GD400CUX120C2S, IGBT-Modul, STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 o C @ T C =100 o C

636

400

A

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

800

A

P D

Maximalleistung Ablösung @ T vj =175 o C

2083

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

I K

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

400

A

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

800

A

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T vjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t= 1 Minute

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =400A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.75

2.20

V

I C =400A,V GE =15V, T vj =125 o C

2.00

I C =400A,V GE =15V, T vj =150 o C

2.05

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =14.4 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

0.5

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

37.3

nF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

1.04

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =-15 ...+15V

2.80

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 400A, R G =2.0Ω, L S =50nH , V GE =±15V, T vj =25 o C

223

nS

t r

Aufstiegszeit

49

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

334

nS

t k

Herbstzeit

190

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

17.9

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

28.7

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 400A, R G =2.0Ω, L S =50nH , V GE =±15V, T vj =125 o C

230

nS

t r

Aufstiegszeit

54

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

385

nS

t k

Herbstzeit

300

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

29.4

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

41.2

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 400A, R G =2.0Ω, L S =50nH , V GE =±15V, T vj =150 o C

228

nS

t r

Aufstiegszeit

57

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

393

nS

t k

Herbstzeit

315

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

32.3

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

42.9

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤10μs, V GE =15V,

T vj =150 o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

1600

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V K

Diodenvorwärts Spannung

I K =400A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.85

2.30

V

I K =400A,V GE =0V,T vj =125 o C

1.90

I K =400A,V GE =0V,T vj =150 o C

1.95

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I K = 400A,

-di/dt=8030A/μs, L S =50nH, V GE = 15 V, T vj =25 o C

33.6

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

374

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

13.6

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I K = 400A,

-di/dt=7030A/μs, L S =50nH, V GE = 15 V, T vj =125 o C

67.5

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

446

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

28.2

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I K = 400A,

-di/dt=6880A/μs, L S =50nH, V GE = 15 V, T vj =150 o C

75.5

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

452

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

31.4

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.35

mΩ

R thJC

Junction -bis zu -Fall (proIGBT ) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.072 0.113

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.023 0.036 0.010

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Gewicht von Modul

300

g