Tüm Kategoriler
Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

IGBT Modülü 1200V

IGBT Modülü 1200V

Ana Sayfa/Ürünler/IGBT modülü/IGBT Modülü 1200V

GD800HFX120C6HA,IGBT Modülü,STARPOWER

1200V 800A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD800HFX120C6HA
  • Giriş
  • Çizelge
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü ,üretildi STARPOWER .1200V 800A.

Özellikler

  • Ldüşük VCE(sat) Trench IGBT teknolojisi
  • 10μs kısa devre kapasitesi
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • Maksimum birleşim sıcaklığı 175
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • Düşük termal direnci için Si3N4 alt tabaka
  • Si3N4 AMB teknolojisi kullanılarak yalıtılmış bakır taban plaka

Tipik Uygulamalar

  • Hibrit ve Elektrikli Araç
  • Motorlu tahrik için inverter
  • Kesintisiz güç kaynağı

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T F =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

IC

Toplayıcı Akımı @ T C=100o C

800

A

ICm

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

1600

A

PD

Maksimum güç Dağılımı @ T j =175o C

5172

G

Diyot

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1200

V

IF

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

800

A

IFm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

1600

A

Modül

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

T jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

o C

T yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

o C

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t= 1 dakikada.

2500

V

IGBT Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

IC=800A,V GE =15V, T j =25o C

1.95

2.40

V

IC=800A,V GE =15V, T j =125o C

2.30

IC=800A,V GE =15V, T j =150o C

2.40

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

IC=24.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Toplayıcı Kesilir -OFF Mevcut

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci

0.7

ω

Cies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

62.1

nF

Cres

Geriye dönüştürme Kapasite

1.74

nF

S G

Geçit Ücreti

V GE =-15…+15V

4.66

μC

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=800A, Çubuk G=1.0Ω, V GE =±15V, LS =40nH ,T j =25o C

266

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

98

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

394

ns

t f

Sonbahar zamanı

201

ns

Eaçık

Anahtarlama Kayıp

108

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

73.8

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=800A, Çubuk G=1.0Ω, V GE =±15V, LS =40nH ,T j =125o C

280

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

115

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

435

ns

t f

Sonbahar zamanı

275

ns

Eaçık

Anahtarlama Kayıp

153

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

91.3

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=800A, Çubuk G=1.0Ω, V GE =±15V, LS =40nH ,T j =150o C

282

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

117

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

446

ns

t f

Sonbahar zamanı

290

ns

Eaçık

Anahtarlama Kayıp

165

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

94.4

mJ

ISC

SC Verileri

t P≤ 10μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Diyot Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

V F

Diyot ileriye Voltaj

IF =800A,V GE =0V,T j =25o C

2.00

2.45

V

IF =800A,V GE =0V,T j =125o C

2.15

IF =800A,V GE =0V,T j =150o C

2.20

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V CC =600V,I F =800A,

-di/dt=5800A/μs,V GE =-15V, LS =40nH ,T j =25o C

48.1

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

264

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

18.0

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V CC =600V,I F =800A,

-di/dt=4800A/μs,V GE =-15V, LS =40nH ,T j =125o C

95.3

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

291

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

35.3

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V CC =600V,I F =800A,

-di⁄dt=4550A⁄μs,V GE =-15V, LS =40nH ,T j =150o C

107

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

293

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

38.5

mJ

NTC Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

Çubuk 25

Rating direnci

5.0

∆R/R

Değişim nın Çubuk 100

T C=100 o Cr 100= 493.3Ω

-5

5

%

P25

Güç

Dağılım

20.0

mW

B 25/50

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Modül Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

Çubuk - Yürü

Kavşak -ile -Durum (perIGBT ) Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

0.029 0.050

K/W

Çubuk thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kasa-Soğutucu (pe r Diyot) Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

0.028 0.049 0.009

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M5 vida

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Ağırlık nın Modül

350

g

Çizelge

image(c537ef1333).png

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

İlgili Ürün

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz sizin danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000