GD200HFF120C2S,IGBT Modülü,STARPOWER

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

B C

Toplayıcı Akımı @ T C =25o C

@ T C =85o C

294

200

Bir

B CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

400

Bir

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T =175o C

1056

G

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

1200

V

B F

Diyot Sürekli İleri Kur kira

200

Bir

B Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

400

Bir

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

T jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

o C

T yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

o C

T STG

Depolama Sıcaklığı Menzil

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

B C =200A,V GE =15V, T j =25o C

1.90

2.35

V

B C =200A,V GE =15V, T j = 125o C

2.40

B C =200A,V GE =15V, T j =150o C

2.55

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

B C =5.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

B CES

Toplayıcı Kesilir -OFF

Mevcut

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

B GES

Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

100

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci - Ne?

3.75

ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

20.7

nF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

0.58

nF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =- 15...+15V

1.55

μC

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =200A, Çubuk G =0.75Ω,V GE =±15V, T j =25o C

374

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

50

ns

t d (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

326

ns

t f

Sonbahar zamanı

204

ns

E üzerinde

Aç Anahtarlama

Kayıp

13.8

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

10.4

mJ

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =200A, Çubuk G =0.75Ω,V GE =±15V, T j = 125o C

419

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

63

ns

t d (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

383

ns

t f

Sonbahar zamanı

218

ns

E üzerinde

Aç Anahtarlama

Kayıp

20.8

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

11.9

mJ

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =200A, Çubuk G =0.75Ω,V GE =±15V, T j = 150o C

419

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

65

ns

t d (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

388

ns

t f

Sonbahar zamanı

222

ns

E üzerinde

Aç Anahtarlama

Kayıp

22.9

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

11.9

mJ

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye

Voltaj

B F =200A,V GE =0V,T j =25o C

1.90

2.35

V

B F =200A,V GE =0V,T j = 125o C

1.90

B F =200A,V GE =0V,T j = 150o C

1.90

Q çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

10.2

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

90

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

3.40

mJ

Q çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

26.2

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

132

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

9.75

mJ

Q çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

30.4

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

142

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

11.3

mJ

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

L CE

Savrulan endüktansa

15

nH

Çubuk CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

0.25

mΩ

Çubuk - Yürü

İlişki (İGB başına) T)

Çapraz-Kase (D başına) (iod)

0.142

0.202

K/W

Çubuk thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT)

Kürsüden ısı fıskiyesine (p) diyot)

Kasa-Soğutucu (per M odül)

0.034

0.048

0.010

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M6 Çivit

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Ağırlık nın Modül

300

g