GD1000HFA120C6S,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

ICN

Implementierter Sammler Cu rrent

1000

A

IC

Kollektorstrom @ T F =75o C

765

A

ICm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

2000

A

PD

Maximale Leistungsauslagerung ation @ T F =75o C,T j =175o C

1515

W

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

IFN

Implementierter Sammler Cu rrent

1000

A

IF

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

765

A

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

2000

A

IFSM

Überspannungsstrom t p = 10 ms @ T j =25o C @T j =150C

4100

3000

A

I2t

I2t-Wert,t p =10ms@T j =25C @T j =150C

84000

45000

A2s

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t= 1 Minute

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

IC=1000A,V GE =15V, T j =25o C

1.45

1.90

V

IC=1000A,V GE =15V, T j =125o C

1.65

IC=1000A,V GE =15V, T j =175o C

1.80

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC=24.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.5

6.3

7.0

V

ICES

Sammler Geschnitten – Aus Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

0.5

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

51.5

nF

Cres

Rückübertragungs- Kapazität

0.36

nF

F G

Gate-Ladung

V GE =-15…+15V

13.6

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=900A, R G=0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V,

T j =25o C

330

nS

t r

Aufstiegszeit

140

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

842

nS

t f

Herbstzeit

84

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

144

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

87.8

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=900A, R G=0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V,

T j =125o C

373

nS

t r

Aufstiegszeit

155

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

915

nS

t f

Herbstzeit

135

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

186

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

104

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=900A, R G=0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V,

T j =175o C

390

nS

t r

Aufstiegszeit

172

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

950

nS

t f

Herbstzeit

162

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

209

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

114

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤8μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

3200

A

t P≤6μs, V GE =15V,

T j =175o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

3000

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V F

Diodenvorwärts Spannung

IF =1000A,V GE =0V,T j =25o C

1.60

2.05

V

IF =1000A,V GE =0V,T j =125o C

1.70

IF =1000A,V GE =0V,T j =175o C

1.60

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4930A/μs,V GE =-8V, LS =40nH ,T j =25o C

91.0

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

441

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

26.3

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4440A/μs,V GE =-8V, LS =40nH ,T j =125o C

141

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

493

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

42.5

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4160A/μs,V GE =-8V, LS =40nH ,T j =175o C

174

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

536

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

52.4

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung aus R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2– 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2– 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2– 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

LCE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.80

mΩ

R die

Junction – nach – Kühlung Wasser (proIGBT )Verbindungsflüssigkeit zur Kühlung (pro Di) ode) △V/ △t=10,0 dm 3/mINUTE ,T F =75o C

0.066 0.092

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Gewicht aus Modul

400

g