Tüm Kategoriler
Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

IGBT Modülü 1200V

IGBT Modülü 1200V

Ana Sayfa/Ürünler/IGBT modülü/IGBT Modülü 1200V

GD800HFA120C6SD,IGBT Modülü,STARPOWER

1200V 800A Paket:C6.1

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD800HFA120C6SD
  • Giriş
  • Çizelge
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü , STARPOWER tarafından üretilmiştir. 1200V 800A.

Özellikler

  • Düşük VCE(sat) Kanal IGBT T teknolojisi
  • Kısa devre yeteneği
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • Maksimum çapraz sıcaklık 175o C
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak ters geri kazanım paralel karşıt FWD
  • İzole bakır taban plakası dBC teknolojisi kullanılarak

Tipik Uygulamalar

  • Hibrit ve Elektrikli Araç
  • Motorlu tahrik için inverter
  • Kesintisiz güç kaynağı

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

AÇIKLAMA

Değerler

BİRİM

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

IC

Toplayıcı Akımı @ T C=100o C

800

A

ICm

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

1600

A

PD

Maksimum güç Dağılımı @ T vj =175o C

4687

G

Diyot

Sembolik

AÇIKLAMA

Değerler

BİRİM

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1200

V

IF

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

900

A

IFm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

1800

A

IFSM

Akım ileri dalgalanma t p =10ms @ T vj =125o C @ T vj =175o C

2392

2448

A

I2t

I2t- değer ,t p =10ms @ T vj =125o C@ T vj =175o C

28608

29964

A2s

Modül

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

T vjmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

o C

T vjop

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

o C

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada

2500

V

IGBT Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

IC=800A,V GE =15V, T vj =25o C

1.40

1.85

V

IC=800A,V GE =15V, T vj =125o C

1.60

IC=800A,V GE =15V, T vj =175o C

1.60

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

IC=24.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.5

6.3

7.0

V

ICES

Toplayıcı Kesilir -OFF Mevcut

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci - Ne?

0.5

ω

Cies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

28.4

nF

Cres

Geriye dönüştürme Kapasite

0.15

nF

S G

Geçit Ücreti

V GE =-15…+15V

2.05

μC

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=800A, Çubuk G=0.5Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V,

T vj =25o C

168

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

78

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

428

ns

t f

Sonbahar zamanı

123

ns

Eaçık

Anahtarlama Kayıp

43.4

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

77.0

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=800A,

Çubuk G=0.5Ω, L S =40nH,

V GE =-8V/+15V,

T vj =125o C

172

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

84

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

502

ns

t f

Sonbahar zamanı

206

ns

Eaçık

Anahtarlama Kayıp

86.3

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

99.1

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=800A,

Çubuk G=0.5Ω, L S =40nH,

V GE =-8V/+15V,

T vj =175o C

174

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

90

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

531

ns

t f

Sonbahar zamanı

257

ns

Eaçık

Anahtarlama Kayıp

99.8

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

105

mJ

ISC

SC Verileri

t P≤8μs, V GE =15V,

T vj =150o C,

V CC =800V, V CEM 1200V

2600

A

t P≤6μs, V GE =15V,

T vj =175o C,

V CC =800V, V CEM 1200V

2500

A

Diyot Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V F

Diyot ileriye Voltaj

IF =900A,V GE =0V,T vj =25o C

1.60

2.00

V

IF =900A,V GE =0V,T vj =125o C

1.60

IF =900A,V GE =0V,T vj =175o C

1.50

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =800A,

-di/dt=7778A/μs,V GE =-8V, LS =40nH ,T vj =25o C

47.7

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

400

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

13.6

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =800A,

-di/dt=7017A/μs,V GE =-8V, LS =40nH ,T vj =125o C

82.7

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

401

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

26.5

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =800A,

-di/dt=6380A/μs,V GE =-8V, LS =40nH ,T vj =175o C

110

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

413

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

34.8

mJ

NTC Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

Çubuk 25

Rating direnci

5.0

∆R/R

Değişim nın Çubuk 100

T C=100 o Cr 100= 493.3Ω

-5

5

%

P25

Güç

Dağılım

20.0

mW

B 25/50

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Modül Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

LCE

Savrulan endüktansa

20

nH

Çubuk CC+EE

Modül Bağlantı Direnci, Terminalden Çipe

0.80

Çubuk - Yürü

Kavşak -ile -Durum (perIGBT ) Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

0.032

0.049

K/W

Çubuk thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kasa-Soğutucu (pe r Diyot) Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

0.030

0.046

0.009

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M5 vida

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Ağırlık nın Modül

350

g

Çizelge

image(c537ef1333).png

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

İlgili Ürün

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz sizin danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000