YMIBD800-17,IGBT Modülü,Çift Anahtar IGBT,CRRC

(Sembol)

(Parametre)

(Test Koşulları)

(değer)

(Birim)

VCES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

V GE = 0V, TC= 25 。C

1700

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

TC= 25 。C

± 20

V

I C

Kollektör-emiter akımı

TC = 80 。C

800

Bir

I C(PK)

Zirve kollektör akımı

t P=1ms

1600

Bir

P maks.

Maks. transistör güç dağılımı

Tvj = 150 。C, TC = 25 。C

6.94

kw

I 2t

Diyot I 2t

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 125 。C

120

kA2s

Visol

İzolasyon voltajı – modül başına

( Ortak terminaller taban plakasına bağlıdır),

AC RMS,1 dk, 50Hz,TC= 25 。C

4000

V

Q PD

Kısmi deşarj – modül başına

IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS, TC= 25 。C

10

pC

(Sembolik )

(Parametre )

(Test Koşulları)

(Min )

(Tip )

(Maks. )

(Birim )

I CES

Kollektör kesme akımı

V GE = 0V,VCE = VCES

1

mA

V GE = 0V, VCE = VCES , TC=125 ° C

25

mA

I GES

Kapı sızıntı akımı

V GE = ±20V, VCE = 0V

4

μA

V GE (TH)

Kapı eşik voltajı

I C = 40mA, V GE = VCE

5.00

5.70

6.50

V

VCE (sat)(*1)

Toplayıcı-Emiter Doyma Gerilimi

V GE =15V, I C = 800A

2.30

2.60

V

V GE =15V, I C = 800A,Tvj = 125 ° C

2.80

3.10

V

I F

Diyot ileri akımı

dC DC

800

Bir

I FRM

Diyot maksimum ileri akımı

t P = 1ms

1600

Bir

VF(*1)

Diyot ileri voltajı

I F = 800A

1.70

2.00

V

I F = 800A, Tvj = 125 ° C

1.80

2.10

V

C ies

Girdi Kapasitesi

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

60

nF

Q g

Geçit Ücreti

±15V

9

μC

C res

Ters transfer kapasitansı

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

-

nF

L M

Modül endüktansı

20

nH

R INT

Dahili transistör direnci

270

μΩ

I SC

Kısa devre akımı, ISC

Tvj = 125° C, VCC = 1000V,

V GE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(maks) = VCES – L (*2)×di/dt,

IEC 6074-9

3700

Bir

td ((off)

Kapatma gecikme süresi

I C =800A

VCE =900V

L ~ 100nH

V GE = ±15V

RG(ON) = 2.2Ω

RG(OFF)= 2.2Ω

890

ns

t f

Sonbahar zamanı

220

ns

E OFF

Kapatma enerji kaybı

220

mJ

td ((on)

Açma Gecikme Zamanı

320

ns

t r

Kalkma zamanı.

190

ns

Eon

Açma enerji kaybı

160

mJ

Q rr

Diyot ters geri yükleme yükü

I F = 800A

VCE = 900V

diF/dt =4000A/us

260

μC

I rr

Diyot ters geri yükleme akımı

510

Bir

E rec

Diyot ters geri yükleme enerjisi

180

mJ

td ((off)

Kapatma gecikme süresi

I C =800A

VCE =900V

L ~ 100nH

V GE = ±15V

RG(ON) = 2.2Ω

RG(OFF)= 2.2Ω

980

ns

t f

Sonbahar zamanı

280

ns

E OFF

Kapatma enerji kaybı

290

mJ

td ((on)

Açma Gecikme Zamanı

400

ns

t r

Kalkma zamanı.

250

ns

Eon

Açma enerji kaybı

230

mJ

Q rr

Diyot ters geri yükleme yükü

I F = 800A

VCE = 900V

diF/dt =4000A/us

420

μC

I rr

Diyot ters geri yükleme akımı

580

Bir

E rec

Diyot ters geri yükleme enerjisi

280

mJ