Tüm Kategoriler
Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

IGBT Modülü 1200V

IGBT Modülü 1200V

Ana Sayfa/Ürünler/IGBT modülü/IGBT Modülü 1200V

GD800HFA120C2S_B20 ,IGBT Modülü,STARPOWER

1200V 600A, Paket:C2

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD800HFA120C2S_B20
  • Giriş
  • Çizelge
  • Eşdeğer Devre Şeması
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü ,üretildi STARPOWER .1200V 800A.

Özellikler

  • Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • En yüksek bağlantı sıcaklığı 175oC
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak

Tipik Uygulamalar

  • Motorlu tahrik için inverter
  • AC ve DC servo sürücü amplifikatörü
  • Kesintisiz güç kaynağı

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T F =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

Geçici kapı-vericiler voltajı

±20 ±30

V

IC

Toplayıcı Akımı @ T C=25o C@ T C=95o C

1280

800

A

ICm

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

1600

A

PD

Maksimum güç Dağılımı @ T vj =175o C

3191

G

Diyot

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1200

V

IF

Diode Sürekli İleri Akım ent

800

A

IFm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

1600

A

Modül

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

T vjmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

o C

T vjop

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +175

o C

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada

4000

V

IGBT Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

IC=800A,V GE =15V, T vj =25o C

1.30

1.75

V

IC=800A,V GE =15V, T vj =125o C

1.45

IC=800A,V GE =15V, T vj =150o C

1.50

IC=800A,V GE =15V, T vj =175o C

1.55

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

IC=32.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.5

6.1

7.0

V

ICES

Toplayıcı Kesilir -OFF Mevcut

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci

0.38

ω

Cies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

156

nF

Cres

Geriye dönüştürme Kapasite

1.10

nF

S G

Geçit Ücreti

V GE =-8…+15V

10.3

μC

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=800A, Çubuk G=1.2Ω,

V GE =-8V/+15V, T vj =25o C

338

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

174

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

1020

ns

t f

Sonbahar zamanı

100

ns

Eaçık

Anahtarlama Kayıp

65.2

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

88.8

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=800A, Çubuk G=1.2Ω,

V GE =-8V/+15V, T vj =125o C

398

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

203

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

1140

ns

t f

Sonbahar zamanı

183

ns

Eaçık

Anahtarlama Kayıp

96.6

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

109

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=800A, Çubuk G=1.2Ω,

V GE =-8V/+15V, T vj =150o C

413

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

213

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

1140

ns

t f

Sonbahar zamanı

195

ns

Eaçık

Anahtarlama Kayıp

105

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

113

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=800A, Çubuk G=1.2Ω,

V GE =-8V/+15V, T vj =175o C

419

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

223

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

1142

ns

t f

Sonbahar zamanı

205

ns

Eaçık

Anahtarlama Kayıp

110

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

115

mJ

ISC

SC Verileri

t P≤8μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

3300

A

ISC

SC Verileri

t P≤6μs, V GE =15V,

T vj =175o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

3000

A

Diyot Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

V F

Diyot ileriye Voltaj

IF =800A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =800A,V GE =0V,T vj =125o C

1.85

IF =800A,V GE =0V,T vj =150o C

1.85

IF =800A,V GE =0V,T vj =175o C

1.85

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =800A,

-di/dt=5510A/μs,V GE =-8V, T vj =25o C

28.6

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

311

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

13.9

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =800A,

-di/dt=4990A/μs,V GE =-8V, T vj =125o C

56.8

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

378

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

23.7

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =800A,

-di/dt=4860A/μs,V GE =-8V, T vj =150o C

66.3

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

395

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

26.7

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =800A,

-di/dt=4790A/μs,V GE =-8V, T vj =175o C

72.1

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

403

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

28.6

mJ

Modül Özellikler T C=25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

LCE

Savrulan endüktansa

20

nH

Çubuk CC+EE

Modül Bağlantı Direnci, Terminalden Çipe

0.42

Çubuk - Yürü

Kavşak -ile -Durum (perIGBT ) Çapraz-Kase (D başına) (iod)

0.047 0.083

K/W

Çubuk thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kasa-Soğutucu (pe r Diyot) Kasa-Soğutucu (per M odül)

0.031 0.055 0.010

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M6 Çivit

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Ağırlık nın Modül

320

g

Çizelge

Eşdeğer Devre Şeması

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

İlgili Ürün

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz sizin danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000