IGBT Modülü,GD1000HTA75P6HLT Starpower

Sembolik

AÇIKLAMA

Değerler

BİRİM

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

750

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

ICN

Uygulanan Kolektör Cu kiralık

1000

A

IC

Toplayıcı Akımı @ T F =125o C

450

A

ICm

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

2000

A

PD

Maksimum Güç Dağıtımı ation @ T F =75o C T vj =175o C

1282

G

Sembolik

AÇIKLAMA

Değerler

BİRİM

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

750

V

IFN

Uygulanan Kolektör Cu kiralık

1000

A

IF

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

450

A

IFm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

2000

A

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

T vjmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

o C

T vjop

Çalışma Eklem Sıcaklığı sürekli

Dönem içinde 10 saniye için 30 saniye, meydana gelme ömür boyunca maksimum 3000 kez

-40 ile +150 arasında +150 ile +175

o C

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 dK

2500

V

d Sürünme

Terminal ile Soğutucu Terminal ile Terminal

9.0 9.0

mm

d Şeffaf

Terminal ile Soğutucu Terminal ile Terminal

4.5 4.5

mm

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

IC=450A,V GE =15V, T vj =25o C

1.10

1.35

V

IC=450A,V GE =15V, T vj =150o C

1.10

IC=450A,V GE =15V, T vj =175o C

1.10

IC=1000A,V GE =15V, T vj =25o C

1.40

IC=1000A,V GE =15V, T vj =175o C

1.60

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

IC=12.9mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.5

6.4

7.0

V

ICES

Toplayıcı Kesilir -OFF Mevcut

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci

1.2

ω

Cies

Girdi Kapasitesi

V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V

66.7

nF

C- Evet.

Çıkış Kapasitesi

1.50

nF

Cres

Geriye dönüştürme Kapasite

0.35

nF

S G

Geçit Ücreti

V CE =400V,I C =450A, V GE =-15…+15V

4.74

μC

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =400V,I C=450A,

Çubuk Git =1.2Ω, Çubuk Goff =1.0Ω, V GE =-8V/+15V,

LS =24nH, T vj =25o C

244

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

61

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

557

ns

t f

Sonbahar zamanı

133

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama Kayıp

11.0

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

22.8

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =400V,I C=450A,

Çubuk Git =1.2Ω, Çubuk Goff =1.0Ω, V GE =-8V/+15V,

LS =24nH, T vj =150o C

260

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

68

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

636

ns

t f

Sonbahar zamanı

226

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama Kayıp

16.9

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

32.2

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =400V,I C=450A,

Çubuk Git =1.2Ω, Çubuk Goff =1.0Ω, V GE =-8V/+15V,

LS =24nH, T vj =175o C

264

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

70

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

673

ns

t f

Sonbahar zamanı

239

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama Kayıp

19.2

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

33.6

mJ

ISC

SC Verileri

t P≤6μs, V GE =15V,

T vj =25o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

4900

A

t P≤3μs, V GE =15V,

T vj =175o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3800

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

V F

Diyot ileriye Voltaj

IF =450A,V GE =0V,T vj =25o C

1.40

1.65

V

IF =450A,V GE =0V,T vj =150o C

1.35

IF =450A,V GE =0V,T vj =175o C

1.30

IF =1000A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

IF =1000A,V GE =0V,T vj =175o C

1.80

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =400V,I F =450A,

-di/dt=7809A/μs,V GE =-8V LS =24nH ,T vj =25o C

18.5

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

303

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

3.72

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =400V,I F =450A,

-di/dt=6940A/μs,V GE =-8V LS =24nH ,T vj =150o C

36.1

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

376

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

8.09

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =400V,I F =450A,

-di/dt=6748A/μs,V GE =-8V LS =24nH ,T vj =175o C

40.1

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

383

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

9.01

mJ

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

Çubuk 25

Rating direnci

5.0

kΩ

∆R/R

Değişim nın Çubuk 100

T C=100 o Cr 100= 493.3Ω

-5

5

%

P25

Güç

Dağılım

20.0

mW

B 25/50

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

LCE

Savrulan endüktansa

8

nH

Çubuk CC+EE

Modül Bağlantı Direnci, Terminalden Çipe

0.75

mΩ

p

Soğutma Devresinde Maksimum Basınç - Çabuk

T taban plakası <40o C

T taban plakası 40o C

(başlangıçtaki basınç)

2.5 2.0

çubuk

Çubuk thJF

Kavşak -ile -Soğutma Sıvı (perIGBT )Birleştirme-soğutma sıvısı (D başına) (iod) △V/ △t=10.0 dm 3/dK ,T F =75o C

0.068 0.105

0.078 0.120

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M5 vida Montaj Döner, M4 vida

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Ağırlık nın Modül

750

g