GD100HCX170C6SA ,IGBT Modul,STARPOWER

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

IC

Kollektorstrom @ T C=25o C @ T C=100o C

196

100

A

ICm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

200

A

PD

Maximalleistung Ablösung @ T vj =175o C

815

W

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1700

V

IF

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

100

A

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

200

A

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

T vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T vjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t= 1 Minute

4000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

IC=100A,V GE =15V, T vj =25o C

1.85

2.20

V

IC=100A,V GE =15V, T vj =125o C

2.25

IC=100A,V GE =15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC=4.00mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Sammler Geschnitten – Aus Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

7.5

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

12.0

nF

Cres

Rückübertragungs- Kapazität

0.29

nF

QG

Gate-Ladung

V GE =-15 ...+15V

0.94

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C=100A, R G=1.0Ω,V GE =±15V, L.S. =52nH ,T vj =25o C

196

nS

t r

Aufstiegszeit

44

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

298

nS

t f

Herbstzeit

367

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

26.4

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

14.7

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C=100A, R G=1.0Ω,V GE =±15V, L.S. =52nH ,T vj =125o C

217

nS

t r

Aufstiegszeit

53

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

361

nS

t f

Herbstzeit

516

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

36.0

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

21.0

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C=100A, R G=1.0Ω,V GE =±15V, L.S. =52nH ,T vj =150o C

223

nS

t r

Aufstiegszeit

56

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

374

nS

t f

Herbstzeit

551

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

39.1

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

22.4

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤10μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =1000V,

V CEM ≤1700V

400

A

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

LCE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

1.10

mΩ

R thJC

Junction – bis – Fall (proIGBT ) Junction-to-Case (pro Di ode)

0.184 0.274

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.060 0.090 0.009

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Gewicht aus Modul

350

g