YMIF3600-17,IGBT-Modul,Hohe Strom-IGBT-Modul, Einzel-Schalter IGBT,CRRC

Parameter

Symbol

Bedingungen

min

max

Einheit

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

VCES

VGE =0V,Tvj ≥25°C

1700

V

DC Kollektorstrom

IC

TC =80°C

3600

A

Spitzenstrom des Kollektors

ICM

tp=1ms,Tc=80°C

7200

A

Spannung des Tor-Emitters

VGES

-20

20

V

Gesamtleistungsverlust

Ptot

TC =25°C, pro Schalter (IGBT)

17800

W

DC Vorwärtsstrom

IF

3600

A

Spitzen-Vorwärtsstrom

IFRM

tP=1 ms

7200

A

Stromstoß

IFSM

VR =0V,Tvj =125°C,tp=10ms, halbsinusschwingung

18000

A

IGBT Kurzschluss SOA IGBT

tpsc

VCC =1200V,VCEMCHIP≤1700V VGE ≤15V,Tvj≤125°C

10

μs

Isolationsspannung

Schnüren

1min, f=50Hz

4000

V

Junction-Temperatur

Fernsehen

175

℃

Junction-Betriebstemperatur

Tvj(op)

-50

150

℃

Gehäusetemperatur

TC

-50

125

℃

Lagertemperatur

Tstg

-50

125

℃

Montagedrehmomente

Ms

4

6

Nm

Mt1

8

10

Mt2

2

3

Parameter

Symbol

Bedingungen

Min

tYP

max

Einheit

Kollektor (- Emitter) Durchbruch spannung

V(BR)CES

VGE =0V,IC=10mA, Tvj=25°C

1700

V

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

VCEsat

IC =3600A, VGE =15V

Tvj= 25°C

2.5

V

Tvj=125°C

3.0

V

Tvj=150°C

3.1

V

Kollektorabschaltstrom

ICES

VCE =1700V, VGE =0V

Tvj= 25°C

10

mA

Tvj=125°C

100

mA

Tvj=150°C

170

mA

Durchlässigkeit des Tores

IGES

VCE =0V,VGE =20V, Tvj =125°C

-500

500

nA

Gate-Emitter Schwellenwertspannung

VGE(th)

IC =240mA,VCE =VGE, Tvj =25°C

5.3

7.3

V

Gate-Ladung

QG

IC =2400A,VCE =900V, VGE =-15V … 15V

21.0

μC

Eingangskapazität

Cies

VCE =25V,VGE =0V, f=1MHz,Tvj =25°C

239

nF

Ausgangskapazität

Coes

20.9

Rückwärtsübertragungs-Kapazität

Cres

9.24

Verzögerungszeit der Einleitung

die Daten sind nicht verfügbar.

Die Prüfungen werden in der Regel in einem Zustand durchgeführt, in dem die Prüfungen nicht durch eine andere Verfahren durchgeführt werden.

Tvj = 25 °C

1200

nS

Tvj = 125 °C

1500

Tvj = 150 °C

1600

Aufstiegszeit

tr

Tvj = 25 °C

1400

Tvj = 125 °C

1600

Tvj = 150 °C

1700

Verzögerungszeit für die Abschaltung

td (ausgeschaltet)

Tvj = 25 °C

3000

nS

Tvj = 125 °C

3500

Tvj = 150 °C

3700

Herbstzeit

tF

Tvj = 25 °C

500

Tvj = 125 °C

560

Tvj = 150 °C

620

Energieverlust beim Einschalten

EON

Tvj = 25 °C

2700

mJ

Tvj = 125 °C

2900

Tvj = 150 °C

3200

Energieverlust beim Ausschalten

EOFF

Tvj = 25 °C

3800

mJ

Tvj = 125 °C

4100

Tvj = 150 °C

4400

Kurzschlussstrom

ISC

die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

10000

A