IGBT Modülü,GD1000HTA75P6HLT Starpower

Sembolik

Açıklama

Değerler

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

750

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

B Çin

Uygulanan Kolektör Cu kiralık

1000

Bir

B C

Toplayıcı Akımı @ T F =125o C

450

Bir

B CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

2000

Bir

P D

Maksimum Güç Dağıtımı ation @ T F =75o C T vj =175o C

1282

G

Sembolik

Açıklama

Değerler

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

750

V

B FN

Uygulanan Kolektör Cu kiralık

1000

Bir

B F

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

450

Bir

B Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

2000

Bir

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

T vjmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

o C

T vjop

Çalışma Eklem Sıcaklığı sürekli

Dönem içinde 10 saniye için 30 saniye, meydana gelme ömür boyunca maksimum 3000 kez

-40 ile +150 arasında +150 ile +175

o C

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

d Sürünme

Terminal ile Soğutucu Terminal ile Terminal

9.0 9.0

mm

d Şeffaf

Terminal ile Soğutucu Terminal ile Terminal

4.5 4.5

mm

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

B C =450A,V GE =15V, T vj =25o C

1.10

1.35

V

B C =450A,V GE =15V, T vj =150o C

1.10

B C =450A,V GE =15V, T vj =175o C

1.10

B C =1000A,V GE =15V, T vj =25o C

1.40

B C =1000A,V GE =15V, T vj =175o C

1.60

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

B C =12.9mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.5

6.4

7.0

V

B CES

Toplayıcı Kesilir -OFF Mevcut

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

B GES

Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci

1.2

ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V

66.7

nF

C - Evet.

Çıkış Kapasitesi

1.50

nF

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

0.35

nF

Q G

Geçit Ücreti

V CE =400V,I C =450A, V GE =-15…+15V

4.74

μC

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =400V,I C =450A,

Çubuk Git =1.2Ω, Çubuk Goff =1.0Ω, V GE =-8V/+15V,

L S =24nH, T vj =25o C

244

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

61

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

557

ns

t f

Sonbahar zamanı

133

ns

E üzerinde

Aç Anahtarlama Kayıp

11.0

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

22.8

mJ

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =400V,I C =450A,

Çubuk Git =1.2Ω, Çubuk Goff =1.0Ω, V GE =-8V/+15V,

L S =24nH, T vj =150o C

260

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

68

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

636

ns

t f

Sonbahar zamanı

226

ns

E üzerinde

Aç Anahtarlama Kayıp

16.9

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

32.2

mJ

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =400V,I C =450A,

Çubuk Git =1.2Ω, Çubuk Goff =1.0Ω, V GE =-8V/+15V,

L S =24nH, T vj =175o C

264

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

70

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

673

ns

t f

Sonbahar zamanı

239

ns

E üzerinde

Aç Anahtarlama Kayıp

19.2

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

33.6

mJ

B SC

SC Verileri

t P ≤6μs, V GE =15V,

T vj =25o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

4900

Bir

t P ≤3μs, V GE =15V,

T vj =175o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3800

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

B F =450A,V GE =0V,T vj =25o C

1.40

1.65

V

B F =450A,V GE =0V,T vj =150o C

1.35

B F =450A,V GE =0V,T vj =175o C

1.30

B F =1000A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

B F =1000A,V GE =0V,T vj =175o C

1.80

Q çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =400V,I F =450A,

-di/dt=7809A/μs,V GE =-8V L S =24nH ,T vj =25o C

18.5

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

303

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

3.72

mJ

Q çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =400V,I F =450A,

-di/dt=6940A/μs,V GE =-8V L S =24nH ,T vj =150o C

36.1

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

376

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

8.09

mJ

Q çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =400V,I F =450A,

-di/dt=6748A/μs,V GE =-8V L S =24nH ,T vj =175o C

40.1

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

383

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

9.01

mJ

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

Çubuk 25

Rating direnci

5.0

kΩ

∆R/R

Değişim nın Çubuk 100

T C =100 o C r 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Güç

Dağılım

20.0

mW

B 25/50

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

L CE

Savrulan endüktansa

8

nH

Çubuk CC+EE

Modül Bağlantı Direnci, Terminalden Çipe

0.75

mΩ

p

Soğutma Devresinde Maksimum Basınç - Çabuk

T taban plakası <40o C

T taban plakası 40o C

(başlangıçtaki basınç)

2.5 2.0

çubuk

Çubuk thJF

Kavşak -karşı -Soğutma Sıvı (perIGBT )Birleştirme-soğutma sıvısı (D başına) (iod) △V/ △t=10.0 dm 3/min ,T F =75o C

0.068 0.105

0.078 0.120

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M5 vida Montaj Döner, M4 vida

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Ağırlık nın Modül

750

g