Kısa tanıtım 
IGBT modülü , STARPOWER tarafından üretilmiştir. 1200V 600A. 
Özellikler 
- 
Düşük V CE (sat ) Çukur  IGBT  tEKNOLOJİ 
- 
10 μs  kısa devre kapasitesi i̇letişim 
- 
V CE (sat ) i̇le  pozitif  sıcaklık    katsayı 
- 
Maksimum  çapraz sıcaklık  175o   C   
- 
Düşük endüktans  vaka 
- 
Hızlı ve yumuşak ters geri kazanım  paralel karşıt FWD 
- 
İzole edilmiş bakır taban plaka hPS DBC teknolojisi 
Tipik  Uygulamalar 
- Motorlu tahrik için inverter 
- AC ve DC servo sürücü amplifikatörü 
- Kesintisiz güç kaynağı 
Mutlak  Maksimum  Değerlendirmeler  T   C   =25 o   C    tabii ki  aksi takdirde  not edildi 
 
IGBT 
 
| Sembolik  | Açıklama  | Değer  | Birim  | 
| V CES  | Toplayıcı-Sütücü Voltajı  | 1200 | V  | 
| V GES  | Kapı-Emitör Voltajı  | ±20  | V  | 
| Ben   C    | Toplayıcı Akımı @ T C   =25 o   C    @ T C   =100 o   C    | 1000 600 | A  | 
| Ben   CM  | Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms  | 1200 | A  | 
| P D  | Maksimum güç Dağılımı @ T j =175 o   C    | 3409 | W  | 
Diyot 
 
| Sembolik  | Açıklama  | Değer  | Birim  | 
| V RRM  | Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı  | 1200 | V  | 
| Ben   F  | Diyot Sürekli İleri Kur kira  | 600 | A  | 
| Ben   Fm  | Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms  | 1200 | A  | 
Modül 
 
| Sembolik  | Açıklama  | Değer  | Birim  | 
| T   jmax  | En yüksek kavşak sıcaklığı  | 175 | o   C    | 
| T   yapma  | Hareket noktası sıcaklığı  | -40 ile +150 arasında  | o   C    | 
| T   STG  | Depolama Sıcaklığı   Menzil  | -40'tan +125'e kadar  | o   C    | 
| V ISO    | İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min  | 4000 | V  | 
IGBT  Özellikler  T   C   =25 o   C    tabii ki  aksi takdirde  not edildi 
 
| Sembolik  | Parametre  | Test koşulları  | Min.  | Tipik.  | Max.  | Birim  | 
|     V CE (sat)  |     Toplayıcıdan Verene  Doymak Voltajı  | Ben   C   =600A,V GE =15V,  T   j =25 o   C    |   | 1.70 | 2.05 |     V  | 
| Ben   C   =600A,V GE =15V,  T   j =125 o   C    |   | 1.95 |   | 
| Ben   C   =600A,V GE =15V,  T   j =150 o   C    |   | 2.00 |   | 
| V GE (th   ) | Geçit-Bölücü Sınırı  Voltaj    | Ben   C   =  15.0mA,V CE =V GE , T j =25 o   C    | 5.2 | 6.0 | 6.8 | V  | 
| Ben   CES  | Toplayıcı  Kes -OFF  Akım  | V CE = V CES ,V GE =0V,  T   j =25 o   C    |   |   | 1.0 | mA  | 
| Ben   GES  | Geçit-Emitör Sızıntıları  Akım  | V GE = V GES ,V CE =0V, T   j =25 o   C    |   |   | 400 | nA  | 
| R Gint  | İç kapı direnci - Ne?  |   |   | 1.3 |   | ω    | 
| C   ies  | Girdi Kapasitesi  | V CE =25V,f=1MHz,  V GE =0V  |   | 62.1 |   | nF  | 
| C   res  | Geriye dönüştürme  Kapasite  |   | 1.74 |   | nF  | 
| Q G  | Geçit Ücreti  | V GE - Hayır.  15...+15V  |   | 4.62 |   | μC  | 
| t   d (oN ) | Açma Gecikme Zamanı  |     V CC =600V,I C   =600A,   R G =1.5Ω,  V GE =±15V,  T   j =25 o   C    |   | 257 |   | ns  | 
| t   r  | Kalkma zamanı.  |   | 96 |   | ns  | 
| t   d (oFF ) | Kapalı  Gecikme süresi  |   | 628 |   | ns  | 
| t   f  | Sonbahar zamanı  |   | 103 |   | ns  | 
| E oN  | Aç  Anahtarlama  Kayıp  |   | 37.5 |   | mJ  | 
| E oFF  | Kapatma Değiştirme  Kayıp  |   | 51.5 |   | mJ  | 
| t   d (oN ) | Açma Gecikme Zamanı  |     V CC =600V,I C   =600A,   R G =1.5Ω,  V GE =±15V,  T   j =125 o   C    |   | 268 |   | ns  | 
| t   r  | Kalkma zamanı.  |   | 107 |   | ns  | 
| t   d (oFF ) | Kapalı  Gecikme süresi  |   | 659 |   | ns  | 
| t   f  | Sonbahar zamanı  |   | 144 |   | ns  | 
| E oN  | Aç  Anahtarlama  Kayıp  |   | 53.5 |   | mJ  | 
| E oFF  | Kapatma Değiştirme  Kayıp  |   | 77.3 |   | mJ  | 
| t   d (oN ) | Açma Gecikme Zamanı  |     V CC =600V,I C   =600A,   R G =1.5Ω,  V GE =±15V,  T   j =150 o   C    |   | 278 |   | ns  | 
| t   r  | Kalkma zamanı.  |   | 118 |   | ns  | 
| t   d (oFF ) | Kapalı  Gecikme süresi  |   | 680 |   | ns  | 
| t   f  | Sonbahar zamanı  |   | 155 |   | ns  | 
| E oN  | Aç  Anahtarlama  Kayıp  |   | 58.9 |   | mJ  | 
| E oFF  | Kapatma Değiştirme  Kayıp  |   | 82.4 |   | mJ  | 
|   Ben   SC  |   SC Verileri  | t   P ≤ 10μs,V GE =15V,  T   j =150 o   C,V CC =800V,  V CEM ≤ 1200V  |   |   2400 |   |   A  | 
Diyot  Özellikler  T   C   =25 o   C    tabii ki  aksi takdirde  not edildi 
 
