Kısa tanıtım
IGBT modülü ,üretildi STARPOWER . 1200V 800A.
Özellikler
-
L düşük VCE(sat) Trench IGBT teknolojisi
- 10μs kısa devre kapasitesi
- Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
-
Maksimum birleşim sıcaklığı 175 ℃
- Düşük endüktansa olan bir vaka
- Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
- Düşük termal direnci için Si3N4 alt tabaka
- Si3N4 AMB teknolojisi kullanılarak yalıtılmış bakır taban plaka
Tipik Uygulamalar
- Hibrit ve Elektrikli Araç
- Motorlu tahrik için inverter
- Kesintisiz güç kaynağı
Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T F =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi
IGBT
Sembolik |
Açıklama |
Değer |
Birim |
V CES |
Toplayıcı-Sütücü Voltajı |
1200 |
V |
V GES |
Kapı-Emitör Voltajı |
±20 |
V |
B C |
Toplayıcı Akımı @ T C =100o C |
800 |
Bir |
B CM |
Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms |
1600 |
Bir |
P D |
Maksimum güç Dağılımı @ T j =175o C |
5172 |
G |
Diyot
Sembolik |
Açıklama |
Değer |
Birim |
V RRM |
Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş |
1200 |
V |
B F |
Diyot Sürekli İleri Cu kiralık |
800 |
Bir |
B Fm |
Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms |
1600 |
Bir |
Modül
Sembolik |
Açıklama |
Değer |
Birim |
T jmax |
En yüksek kavşak sıcaklığı |
175 |
o C |
T yapma |
Hareket noktası sıcaklığı |
-40 ile +150 arasında |
o C |
T STG |
Depolama sıcaklık aralığı |
-40'tan +125'e kadar |
o C |
V ISO |
İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t= 1 dakikada. |
2500 |
V |
IGBT Özellikler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
|
V CE (sat)
|
Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı
|
B C =800A,V GE =15V, T j =25o C |
|
1.95 |
2.40 |
V
|
B C =800A,V GE =15V, T j =125o C |
|
2.30 |
|
B C =800A,V GE =15V, T j =150o C |
|
2.40 |
|
V GE (th) |
Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj |
B C =24.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
B CES |
Toplayıcı Kesilir -OFF Mevcut |
V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C |
|
|
1.0 |
mA |
B GES |
Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut |
V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
Çubuk Gint |
İç kapı direnci |
|
|
0.7 |
|
ω |
C ies |
Girdi Kapasitesi |
V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V |
|
62.1 |
|
nF |
C res |
Geriye dönüştürme Kapasite |
|
1.74 |
|
nF |
Q G |
Geçit Ücreti |
V GE =-15…+15V |
|
4.66 |
|
μC |
t d (üzerinde ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C =800A, Çubuk G =1.0Ω, V GE =±15V, L S =40nH ,T j =25o C
|
|
266 |
|
ns |
t çubuk |
Kalkma zamanı. |
|
98 |
|
ns |
t d (((off) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
394 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
201 |
|
ns |
E üzerinde |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
108 |
|
mJ |
E oFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
73.8 |
|
mJ |
t d (üzerinde ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C =800A, Çubuk G =1.0Ω, V GE =±15V, L S =40nH ,T j =125o C
|
|
280 |
|
ns |
t çubuk |
Kalkma zamanı. |
|
115 |
|
ns |
t d (((off) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
435 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
275 |
|
ns |
E üzerinde |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
153 |
|
mJ |
E oFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
91.3 |
|
mJ |
t d (üzerinde ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C =800A, Çubuk G =1.0Ω, V GE =±15V, L S =40nH ,T j =150o C
|
|
282 |
|
ns |
t çubuk |
Kalkma zamanı. |
|
117 |
|
ns |
t d (((off) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
446 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
290 |
|
ns |
E üzerinde |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
165 |
|
mJ |
E oFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
94.4 |
|
mJ |
|
B SC
|
SC Verileri
|
t P ≤ 10μs, V GE =15V,
T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V
|
|
2400
|
|
Bir
|
Diyot Özellikler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
|
V F
|
Diyot ileriye Voltaj |
B F =800A,V GE =0V,T j =25o C |
|
2.00 |
2.45 |
V
|
B F =800A,V GE =0V,T j =125o C |
|
2.15 |
|
B F =800A,V GE =0V,T j =150o C |
|
2.20 |
|
Q çubuk |
Geri Alınan Ücret |
V CC =600V,I F =800A,
-di/dt=5800A/μs,V GE =-15V, L S =40nH ,T j =25o C
|
|
48.1 |
|
μC |
B RM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
264 |
|
Bir |
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
18.0 |
|
mJ |
Q çubuk |
Geri Alınan Ücret |
V CC =600V,I F =800A,
-di/dt=4800A/μs,V GE =-15V, L S =40nH ,T j =125o C
|
|
95.3 |
|
μC |
B RM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
291 |
|
Bir |
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
35.3 |
|
mJ |
Q çubuk |
Geri Alınan Ücret |
V CC =600V,I F =800A,
-di⁄dt=4550A⁄μs,V GE =-15V, L S =40nH ,T j =150o C
|
|
107 |
|
μC |
B RM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
293 |
|
Bir |
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
38.5 |
|
mJ |
NTC Özellikler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
Çubuk 25 |
Rating direnci |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Değişim nın Çubuk 100 |
T C =100 o C r 100= 493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Güç
Dağılım
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B değeri |
Çubuk 2=R 25exp [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B değeri |
Çubuk 2=R 25exp [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B değeri |
Çubuk 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
K |
Modül Özellikler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
Çubuk - Yürü |
Kavşak -karşı -Vaka (perIGBT ) Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış) |
|
|
0.029 0.050 |
K/W |
|
Çubuk thCH
|
Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kasa-Soğutucu (pe r Diyot) Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül) |
|
0.028 0.049 0.009 |
|
K/W |
M |
Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M5 vida |
3.0 3.0 |
|
6.0 6.0 |
N.M |
G |
Ağırlık nın Modül |
|
350 |
|
g |
EN
