IGBT Modul 1200V

Simvol

tavsif

GD400HFL120C2S

birliklar

vCES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

v

vGES

Chiqargichning kuchlanishi

± 20

v

ic

Joriy toʻplamtc=25°C

@ Tc=80°C

730

400

a

im

Pulsatsiyali kollektor oqimi tp= 1ms

800

a

if

Diodning doimiy oldinga chizilishiijara

400

a

ifm

Diodning maksimal oldingi oqimi tp= 1 ms

800

a

pd

Maksimal quvvatni yoʻq qilish @ TJ= 175°C

2778

v

tjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

°C

tjoʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

°C

tSTG

saqlash haroratlari oralig'i

-40 dan +125 gacha

°C

voʻlchash

Izolatsiya kuchlanmasi RMS,f=50Hz,t=1daqiqa

4000

v

oʻrnatishOʻzlashtirishaylanish vring

Kuch terminalining viski:M6

O'rnatish viski:M6

2,5 gachaOʻzlashtirish5.0

3,0 danOʻzlashtirish5.0

n.m.

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

v(br) bilanCES

Kollektor-tarqatuvchi

uzilish kuchlanmasi

tJ=25°C

1200

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

iCES

KollektorOʻzlashtirishkesish- Oʻzingizningo'chirilgan

joriy

vo=vCES,vGE=0V,tJ=25°C

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

5.0

mA

iGES

Darvoza emittorining oqishiOʻzlashtirishjoriy

vGE=vGES,vo=0V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

400

n

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

vGE(o'n) bilan

Darvoza emittorining chegarasiOʻzlashtirishkuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

ic=Oʻzlashtirish16.0 mA,Vo=VGE,tJ=25°C

5.0

6.2

7.0

v

Oʻzlashtirish

vOʻzbekiston Respublikasi

Oʻzlashtirish

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

ic= 400A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

1.90

2.35

Oʻzlashtirish

v

ic= 400A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ= 125°C

Oʻzlashtirish

2.10

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic= 400A,Oʻzlashtirishrg=4.Oʻzlashtirish1Ω,

vGE=±15V,tJ=25°C

Oʻzlashtirish

910

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

200

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

848

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

110

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

33.5

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

39.5

Oʻzlashtirish

mJ

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic= 400A,Oʻzlashtirishrg=4.Oʻzlashtirish1Ω,

vGE=±15V,tJ= 125°C

Oʻzlashtirish

1047

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

201

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

998

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

150

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

46.0

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

57.6

Oʻzlashtirish

mJ

cies

Kirish sig'imi

vo=25V, f=1Mhz,

vGE=0V

Oʻzlashtirish

29.7

Oʻzlashtirish

NF

co'qish

Chiqarish quvvati

Oʻzlashtirish

2.08

Oʻzlashtirish

NF

cres

Orqaga oʻtish

Kalitlik

Oʻzlashtirish

1.36

Oʻzlashtirish

NF

Oʻzlashtirish

is

Oʻzlashtirish

SC ma'lumotlari

tp≤ 10 μs,VGE=15OʻzlashtirishV,

tJ= 125°C,vcc= 900V,OʻzlashtirishvMET≤ 1200V

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

1800

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

rGint

Ichki darvoza qarshiligioʻtish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.5

Oʻzlashtirish

Ω

Meno

Yolgʻizlik induktansiyasi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

18

nH

Oʻzlashtirish

rCC+EE

Modulning oʻrni

qarshilik,

Chiptani terminalga oʻtkazish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.32

Oʻzlashtirish

mΩ

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

vf

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

if= 400A

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

1.80

2.20

v

tJ= 125°C

Oʻzlashtirish

1.85

Oʻzlashtirish

qr

Qayta tiklangan

toʻlov

if= 400A,

vr= 600 V,

rg=4.Oʻzlashtirish1Ω,

vGE= 15V

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

26

Oʻzlashtirish

μC

tJ= 125°C

Oʻzlashtirish

49

Oʻzlashtirish

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

212

Oʻzlashtirish

a

tJ= 125°C

Oʻzlashtirish

281

Oʻzlashtirish

erek

Qayta tiklanishenergiya

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

23.4

Oʻzlashtirish

mJ

tJ= 125°C

Oʻzlashtirish

33.8

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Tip.

maksimal

birliklar

rθJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha)T)

Oʻzlashtirish

0.054

K/W

rθJC

Qisqasi bilan bogʻlanish (har Dyod)

Oʻzlashtirish

0.093

K/W

rθCS

Qopqoqdan sinkgacha (O'tkazuvchan yog 'ilovasi)yolgʻonchi)

0.032

Oʻzlashtirish

K/W

og'irligi

og'irligiOʻzlashtirishmodul

350

Oʻzlashtirish

g