MOSFET з надщілинною структурою

MOSFET з надщілинною структурою (метал-оксидний напівпровідниковий транзистор із ефектом поля) вводить керування поперечним електричним полем на основі традиційного VDMOS, що дозволяє розподіл вертикального електричного поля наблизити до ідеального прямокутника. Така структура підвищує пробивну напругу приладу приблизно на 20 %, зберігаючи при цьому ту саму епітаксіальну опірність. товари для однакових специфікацій пробивної напруги питомий площевий опір увімкненого стану за технологією з надщілинною структурою може бути знижений до менш ніж 1/8 відповідного значення для традиційної структури, що забезпечує синергетичну оптимізацію характеристик увімкненого й вимкненого станів.
Наша серія MOSFET-транзисторів з надщілинною структурою виготовлюється за допомогою технології глибоких жолобів та кількох епітаксіальних процесів і характеризується низьким опором у відкритому стані та низьким зарядом затвора. Це значно зменшує втрати у відкритому й закритому станах, роблячи її особливо придатною для систем електронного перетворення енергії з високою щільністю потужності та високою ефективністю.

Огляд застосування MOSFET-транзисторів з надщілинною структурою в бортових зарядних пристроях (OBC)

Огляд застосування MOSFET-транзисторів з надщілинною структурою в бортових зарядних пристроях (OBC)
Ідеальні місця для заряджання електромобілів та гібридних автомобілів не обмежуються спеціалізованими зарядними станціями. Очікується, що заряджання можливе будь-де, де є доступ до електроенергії. Бортовий зарядний пристрій — це пристрій, який перетворює змінний струм на необхідний постійний струм для заряджання автомобіля. Він дозволяє заряджати транспортний засіб у дом або на робочому місці. Його потужність визначає швидкість та ефективність заряджання й безпосередньо впливає на користувацький досвід.