iGBT-Modul
Das IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor) stellt eine bahnbrechende Weiterentwicklung in der Leistungselektronik dar und vereint die besten Eigenschaften der MOSFET- und Bipolartransistortechnologien. Dieses hochentwickelte Halbleiterbauelement fungiert als entscheidende Komponente in modernen Leistungssteueranwendungen und bietet außergewöhnliche Schaltfähigkeit sowie effizientes Leistungsmanagement. Das Modul besteht aus mehreren IGBT-Chips, die in verschiedenen Konfigurationen angeordnet sind, ergänzt durch antiparallele Dioden und eine spezielle Verpackung, die für optimales thermisches Management konzipiert ist. IGBT-Module arbeiten bei Frequenzen zwischen 1 kHz und 100 kHz, können Spannungen von 600 V bis 6500 V und Ströme von mehreren tausend Ampere schalten. Diese Module überzeugen in Anwendungen, die über hohe Spannungs- und Strombelastbarkeit verfügen müssen, und sind somit unverzichtbar in industriellen Motorensteuerungen, erneuerbaren Energiesystemen und Antrieben von Elektrofahrzeugen. Die Integration fortschrittlicher Gate-Steuerungsschaltungen gewährleistet präzise Schaltkontrolle, während eingebaute Schutzfunktionen vor Überstrom, Kurzschluss und Überhitzung schützen. Moderne IGBT-Module beinhalten zudem ausgeklügelte Lösungen zum thermischen Management, wie beispielsweise Substrate mit Direktkupplerbondung (DCB) und fortschrittliche Kühlsysteme, die auch unter extremen Bedingungen zuverlässigen Betrieb ermöglichen.