Tüm Kategoriler
Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

IGBT Modülü 1200V

IGBT Modülü 1200V

Ana Sayfa/Ürünler/IGBT modülü/IGBT Modülü 1200V

GD300MPX120C6SA,IGBT Modülü,STARPOWER

IGBT Modülü, 1200V 300A, Ambalaj:C2

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD300MPX120C6SA
  • Giriş
  • Çizelge
  • Eşdeğer Devre Şeması
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü ,üretildi STARPOWER .1200V 300A.

Özellikler

  • NPT IGBT teknolojisi
  • 10μs kısa devre kapasitesi
  • Düşük değişim kayıpları
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak

Tipik Uygulamalar

  • Güneş Enerjisi
  • UPS
  • 3-Şevkatli Uygulamalar

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T F =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT-invertör

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

IC

Toplayıcı Akımı @ T C=25o C @ T C=100o C

468

300

A

ICRM

Tekrarlayan Zirve Toplayıcı Mevcut tp sınırlı tarafından T vjop

600

A

PD

Maksimum güç Dağılımı @ T vj =175o C

1530

G

Diyot-dönüştürücü

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1200

V

IF

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

300

A

IFRM

Tekrarlayan Zirve İleri Mevcut tp sınırlı tarafından T vjop

600

A

Diyot-3-düzey

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1200

V

IF

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

300

A

IFRM

Tekrarlayan Zirve İleri Mevcut tp sınırlı tarafından T vjop

600

A

Modül

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

T vjmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

o C

T vjop

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

o C

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada

2500

V

IGBT -değiştiriciler Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

IC=300A,V GE =15V, T vj =25o C

1.70

2.15

V

IC=300A,V GE =15V, T vj =125o C

1.95

IC=300A,V GE =15V, T vj =150o C

2.00

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

IC=12.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Toplayıcı Kesilir -OFF Mevcut

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci - Ne?

2.5

ω

Cies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

31.1

nF

Cres

Geriye dönüştürme Kapasite

0.87

nF

S G

Geçit Ücreti

V GE =-15 ...+15V

2.33

μC

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=300A, Çubuk G=2.4Ω,Ls=35nH, V GE =±15V,T vj =25o C

215

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

53

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

334

ns

t f

Sonbahar zamanı

205

ns

Eaçık

Anahtarlama Kayıp

21.5

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

20.7

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=300A, Çubuk G=2.4Ω,Ls=35nH, V GE =±15V,T vj =125o C

231

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

59

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

361

ns

t f

Sonbahar zamanı

296

ns

Eaçık

Anahtarlama Kayıp

30.1

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

28.1

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=300A, Çubuk G=2.4Ω,Ls=35nH, V GE =±15V,T vj =150o C

240

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

62

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

376

ns

t f

Sonbahar zamanı

311

ns

Eaçık

Anahtarlama Kayıp

32.9

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

29.9

mJ

ISC

SC Verileri

t P≤ 10μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

1200

A

Diyot -değiştiriciler Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V F

Diyot ileriye Voltaj

IF =300A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =300A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF =300A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V CC =600V,I F =300A,

-di⁄dt=2937A⁄μs, Ls=70nH, V GE =-15V,T vj =25o C

36.3

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

235

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

15.7

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V CC =600V,I F =300A,

-di⁄dt=2720A⁄μs, Ls=70nH, V GE =-15V,T vj =125o C

61.3

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

257

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

27.5

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V CC =600V,I F =300A,

-di⁄dt=2616A⁄μs, Ls=70nH, V GE =-15V,T vj =150o C

68.8

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

262

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

30.8

mJ

Diyot -3-seviye Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V F

Diyot ileriye Voltaj

IF =300A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =300A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF =300A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V CC =600V,I F =300A,

-di⁄dt=5683A⁄μs,Ls=35nH, V GE =-15V,T vj =25o C

36.2

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

290

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

13.4

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V CC =600V,I F =300A,

-di/dt=4958A/μs,Ls=35nH, V GE =-15V,T vj =125o C

56.6

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

301

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

22.2

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V CC =600V,I F =300A,

-di/dt=4673A/μs,Ls=35nH, V GE =-15V,T vj =150o C

65.9

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

306

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

26.3

mJ

NTC Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

Çubuk 25

Rating direnci

5.0

∆R/R

Değişim nın Çubuk 100

T C=100 o Cr 100= 493.3Ω

-5

5

%

P25

Güç

Dağılım

20.0

mW

B 25/50

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Modül Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

LCE

Savrulan endüktansa

35

nH

Çubuk CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

1.45

Çubuk - Yürü

Kavşak -ile -Durum (perIGBT -değiştiriciler ) Bağlantı Noktası-Şase (her Diyod-invert er) Bağlantı Noktası-Şase (her Dİyod-3-seviye) li)

0.098 0.176 0.176

K/W

Çubuk thCH

Şase-Sink (her IGBT-in verter) Şase-Sink (her Dİyod-i değiştirici) Şase-Sink (her Dİyod-3- seviye) Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

0.033 0.059 0.059 0.009

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M5 vida

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Ağırlık nın Modül

350

g

Çizelge

Eşdeğer Devre Şeması

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

İlgili Ürün

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz sizin danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000