GD600HFX120C2SA , IGBT-Modul, STARPOWER

Einführung

Kurze Einführung

IGBT-Modul ,von Stärken . 1200V 600A.

Funktionen

Niedriges VCE(sat) Trench IGBT-Technologie
10μs Kurzschlussfähigkeit
VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
Höchsttemperatur der Verbindung 175oC
Niedrige Induktivitätsgehäuse
Schnelle & sanfte Rückwärtsrekuperation antiparallele FWD
Isolierte Kupferbasisplatte mit HPS DBC Technologie

Typische Anwendungen

Wechselrichter für Motorantrieb
Mit einer Leistung von mehr als 50 W
Ununterbrochene Stromversorgung

Absolut Maximum Kennwerte T F =25 o C es sei denn sonstige angegeben

IGBT

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
V CES	Spannung zwischen Kollektor und Emitter	1200	V
V GES	Spannung des Tor-Emitters Übergangsspannung des Tor-Emittors	±20 ±30	V
I C	Kollektorstrom @ T C =25 o C @ T C =100 o C	925 600	Ein
I CM	Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms	1200	Ein
P D	Maximalleistung Ablösung @ T j =175 o C	3000	W

Diode

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
V RRM	Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter	1200	V
I F	Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent	600	Ein
I FM	Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms	1200	Ein

Modul

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
T jmax	Maximale Junction-Temperatur	175	o C
T - Was ist los?	Betriebstemperatur der Sperrschicht	-40 bis +150	o C
T Stg	Lagerungstemperaturbereich	-40 bis +125	o C
V ISO	Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t= 1 Minute	4000	V

IGBT Eigenschaften T C =25 o C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
V CE(sat)	Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung	I C = 600 A, V GE =15V, T j =25 o C		1.65	2.00	V
		I C = 600 A, V GE =15V, T j =125 o C		1.95
		I C = 600 A, V GE =15V, T j =150 o C		2.00
V GE (th )	Gate-Emitter-Schwelle Spannung	I C =24.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C	5.6	6.2	6.8	V
I CES	Sammler Schnitt -Aus Aktuell	V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C			1.0	mA
I GES	Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell	V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C			400	nA
R Gint	Interner Gate-Widerstand			1.25		ω
C ies	Eingangskapazität	V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V		60.8		nF
C res	Rückübertragungs- Kapazität	V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V		1.84		nF
Q G	Gate-Ladung	V GE =-15…+15V		4.64		μC
t d (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =600V,I C = 600A, R G =1.2Ω, L S = 34 nH , V GE =±15V,T j =25 o C		339		nS
t r	Aufstiegszeit			95		nS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			468		nS
t f	Herbstzeit			168		nS
E auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			63.7		mJ
E aus	Ausschaltsteuerung Verlust			56.4		mJ
t d (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =600V,I C = 600A, R G =1.2Ω, L S = 34 nH , V GE =±15V,T j =125 o C		418		nS
t r	Aufstiegszeit			135		nS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			567		nS
t f	Herbstzeit			269		nS
E auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			108		mJ
E aus	Ausschaltsteuerung Verlust			72.3		mJ
t d (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =600V,I C = 600A, R G =1.2Ω, L S = 34 nH , V GE =±15V,T j =150 o C		446		nS
t r	Aufstiegszeit			151		nS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			602		nS
t f	Herbstzeit			281		nS
E auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			123		mJ
E aus	Ausschaltsteuerung Verlust			78.2		mJ
I SC	SC-Daten	t P ≤10μs, V GE =15V, T j =150 o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V		2400		Ein

Diode Eigenschaften T C =25 o C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
V F	Diodenvorwärts Spannung	I F = 600 A, V GE =0V,T j =25 o C		1.85	2.30	V
		I F = 600 A, V GE =0V,T j =1 25o C		1.90
		I F = 600 A, V GE =0V,T j =1 50o C		1.95
Q r	Wiederhergestellte Ladung	V CC =600V,I F = 600A, -di/dt=5210A/μs,V GE = 15 V, L S = 34 nH ,T j =25 o C		49.3		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			300		Ein
E erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			24.1		mJ
Q r	Wiederhergestellte Ladung	V CC =600V,I F = 600A, -di/dt=3490A/μs,V GE = 15 V, L S = 34 nH ,T j =125 o C		85.2		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			314		Ein
E erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			33.8		mJ
Q r	Wiederhergestellte Ladung	V CC =600V,I F = 600A, -di/dt=3080A/μs,V GE = 15 V, L S = 34 nH ,T j =150 o C		102		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			318		Ein
E erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			36.8		mJ

Modul Eigenschaften T C =25 o C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
L CE	Streuinduktivität			20	nH
R CC’+EE’	Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip		0.35		mΩ
R thJC	Junction -um -Fall (proIGBT ) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel			0.050 0.080	K/W
R thCH	Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch		0.033 0.052 0.010		K/W
M	Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
G	Gewicht von Modul		300		g