GD720HTA120P6HT,IGBT Modülü,STARPOWER

Sembolik

Açıklama

Değerler

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben Çin

Uygulanan Kolektör Cu kiralık

720

A

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T F =65 o C

600

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

1440

A

P D

Maksimum Güç Dağıtımı ation @ T F =75 o C T vj =175 o C

1204

W

Sembolik

Açıklama

Değerler

Birim

V RRM

Tekrarlayan Zirve Ters Voltaj gE

1200

V

Ben FN

Uygulanan Kolektör Cu kiralık

720

A

Ben F

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

600

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

1440

A

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

T vjmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

o C

T vjop

Çalışma Eklem Sıcaklığı sürekli

Bir periyotta 10s 30s, oluşum maksimum 3000 kez ömür boyu ben

-40 ile +150 arasında +150 ile +175

o C

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min

3000

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

Ben C =600A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.50

V

Ben C =600A,V GE =15V, T vj =150 o C

1.80

Ben C =600A,V GE =15V, T vj =175 o C

1.85

Ben C =720A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.60

Ben C =720A,V GE =15V, T vj =175 o C

2.05

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =15.6 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

6.0

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF Akım

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları Akım

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

İç kapı direnci

1.67

ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

48.7

nF

C - Evet.

Çıkış Kapasitesi

1.55

nF

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

0.26

nF

Q G

Geçit Ücreti

V CE =800V,I C =600A, V GE =-8…+15V

3.52

μC

t d (oN )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =800V,I C =600A,

R Git =3.0Ω, R Goff =1.0Ω, L S =24nH,

V GE =-8V/+15V, T vj =25 o C

208

ns

t r

Kalkma zamanı.

65

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

505

ns

t f

Sonbahar zamanı

104

ns

E oN

Aç Anahtarlama Kayıp

77.7

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

62.2

mJ

t d (oN )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =800V,I C =600A,

R Git =3.0Ω, R Goff =1.0Ω, L S =24nH,

V GE =-8V/+15V, T vj =150 o C

225

ns

t r

Kalkma zamanı.

75

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

567

ns

t f

Sonbahar zamanı

191

ns

E oN

Aç Anahtarlama Kayıp

110

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

83.4

mJ

t d (oN )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =800V,I C =600A,

R Git =3.0Ω, R Goff =1.0Ω, L S =24nH,

V GE =-8V/+15V, T vj =175 o C

226

ns

t r

Kalkma zamanı.

77

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

583

ns

t f

Sonbahar zamanı

203

ns

E oN

Aç Anahtarlama Kayıp

118

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

85.9

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤4μs, V GE =15V,

T vj =175 o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

2600

A

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

Ben F =600A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.95

V

Ben F =600A,V GE =0V,T vj =150 o C

1.95

Ben F =600A,V GE =0V,T vj =175 o C

1.90

Ben F =720A,V GE =0V,T vj =2 5o C

2.05

Ben F =720A,V GE =0V,T vj =175 o C

2.05

Q r

Geri Alınan Ücret

V R =800V,I F =600A,

-di⁄dt=8281A⁄μs, L S =24n H, V GE =-8V, T vj =25 o C

44.3

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

346

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

16.2

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V R =800V,I F =600A,

-di/dt=6954A/μs, L S =24n H, V GE =-8V, T vj =150 o C

73.4

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

385

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

27.8

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V R =800V,I F =600A,

-di/dt=6679A/μs, L S =24n H, V GE =-8V, T vj =175 o C

80.7

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

392

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

30.7

mJ

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

R 25

Rating direnci

5.0

kΩ

∆R/R

Değişim ile ilgili R 100

T C =100 o C r 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Güç

Dağılım

20.0

mW

B 25/50

B değeri

R 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B değeri

R 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B değeri

R 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

L CE

Savrulan endüktansa

8

nH

R CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

0.75

mΩ

p

Soğutma Devresinde Maksimum Basınç - Çabuk

T taban plakası <40 o C

T taban plakası >40 o C

(başlangıçtaki basınç)

2.5 2.0

bar

R thJF

Kavşak -için -Soğutma Sıvı (perIGBT )Soğutma Sıvısına Kavuşan Birleşim (per Di (çıkış) △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,T F =75 o C

0.072 0.104

0.083 0.120

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M5 vida Montaj Döner, M4 vida

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

750

g