GD600HFX120C2SA, IGBT-Modul, STARPOWER

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

Übergangsspannung des Tor-Emittors

±20 ±30

V

IC

Kollektorstrom @ T C=25o C @ T C=100o C

925

600

A

ICm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

1200

A

PD

Maximalleistung Ablösung @ T j =175o C

3000

W

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

IF

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

600

A

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

1200

A

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t= 1 Minute

4000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

IC= 600 A, V GE =15V, T j =25o C

1.65

2.00

V

IC= 600 A, V GE =15V, T j =125o C

1.95

IC= 600 A, V GE =15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC=24.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Sammler Geschnitten – Aus Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

1.25

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

60.8

nF

Cres

Rückübertragungs- Kapazität

1.84

nF

F G

Gate-Ladung

V GE =-15…+15V

4.64

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C= 600A, R G=1.2Ω, LS =34nH , V GE =±15V,T j =25o C

339

nS

t r

Aufstiegszeit

95

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

468

nS

t f

Herbstzeit

168

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

63.7

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

56.4

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C= 600A, R G=1.2Ω, LS =34nH , V GE =±15V,T j =125o C

418

nS

t r

Aufstiegszeit

135

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

567

nS

t f

Herbstzeit

269

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

108

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

72.3

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C= 600A, R G=1.2Ω, LS =34nH , V GE =±15V,T j =150o C

446

nS

t r

Aufstiegszeit

151

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

602

nS

t f

Herbstzeit

281

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

123

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

78.2

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤10μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

2400

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

IF = 600 A, V GE =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

IF = 600 A, V GE =0V,T j =125o C

1.90

IF = 600 A, V GE =0V,T j =150o C

1.95

F r

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=5210A/μs,V GE = 15 V, LS =34nH ,T j =25o C

49.3

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

300

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

24.1

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=3490A/μs,V GE = 15 V, LS =34nH ,T j =125o C

85.2

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

314

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

33.8

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=3080A/μs,V GE = 15 V, LS =34nH ,T j =150o C

102

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

318

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

36.8

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

LCE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.35

mΩ

R thJC

Junction – nach – Fall (proIGBT ) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.050 0.080

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.033 0.052 0.010

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Gewicht aus Modul

300

g