| Sembolik  | Parametre  | Test koşulları  | Min.  | Tipik.  | Max.  | Birim  | 
|   V F  | Diyot ileriye  Voltaj    | Ben   F =600A,V GE =0V,T j =25 o   C    |   | 1.65 | 2.10 |   V  | 
| Ben   F =600A,V GE =0V,T j =  125o   C    |   | 1.65 |   | 
| Ben   F =600A,V GE =0V,T j =  150o   C    |   | 1.65 |   | 
| Q r  | Geri Alınan Ücret  | V CC =600V,I F =600A,  -di/dt=5000A/μs,V GE - Hayır.  15V, T   j =25 o   C    |   | 61.4 |   | μC  | 
| Ben   RM  | Çığ tersine  Geri kazanım akımı  |   | 280 |   | A  | 
| E - Bilmiyorum.  | Ters Çıkarma Enerji  |   | 20.9 |   | mJ  | 
| Q r  | Geri Alınan Ücret  | V CC =600V,I F =600A,  -di/dt=5000A/μs,V GE - Hayır.  15V,  T   j =  125o   C    |   | 114 |   | μC  | 
| Ben   RM  | Çığ tersine  Geri kazanım akımı  |   | 415 |   | A  | 
| E - Bilmiyorum.  | Ters Çıkarma Enerji  |   | 43.1 |   | mJ  | 
| Q r  | Geri Alınan Ücret  | V CC =600V,I F =600A,  -di/dt=5000A/μs,V GE - Hayır.  15V,  T   j =  150o   C    |   | 128 |   | μC  | 
| Ben   RM  | Çığ tersine  Geri kazanım akımı  |   | 443 |   | A  | 
| E - Bilmiyorum.  | Ters Çıkarma Enerji  |   | 50.0 |   | mJ  | 
 
Modül  Özellikler  T   C   =25 o   C    tabii ki  aksi takdirde  not edildi 
 
| Sembolik  | Parametre  | Min.  | Tipik.  | Max.  | Birim  | 
| L   CE  | Savrulan endüktansa  |   |   | 20 | nH  | 
| R CC+EE  | Modül Kurşun Direnci nce, terminal chip'e  |   | 0.35 |   | mΩ  | 
| R - Yürü  | İlişki (İGB başına) T)  Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)  |   |   | 0.044 0.077 | K/W  | 
|   R thCH  | Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT)  Kürsüden ısı fıskiyesine (p) diyot)  Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)  |   | 0.031 0.055 0.010 |   | K/W  | 
| M    | Terminal Bağlantı Döner,  M6 Çivit  Montaj Döner,  M6 Çivit  | 2.5 3.0 |   | 5.0 5.0 | N.M  | 
| G  | Ağırlık  ile ilgili  Modül  |   | 300 |   | g  |