Diodenmodul, YMDBD1200-45, TFM1200XDM45-D200

符号

Symbol

参数名称

Parameter

测试条件

Prüfbedingungen

数值

Wert

einheit

Einheit

V RRM

wiederholte Spitzenspannung

Repetitive voltage

T C= 25 °C

4500

V

IF

vorwärts-Gleichstrom

Forward current

DC

1200

A

IFRM

vorwärts-wiederholte Spitzenstrom

Spitzen-Vorwärtsstrom

t P = 1 ms

2400

A

IFSM

einschaltstrom

Stromstoß

V R =0V, t P = 10ms, T vj = 25 °C

TBD

A

I2t

I2t wert

I2t

V R =0V, t P = 10ms, T vj = 25 °C

530

kA2s

V isolierung

绝缘电压 (modul )

Isolation spannung -pro modul

alle Anschlüsse kurzschließen, Spannung zwischen Anschluss und Basisplatte anlegen ( Gemeinsame Anschlüsse zu basis platte), Klimaanlage RMS,1 min, 50Hz, T C= 25 °C

10200

V

F PD

teilentladungsladung (modul )

Partial entlassung -pro modul

IEC1287. V 1=6900V, V 2=5100V, 50Hz

RMS ,T C= 25 °C

10

pC

符号

Symbol

参数名称

Parameter

条件

Prüfbedingungen

der letzte Wert Min.

typische Werte - Das ist typisch.

maksimalwert

Max.

einheit

Einheit

IRRM

wiederholter Rückstrom

Repetitive umgekehrt

aktuell

V RM = V RRM

1

mA

V RM = V RRM , T C=125 °C

50

mA

V F

vorwärts-Spannung

Durchlassspannung

IF = 1200A

2.70

V

IF = 1200A, T vj = 125 °C

3.10

V

F rR

rückwärtswiederherstellungsladung

Umgekehrt genesung

ladevorgang

V CC = 2800V, IF =1200A, - Das ist... i F /dt = 3800A/μs,

R G ((ON) = 1,5Ω ,

CGE =220nF,

LS =150nH,

(T vj = 125 °C).

IGBT:

TIM1200ASM45-PSA011

T vj = 25 °C

1220

μC

T vj = 125 °C

1750

μC

IrR

rückwärts-Wiederherstellungsstrom

Umgekehrt genesung

aktuell

T vj = 25 °C

1320

A

T vj = 125 °C

1420

A

Eerklärungen

rückwärtswiederherstellungsverluste

Umgekehrt genesung

energie

T vj = 25 °C

2.60

J

T vj = 125 °C

3.90

J