Tüm Kategoriler
Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

IGBT Modülü 1700V

IGBT Modülü 1700V

Ana Sayfa/Ürünler/IGBT modülü/IGBT Modülü 1700V

GD1200SGX170A3S, 1700 V 1200 A, IGBT Modülü,

Yüksek akımlı IGBT modülü, STARPOWER, A3

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD1200SGX170A3S
  • Giriş
  • Çizelge
  • Eşdeğer Devre Şeması
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü ,sTARPOWER tarafından üretilmiştir. 1 700V 1200A,A3 .

Özellikler

  • Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
  • 10μs kısa devre kapasitesi
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • En yüksek bağlantı sıcaklığı 175oC
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • Yüksek güçlü bisiklet kapasitesi için AlSiC taban plaka
  • Düşük termal direnci için AlN alt tabaka cE

Tipik Uygulamalar

  • AC İnverter Sürücüleri
  • Değiştirme modundaki güç kaynakları
  • Elektronik kaynak makineleri

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1700

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

IC

Toplayıcı Akımı @ T C=25o C @ T C=100o C

2206

1200

A

ICm

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

2400

A

PD

Maksimum güç Dağılımı @ T j =175o C

8.77

Kw

Diyot

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1700

V

IF

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

1200

A

IFm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

2400

A

Modül

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

T jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

o C

T yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

o C

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t= 1 dakikada.

4000

V

IGBT Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

IC=1200A,V GE =15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

IC=1200A,V GE =15V, T j =125o C

2.25

IC=1200A,V GE =15V, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

IC=48.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Toplayıcı Kesilir -OFF Mevcut

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

5.0

mA

IGES

Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci

1.0

ω

Cies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

145

nF

Cres

Geriye dönüştürme Kapasite

3.51

nF

S G

Geçit Ücreti

V GE =-15 ...+15V

11.3

μC

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C=1200A, Çubuk G=1.0Ω,

V GE =-9/+15V,

LS =65nH ,T j =25o C

440

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

112

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

1200

ns

t f

Sonbahar zamanı

317

ns

Eaçık

Anahtarlama Kayıp

271

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

295

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C=1200A, Çubuk G=1.0Ω,

V GE =-9/+15V,

LS =65nH ,T j =125o C

542

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

153

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

1657

ns

t f

Sonbahar zamanı

385

ns

Eaçık

Anahtarlama Kayıp

513

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

347

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C=1200A, Çubuk G=1.0Ω,

V GE =-9/+15V,

LS =65nH ,T j =150o C

547

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

165

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

1695

ns

t f

Sonbahar zamanı

407

ns

Eaçık

Anahtarlama Kayıp

573

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

389

mJ

ISC

SC Verileri

t P≤ 10μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V

4800

A

Diyot Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

V F

Diyot ileriye Voltaj

IF =1200A,V GE =0V, T j =25℃

1.80

2.25

V

IF =1200A,V GE =0V, T j =125℃

1.90

IF =1200A,V GE =0V, T j =150℃

1.95

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V CC =900V,I F =1200A,

-di/dt=10500A/μs,V GE =-9V, LS =65nH,T j =25℃

190

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

844

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

192

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V CC =900V,I F =1200A,

-di/dt=7050A/μs,V GE =-9V, LS =65nH,T j =125℃

327

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

1094

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

263

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V CC =900V,I F =1200A,

-di/dt=6330A/μs,V GE =-9V, LS =65nH,T j =150℃

368

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

1111

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

275

mJ

Modül Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

LCE

Savrulan endüktansa

12

nH

Çubuk CC+EE

Modül Bağlantı Direnci, Terminalden Çipe

0.19

Çubuk - Yürü

Kavşak -ile -Durum (perIGBT ) Çapraz-Kase (D başına) (iod)

17.1 26.2

K/kW

Çubuk thCH

Durum -ile -Isı çubuğu (perIGBT )Kürsüden ısı fıskiyesine (p) diyot) Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

9.9 15.2 6.0

K/kW

M

Güç Terminalı Vuruş: M4 Güç Terminalı Vuruş: M8 Montaj Vida:M6

1.8 8.0 4.25

2.1 10.0 5.75

N.M

G

Ağırlık nın Modül

1050

g

Çizelge

Eşdeğer Devre Şeması

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

İlgili Ürün

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz sizin danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000