1200V 900A
Kısa tanıtım
IGBT modülü , STARPOWER tarafından üretilmiştir. 1200V 900A.
Özellikler
Tipik Uygulamalar
Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
IGBT
Sembolik |
Açıklama |
Değer |
Birim |
V CES |
Toplayıcı-Sütücü Voltajı |
1200 |
V |
V GES |
Kapı-Emitör Voltajı |
±20 |
V |
Ben C |
Toplayıcı Akımı @ T C =25 o C @ T C = 100o C |
1410 900 |
A |
Ben CM |
Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms |
1800 |
A |
P D |
Maksimum güç Dağılımı @ T =175 o C |
5000 |
W |
Diyot
Sembolik |
Açıklama |
Değer |
Birim |
V RRM |
Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı |
1200 |
V |
Ben F |
Diyot Sürekli İleri Kur kira |
900 |
A |
Ben Fm |
Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms |
1800 |
A |
Modül
Sembolik |
Açıklama |
Değer |
Birim |
T jmax |
En yüksek kavşak sıcaklığı |
175 |
o C |
T yapma |
Hareket noktası sıcaklığı |
-40 ile +150 arasında |
o C |
T STG |
Depolama Sıcaklığı Menzil |
-40'tan +125'e kadar |
o C |
V ISO |
İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min |
4000 |
V |
IGBT Özellikler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
V CE (sat) |
Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı |
Ben C =900A,V GE =15V, T j =25 o C |
|
1.80 |
2.25 |
V |
Ben C =900A,V GE =15V, T j =125 o C |
|
2.10 |
|
|||
Ben C =900A,V GE =15V, T j =150 o C |
|
2.15 |
|
|||
V GE (th ) |
Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj |
Ben C =22.5 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
V |
Ben CES |
Toplayıcı Kes -OFF Akım |
V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C |
|
|
5.0 |
mA |
Ben GES |
Geçit-Emitör Sızıntıları Akım |
V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
İç kapı direnci - Ne? |
|
|
0.6 |
|
ω |
Q G |
Geçit Ücreti |
V GE - Hayır. 15V... +15V |
|
7.40 |
|
μC |
t d (oN ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C =900A, R Git = 1.5Ω,R Goff =0,9Ω, V GE =±15V,T j =25 o C |
|
257 |
|
ns |
t r |
Kalkma zamanı. |
|
96 |
|
ns |
|
t d (oFF ) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
628 |
|
ns |
|
t f |
Sonbahar zamanı |
|
103 |
|
ns |
|
E oN |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
43 |
|
mJ |
|
E oFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
82 |
|
mJ |
|
t d (oN ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C =900A, R Git = 1.5Ω,R Goff =0,9Ω, V GE =±15V,T j = 125o C |
|
268 |
|
ns |
t r |
Kalkma zamanı. |
|
107 |
|
ns |
|
t d (oFF ) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
659 |
|
ns |
|
t f |
Sonbahar zamanı |
|
144 |
|
ns |
|
E oN |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
59 |
|
mJ |
|
E oFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
118 |
|
mJ |
|
t d (oN ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C =900A, R Git = 1.5Ω,R Goff =0,9Ω, V GE =±15V,T j = 150o C |
|
278 |
|
ns |
t r |
Kalkma zamanı. |
|
118 |
|
ns |
|
t d (oFF ) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
680 |
|
ns |
|
t f |
Sonbahar zamanı |
|
155 |
|
ns |
|
E oN |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
64 |
|
mJ |
|
E oFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
134 |
|
mJ |
|
Ben SC |
SC Verileri |
t P ≤ 10μs,V GE =15V, T j =150 o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V |
|
3600 |
|
A |
Diyot Özellikler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
V F |
Diyot ileriye Voltaj |
Ben F =900A,V GE =0V,T j =25 o C |
|
1.71 |
2.16 |
V |
Ben F =900A,V GE =0V,T j = 125o C |
|
1.74 |
|
|||
Ben F =900A,V GE =0V,T j = 150o C |
|
1.75 |
|
|||
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V R =600V,I F =900A, -di/dt=6000A/μs,V GE - Hayır. 15V T j =25 o C |
|
76 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine Geri kazanım akımı |
|
513 |
|
A |
|
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
38.0 |
|
mJ |
|
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V R =600V,I F =900A, -di/dt=6000A/μs,V GE - Hayır. 15V T j = 125o C |
|
143 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine Geri kazanım akımı |
|
684 |
|
A |
|
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
71.3 |
|
mJ |
|
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V R =600V,I F =900A, -di/dt=6000A/μs,V GE - Hayır. 15V T j = 150o C |
|
171 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine Geri kazanım akımı |
|
713 |
|
A |
|
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
80.8 |
|
mJ |
Modül Özellikler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
L CE |
Savrulan endüktansa |
|
|
20 |
nH |
R CC+EE |
Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal |
|
0.18 |
|
mΩ |
R - Yürü |
İlişki (İGB başına) T) Çapraz-Kase (D başına) (iod) |
|
|
0.030 0.052 |
K/W |
R thCH |
Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kürsüden ısı fıskiyesine (p) diyot) Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül) |
|
0.016 0.027 0.010 |
|
K/W |
M |
Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M6 Çivit |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
N.M |
G |
Ağırlık ile ilgili Modül |
|
300 |
|
g |
Profesyonel satış ekibimiz danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.