GD400SGU120C2S,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

VCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

VGES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

IC

Kollektorstrom @ TC=25oC

@ TC=70oC

549

400

A

ICM

Pulsierter Kollektorstrom tp=1ms

800

A

PD

Maximale Leistungsabgabe @ T =150oC

2659

W

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

VRRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

V

IF

Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom

400

A

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom tp=1ms

800

A

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

Tjmax

Maximale Junction-Temperatur

150

oC

- Ich bin ein Idiot.

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +125

oC

Tstg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

oC

VISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

IC=400A,V GE =15V, T j =25o C

2.90

3.35

V

IC=400A,V GE =15V, T j =125o C

3.60

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC= 16,0 mA, V CE =V GE , T j =25o C

4.5

5.5

6.5

V

ICES

Sammler Geschnitten – Aus

Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

0.6

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

26.0

nF

Cres

Rückübertragungs-

Kapazität

1.70

nF

F G

Gate-Ladung

V GE =- 15…+15V

4.2

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C= 400A, R G= 2,2Ω,

V GE =±15V, T j =25o C

76

nS

t r

Aufstiegszeit

57

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

529

nS

t f

Herbstzeit

73

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

5.2

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

23.2

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C= 400A, R G= 2,2Ω,

V GE =±15V, T j = 125o C

81

nS

t r

Aufstiegszeit

62

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

567

nS

t f

Herbstzeit

81

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

9.9

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

31.7

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =125o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200 V

2800

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts

Spannung

IF =400A,V GE =0V,T j =25o C

1.96

2.31

V

IF =400A,V GE =0V,T j = 125o C

1.98

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F = 400A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

24.9

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

317

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

16.0

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F = 400A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

35.5

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

391

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

21.4

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

LCE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand nce, Anschluss zum Chip

0.18

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Junction-to-Case (pro Di ode)

0.047

0.100

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode)

Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.015

0.031

0.010

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Gewicht aus Modul

300

g