1200V 800A Paket:C6.1
Kısa tanıtım
IGBT modülü , STARPOWER tarafından üretilmiştir. 1200V 800A.
Özellikler
Tipik Uygulamalar
Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
IGBT
Sembolik |
Açıklama |
Değerler |
Birim |
V CES |
Toplayıcı-Sütücü Voltajı |
1200 |
V |
V GES |
Kapı-Emitör Voltajı |
±20 |
V |
Ben C |
Toplayıcı Akımı @ T C =100 o C |
800 |
A |
Ben CM |
Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms |
1600 |
A |
P D |
Maksimum güç Dağılımı @ T vj =175 o C |
4687 |
W |
Diyot
Sembolik |
Açıklama |
Değerler |
Birim |
V RRM |
Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş |
1200 |
V |
Ben F |
Diyot Sürekli İleri Cu kiralık |
900 |
A |
Ben Fm |
Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms |
1800 |
A |
Ben FSM |
Akım ileri dalgalanma t p =10ms @ T vj =12 5o C @ T vj =175 o C |
2392 2448 |
A |
Ben 2t |
Ben 2t- değer ,t p =10 bayan @ T vj =125 o C @ T vj =175 o C |
28608 29964 |
A 2s |
Modül
Sembolik |
Açıklama |
Değer |
Birim |
T vjmax |
En yüksek kavşak sıcaklığı |
175 |
o C |
T vjop |
Hareket noktası sıcaklığı |
-40 ile +150 arasında |
o C |
T STG |
Depolama sıcaklık aralığı |
-40'tan +125'e kadar |
o C |
V ISO |
İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada |
2500 |
V |
IGBT Özellikler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
V CE (sat) |
Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı |
Ben C =800A,V GE =15V, T vj =25 o C |
|
1.40 |
1.85 |
V |
Ben C =800A,V GE =15V, T vj =125 o C |
|
1.60 |
|
|||
Ben C =800A,V GE =15V, T vj =175 o C |
|
1.60 |
|
|||
V GE (th ) |
Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj |
Ben C =24.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C |
5.5 |
6.3 |
7.0 |
V |
Ben CES |
Toplayıcı Kes -OFF Akım |
V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C |
|
|
1.0 |
mA |
Ben GES |
Geçit-Emitör Sızıntıları Akım |
V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
İç kapı direnci - Ne? |
|
|
0.5 |
|
ω |
C ies |
Girdi Kapasitesi |
V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V |
|
28.4 |
|
nF |
C res |
Geriye dönüştürme Kapasite |
|
0.15 |
|
nF |
|
Q G |
Geçit Ücreti |
V GE =-15…+15V |
|
2.05 |
|
μC |
t d (oN ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C =800A, R G =0.5Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V, T vj =25 o C |
|
168 |
|
ns |
t r |
Kalkma zamanı. |
|
78 |
|
ns |
|
t d (((off) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
428 |
|
ns |
|
t f |
Sonbahar zamanı |
|
123 |
|
ns |
|
E oN |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
43.4 |
|
mJ |
|
E oFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
77.0 |
|
mJ |
|
t d (oN ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C =800A, R G =0.5Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V, T vj =125 o C |
|
172 |
|
ns |
t r |
Kalkma zamanı. |
|
84 |
|
ns |
|
t d (((off) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
502 |
|
ns |
|
t f |
Sonbahar zamanı |
|
206 |
|
ns |
|
E oN |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
86.3 |
|
mJ |
|
E oFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
99.1 |
|
mJ |
|
t d (oN ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C =800A, R G =0.5Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V, T vj =175 o C |
|
174 |
|
ns |
t r |
Kalkma zamanı. |
|
90 |
|
ns |
|
t d (((off) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
531 |
|
ns |
|
t f |
Sonbahar zamanı |
|
257 |
|
ns |
|
E oN |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
99.8 |
|
mJ |
|
E oFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
105 |
|
mJ |
|
Ben SC |
SC Verileri |
t P ≤8μs, V GE =15V, T vj =150 o C, V CC =800V, V CEM ≤ 1200V |
|
2600 |
|
A |
t P ≤6μs, V GE =15V, T vj =175 o C, V CC =800V, V CEM ≤ 1200V |
|
2500 |
|
A |
Diyot Özellikler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birimler |
V F |
Diyot ileriye Voltaj |
Ben F =900A,V GE =0V,T vj =2 5o C |
|
1.60 |
2.00 |
V |
Ben F =900A,V GE =0V,T vj =125 o C |
|
1.60 |
|
|||
Ben F =900A,V GE =0V,T vj =175 o C |
|
1.50 |
|
|||
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V R =600V,I F =800A, -di/dt=7778A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,T vj =25 o C |
|
47.7 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine Geri kazanım akımı |
|
400 |
|
A |
|
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
13.6 |
|
mJ |
|
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V R =600V,I F =800A, -di/dt=7017A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,T vj =125 o C |
|
82.7 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine Geri kazanım akımı |
|
401 |
|
A |
|
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
26.5 |
|
mJ |
|
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V R =600V,I F =800A, -di/dt=6380A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,T vj =175 o C |
|
110 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine Geri kazanım akımı |
|
413 |
|
A |
|
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
34.8 |
|
mJ |
NTC Özellikler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
R 25 |
Rating direnci |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Değişim ile ilgili R 100 |
T C =100 o C r 100= 493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Güç Dağılım |
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B değeri |
R 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B değeri |
R 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B değeri |
R 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
K |
Modül Özellikler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
L CE |
Savrulan endüktansa |
|
20 |
|
nH |
R CC+EE |
Modül Bağlantı Direnci, Terminalden Çipe |
|
0.80 |
|
mΩ |
R - Yürü |
Kavşak -için -DURUM (perIGBT ) Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış) |
|
|
0.032 0.049 |
K/W |
R thCH |
Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kasa-Soğutucu (pe r Diyot) Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül) |
|
0.030 0.046 0.009 |
|
K/W |
M |
Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M5 vida |
3.0 3.0 |
|
6.0 6.0 |
N.M |
G |
Ağırlık ile ilgili Modül |
|
350 |
|
g |
Profesyonel satış ekibimiz danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.