GD400SGU120C2S,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

VCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

VGES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

IC

Kollektorstrom @ TC=25oC

@ TC=70oC

549

400

A

ICM

Pulsierter Kollektorstrom tp=1ms

800

A

PD

Maximale Leistungsabgabe @ T =150oC

2659

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

VRRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

V

IF

Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom

400

A

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom tp=1ms

800

A

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

Tjmax

Maximale Junction-Temperatur

150

oC

- Ich bin ein Idiot.

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +125

oC

Tstg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

oC

VISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =400A,V GE =15V, T j =25 o C

2.90

3.35

V

I C =400A,V GE =15V, T j =125 o C

3.60

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C = 16,0 mA, V CE =V GE , T j =25 o C

4.5

5.5

6.5

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus

Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

0.6

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

26.0

nF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

1.70

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =- 15…+15V

4.2

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 400A, R G = 2,2Ω,

V GE =±15V, T j =25 o C

76

nS

t r

Aufstiegszeit

57

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

529

nS

t k

Herbstzeit

73

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

5.2

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

23.2

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 400A, R G = 2,2Ω,

V GE =±15V, T j = 125o C

81

nS

t r

Aufstiegszeit

62

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

567

nS

t k

Herbstzeit

81

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

9.9

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

31.7

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =125 o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200 V

2800

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V K

Diodenvorwärts

Spannung

I K =400A,V GE =0V,T j =25 o C

1.96

2.31

V

I K =400A,V GE =0V,T j = 125o C

1.98

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I K = 400A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V T j =25 o C

24.9

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

317

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

16.0

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I K = 400A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

35.5

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

391

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

21.4

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand nce, Anschluss zum Chip

0.18

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Junction-to-Case (pro Di ode)

0.047

0.100

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode)

Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.015

0.031

0.010

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Gewicht von Modul

300

g