Tüm Kategoriler
Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

IGBT Modülü 1200V

IGBT Modülü 1200V

Ana Sayfa /  Ürünler /  IGBT modülü /  IGBT Modülü 1200V

GD450HFX120C2SA,IGBT Modülü,STARPOWER

IGBT Modülü,1200V 450A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD450HFX120C2SA
  • Giriş
  • Çizelge
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü ,üretildi STARPOWER . 1200V 450A.

Özellikler

  • Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
  • 10μs kısa devre kapasitesi
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • En yüksek bağlantı sıcaklığı 175oC
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak

Tipik Uygulamalar

  • Motorlu tahrik için inverter
  • AC ve DC servo sürücü amplifikatörü
  • Kesintisiz güç kaynağı

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T F =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

B C

Toplayıcı Akımı @ T C =25o C @ T C =100o C

704

450

Bir

B CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

900

Bir

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T vj =175o C

2307

G

Diyot

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1200

V

B F

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

450

Bir

B Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

900

Bir

Modül

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

T vjmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

o C

T vjop

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

o C

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada

2500

V

IGBT Özellikler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

B C =450A,V GE =15V, T vj =25o C

1.70

2.15

V

B C =450A,V GE =15V, T vj =125o C

1.95

B C =450A,V GE =15V, T vj =150o C

2.00

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

B C =18.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

B CES

Toplayıcı Kesilir -OFF Mevcut

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

B GES

Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci - Ne?

0.7

ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

46.6

nF

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

1.31

nF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =-15…+15V

3.50

μC

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =450A, Çubuk G =1.5Ω,V GE =±15V, LS =45nH ,T vj =25o C

284

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

78

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

388

ns

t f

Sonbahar zamanı

200

ns

E üzerinde

Anahtarlama Kayıp

45.0

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

33.4

mJ

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =450A, Çubuk G =1.5Ω,V GE =±15V, LS =45nH ,T vj =125o C

288

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

86

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

456

ns

t f

Sonbahar zamanı

305

ns

E üzerinde

Anahtarlama Kayıp

60.1

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

48.4

mJ

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =450A, Çubuk G =1.5Ω,V GE =±15V, LS =45nH ,T vj =150o C

291

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

88

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

472

ns

t f

Sonbahar zamanı

381

ns

E üzerinde

Anahtarlama Kayıp

63.5

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

52.1

mJ

B SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

1800

Bir

Diyot Özellikler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

B F =450A,V GE =0V,T vj =25o C

1.90

2.35

V

B F =450A,V GE =0V,T vj =125o C

2.00

B F =450A,V GE =0V,T vj =150o C

2.05

Q çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =450A,

-di/dt=4500A/μs,V GE =-15V, LS =45nH ,T vj =25o C

39.4

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

296

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

11.8

mJ

Q çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =450A,

-di/dt=4100A/μs,V GE =-15V, LS =45nH ,T vj =125o C

58.6

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

309

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

17.7

mJ

Q çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =450A,

-di/dt=4000A/μs,V GE =-15V, LS =45nH ,T vj =150o C

83.6

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

330

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

20.3

mJ

Modül Özellikler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

L CE

Savrulan endüktansa

20

nH

Çubuk CC+EE

Modül Bağlantı Direnci, Terminalden Çipe

0.35

Çubuk - Yürü

Kavşak -karşı -Vaka (perIGBT ) Çapraz-Kase (D başına) (iod)

0.065 0.119

K/W

Çubuk thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kasa-Soğutucu (pe r Diyot) Kasa-Soğutucu (per M odül)

0.031 0.057 0.010

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M6 Çivit

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Ağırlık nın Modül

300

g

Çizelge

image(c3756b8d25).png

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

İlgili Ürün

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Uzman satış ekibimiz danışmanlık için sabırsızca bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000