Kısa tanıtım
IGBT modülü ,üretildi STARPOWER . 1200V 800A.
Özellikler
Tipik Uygulamalar
Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T F =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
IGBT
Sembolik |
Açıklama |
Değer |
Birim |
V CES |
Toplayıcı-Sütücü Voltajı |
1200 |
V |
V GES |
Kapı-Emitör Voltajı |
±20 |
V |
Ben C |
Toplayıcı Akımı @ T C =100 o C |
800 |
A |
Ben CM |
Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms |
1600 |
A |
P D |
Maksimum güç Dağılımı @ T j =175 o C |
5172 |
W |
Diyot
Sembolik |
Açıklama |
Değer |
Birim |
V RRM |
Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş |
1200 |
V |
Ben F |
Diyot Sürekli İleri Cu kiralık |
800 |
A |
Ben Fm |
Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms |
1600 |
A |
Modül
Sembolik |
Açıklama |
Değer |
Birim |
T jmax |
En yüksek kavşak sıcaklığı |
175 |
o C |
T yapma |
Hareket noktası sıcaklığı |
-40 ile +150 arasında |
o C |
T STG |
Depolama sıcaklık aralığı |
-40'tan +125'e kadar |
o C |
V ISO |
İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t= 1 dakikada. |
2500 |
V |
IGBT Özellikler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
V CE (sat) |
Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı |
Ben C =800A,V GE =15V, T j =25 o C |
|
1.95 |
2.40 |
V |
Ben C =800A,V GE =15V, T j =125 o C |
|
2.30 |
|
|||
Ben C =800A,V GE =15V, T j =150 o C |
|
2.40 |
|
|||
V GE (th ) |
Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj |
Ben C =24.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
Ben CES |
Toplayıcı Kes -OFF Akım |
V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C |
|
|
1.0 |
mA |
Ben GES |
Geçit-Emitör Sızıntıları Akım |
V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
İç kapı direnci |
|
|
0.7 |
|
ω |
C ies |
Girdi Kapasitesi |
V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V |
|
62.1 |
|
nF |
C res |
Geriye dönüştürme Kapasite |
|
1.74 |
|
nF |
|
Q G |
Geçit Ücreti |
V GE =-15…+15V |
|
4.66 |
|
μC |
t d (oN ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C =800A, R G =1.0Ω, V GE =±15V, L S =40 nH ,T j =25 o C |
|
266 |
|
ns |
t r |
Kalkma zamanı. |
|
98 |
|
ns |
|
t d (((off) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
394 |
|
ns |
|
t f |
Sonbahar zamanı |
|
201 |
|
ns |
|
E oN |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
108 |
|
mJ |
|
E oFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
73.8 |
|
mJ |
|
t d (oN ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C =800A, R G =1.0Ω, V GE =±15V, L S =40 nH ,T j =125 o C |
|
280 |
|
ns |
t r |
Kalkma zamanı. |
|
115 |
|
ns |
|
t d (((off) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
435 |
|
ns |
|
t f |
Sonbahar zamanı |
|
275 |
|
ns |
|
E oN |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
153 |
|
mJ |
|
E oFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
91.3 |
|
mJ |
|
t d (oN ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C =800A, R G =1.0Ω, V GE =±15V, L S =40 nH ,T j =150 o C |
|
282 |
|
ns |
t r |
Kalkma zamanı. |
|
117 |
|
ns |
|
t d (((off) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
446 |
|
ns |
|
t f |
Sonbahar zamanı |
|
290 |
|
ns |
|
E oN |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
165 |
|
mJ |
|
E oFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
94.4 |
|
mJ |
|
Ben SC |
SC Verileri |
t P ≤ 10μs, V GE =15V, T j =150 o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V |
|
2400 |
|
A |
Diyot Özellikler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
V F |
Diyot ileriye Voltaj |
Ben F =800A,V GE =0V,T j =25 o C |
|
2.00 |
2.45 |
V |
Ben F =800A,V GE =0V,T j =1 25o C |
|
2.15 |
|
|||
Ben F =800A,V GE =0V,T j =1 50o C |
|
2.20 |
|
|||
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V CC =600V,I F =800A, -di/dt=5800A/μs,V GE =-15V, L S =40 nH ,T j =25 o C |
|
48.1 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine Geri kazanım akımı |
|
264 |
|
A |
|
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
18.0 |
|
mJ |
|
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V CC =600V,I F =800A, -di/dt=4800A/μs,V GE =-15V, L S =40 nH ,T j =125 o C |
|
95.3 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine Geri kazanım akımı |
|
291 |
|
A |
|
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
35.3 |
|
mJ |
|
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V CC =600V,I F =800A, -di⁄dt=4550A⁄μs,V GE =-15V, L S =40 nH ,T j =150 o C |
|
107 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine Geri kazanım akımı |
|
293 |
|
A |
|
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
38.5 |
|
mJ |
NTC Özellikler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
R 25 |
Rating direnci |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Değişim ile ilgili R 100 |
T C =100 o C r 100= 493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Güç Dağılım |
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B değeri |
R 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B değeri |
R 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B değeri |
R 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
K |
Modül Özellikler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
R - Yürü |
Kavşak -için -DURUM (perIGBT ) Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış) |
|
|
0.029 0.050 |
K/W |
R thCH |
Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kasa-Soğutucu (pe r Diyot) Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül) |
|
0.028 0.049 0.009 |
|
K/W |
M |
Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M5 vida |
3.0 3.0 |
|
6.0 6.0 |
N.M |
G |
Ağırlık ile ilgili Modül |
|
350 |
|
g |
Profesyonel satış ekibimiz danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.