ترانزستور تأثير حقل أكسيد معدني من نوع السوبر جنكشن

يُدخل ترانزستور تأثير حقل أكسيد معدني من نوع السوبر جنكشن (ترانزستور تأثير حقل أكسيد معدني) تحكّمًا في المجال الكهربائي الجانبي استنادًا إلى تقنية الـ VDMOS التقليدية، مما يجعل توزيع المجال الكهربائي العمودي يقترب من شكل مستطيل مثالي. ويحسّن هذا الهيكل قدرة الجهاز على التحمّل الجهدية بنسبة تقارب 20% مع الحفاظ على نفس مقاومة الطبقة الخارجية (الإبيتاكسيالية). ولـ المنتجات في حالة المواصفات نفسها لجهد التحمّل، يمكن تخفيض مقاومة التشغيل في حالة التوصيل (Rds(on)) لكل وحدة مساحة باستخدام تقنية السوبر جنكشن إلى أقل من ثمن ما هي عليه في الهيكل التقليدي، مما يحقّق تحسينًا تكامليًّا في خصائص كلٍّ من حالة التشغيل (on-state) وحالة الإيقاف (off-state).
سلسلة ترانزستورات MOSFET ذات الوصلات الفائقة لدينا مُصنَّعة باستخدام تقنية الخندق العميق وعمليات الترسيب المتعددة الطباق، وتتميَّز بمقاومة منخفضة في حالة التشغيل وشحنة بوابة منخفضة. وهي تقلِّل بشكلٍ كبيرٍ من الفقد في حالتي التشغيل والإيقاف، ما يجعلها مناسبةً جدًّا لأنظمة التحويل الإلكتروني للطاقة عالية الكثافة القدرة وعالية الكفاءة.

نظرة عامة على تطبيق ترانزستور MOSFET ذي الوصلات الفائقة في وحدة الشحن المدمجة (OBC)

نظرة عامة على تطبيق ترانزستور MOSFET ذي الوصلات الفائقة في وحدة الشحن المدمجة (OBC)
المواقع المثلى لشحن المركبات الكهربائية والمركبات الهجينة لا تقتصر على محطات الشحن فحسب، بل تشمل أي وجهة توفر الكهرباء. ووحدة الشحن المدمجة (On-Board Charger) هي جهازٌ يحوِّل التيار المتناوب إلى التيار المستمر المطلوب لشحن المركبة. وهي تتيح شحن المركبة في الرئيسية المنزل أو في مكان العمل. وبما أن سعتها تحدد قدرة الشحن وكفاءته، فإنها تؤثر تأثيرًا مباشرًا على تجربة المستخدم.