 A, V GE =0V,T j = 125O C |
|
1.65 |
|
|||
I F = 600 A, V GE =0V,T j = 150O C |
|
1.65 |
|
|||
Q R |
Wiederhergestellte Ladung |
V CC =600V,I F = 600A, -di/dt=5000A/μs,V GE =- 15 V, t j =25 O C |
|
61.4 |
|
μC |
I RM |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
280 |
|
Ein |
|
e Erklärungen |
Rückwärtswiederherstellung Energie |
|
20.9 |
|
mJ |
|
Q R |
Wiederhergestellte Ladung |
V CC =600V,I F = 600A, -di/dt=5000A/μs,V GE =- 15 V, t j = 125O C |
|
114 |
|
μC |
I RM |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
415 |
|
Ein |
|
e Erklärungen |
Rückwärtswiederherstellung Energie |
|
43.1 |
|
mJ |
|
Q R |
Wiederhergestellte Ladung |
V CC =600V,I F = 600A, -di/dt=5000A/μs,V GE =- 15 V, t j = 150O C |
|
128 |
|
μC |
I RM |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
443 |
|
Ein |
|
e Erklärungen |
Rückwärtswiederherstellung Energie |
|
50.0 |
|
mJ |
Modul Eigenschaften t C =25 O C es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Parameter |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheit |
L CE |
Streuinduktivität |
|
|
20 |
nH |
R CC’+EE’ |
Modulanschlusswiderstand nce, Anschluss zum Chip |
|
0.35 |
|
mΩ |
R thJC |
Junction-to-Case (pro IGB T) Junction-to-Case (pro Di ode) |
|
|
0.044 0.077 |
K/W |
R thCH |
Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode) Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul) |
|
0.031 0.055 0.010 |
|
K/W |
m |
Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6 |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
N.M |
g |
Gewicht von Modul |
|
300 |
|
g |
Unser professionelles Verkaufsteam freut sich auf Ihre Beratung.
Sie können ihre Produktliste verfolgen und Fragen stellen, die Sie interessieren.