Diodenmodul, YMDBD1200-45, TFM1200XDM45-D200

符号

Symbol

参数名称

Parameter

测试条件

Prüfbedingungen

数值

Wert

Einheit

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenspannung

Repetitive voltage

t C = 25 °C

4500

V

I F

Vorwärts-Gleichstrom

Forward current

DC

1200

Ein

I FRM

Vorwärts-wiederholte Spitzenstrom

Spitzen-Vorwärtsstrom

t P = 1 ms

2400

Ein

I FSM

Einschaltstrom

Stromstoß

V R =0V, t P = 10ms, t Vj = 25 °C

TBD

Ein

I 2t

I 2t Wert

I 2t

V R =0V, t P = 10ms, t Vj = 25 °C

530

kA 2s

V Isolierung

绝缘电压 (Modul )

Isolation Spannung - pro Modul

Alle Anschlüsse kurzschließen, Spannung zwischen Anschluss und Basisplatte anlegen ( Gemeinsame Anschlüsse zu Basis platte), Klimaanlage RMS,1 min, 50Hz, t C = 25 °C

10200

V

Q PD

Teilentladungsladung (Modul )

Partial Entlassung - pro Modul

IEC1287. V 1=6900V, V 2=5100V, 50Hz

RMS ,t C = 25 °C

10

PC

符号

Symbol

参数名称

Parameter

条件

Prüfbedingungen

Der letzte Wert Min.

Typische Werte - Das ist typisch.

Maksimalwert

Max.

Einheit

Einheit

I RRM

Wiederholter Rückstrom

Repetitive umgekehrt

Aktuell

V RM = V RRM

1

mA

V RM = V RRM , t C =125 °C

50

mA

V F

Vorwärts-Spannung

Durchlassspannung

I F = 1200A

2.70

V

I F = 1200A, t Vj = 125 °C

3.10

V

Q RR

Rückwärtswiederherstellungsladung

umgekehrt Genesung

ladevorgang

V CC = 2800V, I F =1200A, - Das ist... I F /dt = 3800A/μs,

R G ((ON) = 1,5Ω ,

C GE =220nF,

L s =150nH,

(t Vj = 125 °C).

IGBT:

TIM1200ASM45-PSA011

t Vj = 25 °C

1220

μC

t Vj = 125 °C

1750

μC

I RR

Rückwärts-Wiederherstellungsstrom

umgekehrt Genesung

Aktuell

t Vj = 25 °C

1320

Ein

t Vj = 125 °C

1420

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellungsverluste

umgekehrt Genesung

Energie

t Vj = 25 °C

2.60

j

t Vj = 125 °C

3.90

j