doppel-IGBT-Modul
Das Dual-IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor) stellt eine bedeutende Weiterentwicklung in der Leistungselektronik dar, indem es zwei IGBT-Bauelemente in einem Gehäuse vereint, um eine verbesserte Leistung und Effizienz zu erzielen. Dieses hochentwickelte Bauteil fungiert als Schlüsselelement moderner Leistungskonvertierungs- und Steuerungssysteme. Das Modul integriert zwei IGBTs mit antiparallelen Freilaufdioden, wodurch eine effiziente Schaltung und Stromsteuerung in beide Richtungen ermöglicht wird. Diese Module arbeiten bei hohen Frequenzen, weisen gleichzeitig geringe Schaltverluste auf und können typischerweise Spannungen von 600 V bis 6500 V sowie Ströme von 50 A bis 3600 A handhaben. Die Dual-Konfiguration erlaubt verschiedene Schaltungstopologien, darunter Halbbrücken-Anordnungen, die für Inverter-Anwendungen unverzichtbar sind. Fortgeschrittene thermische Managementmerkmale wie Direct-Copper-Bonding und moderne Gehäusetechniken gewährleisten eine optimale Wärmeabfuhr und Zuverlässigkeit. Das Design des Moduls beinhaltet verbesserte Gate-Steuerungsschaltungen, die eine präzise Schaltkontrolle ermöglichen und Schutz gegen Überstrom und Kurzschlussbedingungen bieten. Diese Technologie findet breite Anwendung in industriellen Antriebssystemen, erneuerbaren Energiesystemen, unterbrechungsfreien Stromversorgungen und Elektrofahrzeug-Antrieben, bei denen hohe Effizienz und Zuverlässigkeit im Vordergrund stehen.