GD450HFY120C2S, IGBT Modul, STARPOWER

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

IC

Kollektorstrom @ T C=25o C

@ T C= 100o C

680

450

A

ICm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

900

A

PD

Maximalleistung Ablösung @ T =175o C

2173

W

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

V

IF

Diode kontinuierlich vorwärts rent

450

A

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

900

A

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagertemperatur Reichweite

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 mINUTE

4000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

IC= 450 A, V GE =15V, T j =25o C

1.70

2.05

V

IC= 450 A, V GE =15V, T j =125o C

1.95

IC= 450 A, V GE =15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC=11.3mA ,V CE =V GE ,T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Sammler Geschnitten – Aus

Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

1.7

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

46.6

nF

Cres

Rückübertragungs-

Kapazität

1.31

nF

F G

Gate-Ladung

V GE =- 15…+15V

3.50

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C= 450 A, R G= 1,5Ω,

V GE =±15V, T j =25o C

328

nS

t r

Aufstiegszeit

76

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

539

nS

t f

Herbstzeit

108

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

19.5

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

46.6

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C= 450 A, R G= 1,5Ω,

V GE =±15V, T j =125o C

376

nS

t r

Aufstiegszeit

86

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

595

nS

t f

Herbstzeit

214

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

36.3

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

53.5

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C= 450 A, R G= 1,5Ω,

V GE =±15V, T j =150o C

380

nS

t r

Aufstiegszeit

89

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

608

nS

t f

Herbstzeit

232

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

41.7

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

55.5

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

1800

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts

Spannung

IF = 450 A, V GE =0V,T j =25o C

1.65

2.10

V

IF = 450 A, V GE =0V,T j =125o C

1.65

IF = 450 A, V GE =0V,T j =150o C

1.65

F r

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F = 450 A,

-di/dt=4370A/μs,V GE =- 15 V, T j =25o C

29.4

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

275

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

13.2

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F = 450 A,

-di/dt=4370A/μs,V GE =- 15 V, T j =125o C

68.8

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

342

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

31.6

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F = 450 A,

-di/dt=4370A/μs,V GE =- 15 V, T j =150o C

79.6

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

354

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

35.8

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

LCE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand nce, Anschluss zum Chip

0.35

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Junction-to-Case (pro Di ode)

0.069

0.108

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.033

0.051

0.010

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Gewicht aus Modul

300

g