Kısa tanıtım 
IGBT modülü , STARPOWER tarafından üretilmiştir. 1200V 400A. 
Özellikler 
- NPT IGBT teknolojisi 
- 10μs kısa devre kapasitesi 
- Düşük değişim kayıpları 
- Sert ultrahızlı performans 
- Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat) 
- Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD 
- İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak 
Tipik  Uygulamalar 
- Aktarma modu güç kaynağı 
- Indüktif ısıtma 
- Elektronik kaynak 
Mutlak  Maksimum  Değerlendirmeler  T   C   =25 o   C    tabii ki  aksi takdirde  not edildi 
IGBT 
 
| Sembolik  | Açıklama  | Değer  | Birim  | 
| V CES  | Toplayıcı-Sütücü Voltajı  | 1200 | V  | 
| V GES  | Kapı-Emitör Voltajı  | ±20  | V  | 
| Ben   C    | Toplayıcı Akımı @ T C   =25 o   C    @ T C   =60 o   C    | 505 400 | A  | 
| Ben   CM  | Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms  | 800 | A  | 
| P D  | Maksimum güç Dağılımı @ T j =150 o   C    | 2358 | W  | 
Diyot 
 
| Sembolik  | Açıklama  | Değer  | Birim  | 
| V RRM  | Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı  | 1200 | V  | 
| Ben   F  | Diyot Sürekli İleri Kur kira  | 400 | A  | 
| Ben   Fm  | Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms  | 800 | A  | 
Modül 
 
| Sembolik  | Açıklama  | Değer  | Birim  | 
| T   jmax  | En yüksek kavşak sıcaklığı  | 150 | o   C    | 
| T   yapma  | Hareket noktası sıcaklığı  | -40'tan +125'e kadar  | o   C    | 
| T   STG  | Depolama Sıcaklığı   Menzil  | -40'tan +125'e kadar  | o   C    | 
| V ISO    | İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min  | 2500 | V  | 
IGBT  Özellikler  T   C   =25 o   C    tabii ki  aksi takdirde  not edildi 
 
| Sembolik  | Parametre  | Test koşulları  | Min.  | Tipik.  | Max.  | Birim  | 
|   V CE (sat)  | Toplayıcıdan Verene  Doymak Voltajı  | Ben   C   =400A,V GE =15V,  T   j =25 o   C    |   | 2.90 | 3.35 |   V  | 
| Ben   C   =400A,V GE =15V,  T   j =125 o   C    |   | 3.60 |   | 
| V GE (th   ) | Geçit-Bölücü Sınırı  Voltaj    | Ben   C   =4.0 mA ,V CE = V GE , T   j =25 o   C    | 5.0 | 5.8 | 6.6 | V  | 
| Ben   CES  | Toplayıcı  Kes -OFF  Akım  | V CE = V CES ,V GE =0V,  T   j =25 o   C    |   |   | 5.0 | mA  | 
| Ben   GES  | Geçit-Emitör Sızıntıları  Akım  | V GE = V GES ,V CE =0V, T   j =25 o   C    |   |   | 400 | nA  | 
| R Gint  | İç kapı direnci - Ne?  |   |   | 0.5 |   | ω    | 
| C   ies  | Girdi Kapasitesi  | V CE =25V,f=1MHz,  V GE =0V  |   | 26.2 |   | nF  | 
| C   res  | Geriye dönüştürme  Kapasite  |   | 1.68 |   | nF  | 
| Q G  | Geçit Ücreti  | V GE - Hayır.  15...+15V  |   | 4.18 |   | μC  | 
| t   d (oN ) | Açma Gecikme Zamanı  |     V CC =600V,I C   =400A,   R G =2.4Ω,  V GE =±15V,  T   j =25 o   C    |   | 337 |   | ns  | 
| t   r  | Kalkma zamanı.  |   | 88 |   | ns  | 
| t   d (oFF ) | Kapalı  Gecikme süresi  |   | 460 |   | ns  | 
| t   f  | Sonbahar zamanı  |   | 116 |   | ns  | 
| E oN  | Aç  Anahtarlama  Kayıp  |   | 21.2 |   | mJ  | 
| E oFF  | Kapatma Değiştirme  Kayıp  |   | 19.4 |   | mJ  | 
| t   d (oN ) | Açma Gecikme Zamanı  |     V CC =600V,I C   =400A,   R G =2.4Ω,  V GE =±15V,  T   j =  125o   C    |   | 359 |   | ns  | 
| t   r  | Kalkma zamanı.  |   | 90 |   | ns  | 
| t   d (oFF ) | Kapalı  Gecikme süresi  |   | 492 |   | ns  | 
| t   f  | Sonbahar zamanı  |   | 128 |   | ns  | 
| E oN  | Aç  Anahtarlama  Kayıp  |   | 29.4 |   | mJ  | 
| E oFF  | Kapatma Değiştirme  Kayıp  |   | 26.0 |   | mJ  | 
|   Ben   SC  |   SC Verileri  | t   P ≤ 10μs,V GE =15V,  T   j =125 o   C,V CC =900V,  V CEM ≤ 1200V  |   |   2400 |   |   A  | 
Diyot  Özellikler  T   C   =25 o   C    tabii ki  aksi takdirde  not edildi 
 
| Sembolik  | Parametre  | Test koşulları  | Min.  | Tipik.  | Max.  | Birim  | 
| V F  | Diyot ileriye  Voltaj    | Ben   F =400A,V GE =0V,T j =25 o   C    |   | 2.00 | 2.45 | V  | 
| Ben   F =400A,V GE =0V,T j =  125o   C    |   | 2.10 |   | 
| Q r  | Geri Alınan Ücret  | V CC =600V,I F =400A,  -di/dt=2840A/μs,V GE =±15V,  T   j =25 o   C    |   | 27.0 |   | μC  | 
| Ben   RM  | Çığ tersine  Geri kazanım akımı  |   | 280 |   | A  | 
| E - Bilmiyorum.  | Ters Çıkarma Enerji  |   | 16.6 |   | mJ  | 
| Q r  | Geri Alınan Ücret  | V CC =600V,I F =400A,  -di/dt=2840A/μs,V GE =±15V,  T   j =  125o   C    |   | 46.0 |   | μC  | 
| Ben   RM  | Çığ tersine  Geri kazanım akımı  |   | 380 |   | A  | 
| E - Bilmiyorum.  | Ters Çıkarma Enerji  |   | 30.0 |   | mJ  | 
 
 Modül  Özellikler  T   C   =25 o   C    tabii ki  aksi takdirde  not edildi 
 
| Sembolik  | Parametre  | Min.  | Tipik.  | Max.  | Birim  | 
| R - Yürü  | İlişki (İGB başına) T)  Çapraz-Kase (D başına) (iod)  |   |   | 0.053 0.103 | K/W  | 
|   R thCH  | Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT)  Kürsüden ısı fıskiyesine (p) diyot)  Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)  |   | 0.048 0.094 0.032 |   | K/W  | 
| M    | Terminal Bağlantı Döner,  M6 Çivit  Montaj Döner,  M6 Çivit  | 2.5 3.0 |   | 5.0 5.0 | N.M  | 
| G  | Ağırlık  ile ilgili  Modül  |   | 350 |   | g  |