Optimierte Leistungsdichte
Die Optimierung der Leistungsdichte in Hochstrom-IGBT-Modulen stellt eine bedeutende ingenieurtechnische Leistung dar. Diese Module nutzen fortschrittliche Halbleitertechnologie und innovative Verpackungstechniken, um maximale Leistungsabgabe bei minimalem Platzbedarf zu gewährleisten. Die interne Anordnung ist sorgfältig gestaltet, um parasitäre Induktivitäten zu minimieren und die Stromverteilung zu optimieren, was zu verbesserten Schaltleistungen und geringeren Verlusten führt. Die Module verfügen über fortschrittliche Verbindungstechnologien, die zuverlässige elektrische und thermische Verbindungen gewährleisten, bei kompakten Abmessungen bleiben. Dieses optimierte Design erlaubt höhere Strombelastbarkeiten, ohne die Zuverlässigkeit oder thermische Leistung zu beeinträchtigen, und macht diese Module ideal für Anwendungen, bei denen Platz begrenzt ist, gleichzeitig aber hohe Leistungsanforderungen bestehen.