IDG75X12T2, IGBT diskret, Starter

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

IC

Kollektorstrom @ T C=25o C @ T C=100o C

150

75

A

ICm

Pulsierend Sammler Aktuell t p eingeschränkt von T vjmax

225

A

PD

Maximalleistung Ablösung @ T vj =175o C

852

W

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

IF

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

75

A

IFM

Pulsierend Sammler Aktuell t p eingeschränkt von T vjmax

225

A

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

T vjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +175

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-55 bis +150

o C

T S

Löt Temperatur,1.6mm f rom Gehäuse für 10er

260

o C

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

IC= 75A,V GE =15V, T vj =25o C

1.75

2.20

V

IC= 75A,V GE =15V, T vj =150o C

2.10

IC= 75A,V GE =15V, T vj =175o C

2.20

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC=3.00mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.0

5.8

6.5

V

ICES

Sammler Geschnitten – Aus Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

250

μA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

100

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

2.0

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

6.58

nF

C- Die

Ausgangskapazität

0.40

Cres

Rückübertragungs- Kapazität

0.19

nF

QG

Gate-Ladung

V GE =-15…+15V

0.49

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C= 75A, R G= 4,7Ω,

V GE =±15V, Ls=40nH,

T vj =25o C

41

nS

t r

Aufstiegszeit

135

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

87

nS

t f

Herbstzeit

255

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

12.5

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

3.6

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C= 75A, R G= 4,7Ω,

V GE =±15V, Ls=40nH,

T vj =150o C

46

nS

t r

Aufstiegszeit

140

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

164

nS

t f

Herbstzeit

354

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

17.6

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

6.3

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C= 75A, R G= 4,7Ω,

V GE =±15V, Ls=40nH,

T vj =175o C

46

nS

t r

Aufstiegszeit

140

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

167

nS

t f

Herbstzeit

372

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

18.7

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

6.7

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤10μs, V GE =15V,

T vj =175o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

300

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

IF = 75A,V GE =0V,T vj =25o C

1.75

2.20

V

IF = 75A,V GE =0V,T vj =150o C

1.75

IF = 75A,V GE =0V,T vj =175o C

1.75

trr

Diode Rückwärts Erholungszeit

V R =600V,I F = 75A,

-di/dt=370A/μs,V GE =-15V, Ls=40nH,

T vj =25o C

267

nS

Qr

Wiederhergestellte Ladung

4.2

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

22

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

1.1

mJ

trr

Diode Rückwärts Erholungszeit

V R =600V,I F = 75A,

-di/dt=340A/μs,V GE =-15V, Ls=40nH,

T vj =150o C

432

nS

Qr

Wiederhergestellte Ladung

9.80

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

33

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

2.7

mJ

trr

Diode Rückwärts Erholungszeit

V R =600V,I F = 75A,

-di/dt=320A/μs,V GE =-15V, Ls=40nH,

T vj =175o C

466

nS

Qr

Wiederhergestellte Ladung

11.2

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

35

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

3.1

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R thJC

Junction-to-Case (pro IGB T) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.176 0.371

K/W

R die

Verbindung zum Umfeld

40

K/W