GD275MJS120L6S,IGBT Modülü,STARPOWER

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

ICN

Uygulanan Toplayıcı C akım

275

A

IC

Toplayıcı Akımı @ T C=100o C

110

A

ICm

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

450

A

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1200

V

IFN

Uygulanan İleri Akım ent

275

A

IF

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

300

A

IFm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

450

A

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1200

V

IFN

Uygulanan İleri Akım ent

275

A

IF

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

225

A

IFm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

450

A

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1200

V

IFN

Uygulanan İleri Akım ent

275

A

IF

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

300

A

IFm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

450

A

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

T jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

o C

T yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

o C

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada

3200

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

IC=225A,V GE =15V, T j =25o C

2.00

2.45

V

IC=225A,V GE =15V, T j =125o C

2.70

IC=225A,V GE =15V, T j =150o C

2.90

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

IC=9.00mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Toplayıcı Kesilir -OFF Mevcut

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci

1.7

ω

Cies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

38.1

nF

Cres

Geriye dönüştürme Kapasite

0.66

nF

S G

Geçit Ücreti

V GE =-15…+15V

2.52

μC

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=225A, Çubuk G=2Ω,V GE =-8/+15V, LS =36nH ,T j =25o C

154

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

45

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

340

ns

t f

Sonbahar zamanı

76

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama Kayıp

13.4

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

8.08

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=225A, Çubuk G=2Ω,V GE =-8/+15V, LS =36nH ,T j =125o C

160

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

49

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

388

ns

t f

Sonbahar zamanı

112

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama Kayıp

17.6

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

11.2

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=225A, Çubuk G=2Ω,V GE =-8/+15V, LS =36nH ,T j =150o C

163

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

51

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

397

ns

t f

Sonbahar zamanı

114

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama Kayıp

18.7

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

12.0

mJ

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

V F

Diyot ileriye Voltaj

IF =300A,V GE =0V,T j =25o C

1.60

2.05

V

IF =300A,V GE =0V,T j =125o C

1.60

IF =300A,V GE =0V,T j =150o C

1.60

S çubuk

Geri kazanılmış Şarj

V Çubuk =600V,I F =225A,

-di/dt=5350A/μs,V GE =-8V LS =36nH ,T j =25o C

20.1

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

250

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

6.84

mJ

S çubuk

Geri kazanılmış Şarj

V Çubuk =600V,I F =225A,

-di/dt=5080A/μs,V GE =-8V LS =36nH ,T j =125o C

32.5

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

277

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

11.5

mJ

S çubuk

Geri kazanılmış Şarj

V Çubuk =600V,I F =225A,

-di/dt=4930A/μs,V GE =-8V LS =36nH ,T j =150o C

39.0

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

288

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

14.0

mJ

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

V F

Diyot ileriye Voltaj

IF =225A,V GE =0V,T j =25o C

1.60

2.05

V

IF =225A,V GE =0V,T j =125o C

1.60

IF =225A,V GE =0V,T j =150o C

1.60

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

V F

Diyot ileriye Voltaj

IF =300A,V GE =0V,T j =25o C

1.60

2.05

V

IF =300A,V GE =0V,T j =125o C

1.60

IF =300A,V GE =0V,T j =150o C

1.60

S çubuk

Geri kazanılmış Şarj

V Çubuk =600V,I F =225A,

-di/dt=5050A/μs,V GE =-8V LS =30nH ,T j =25o C

18.6

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

189

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

5.62

mJ

S çubuk

Geri kazanılmış Şarj

V Çubuk =600V,I F =225A,

-di/dt=4720A/μs,V GE =-8V LS =30nH ,T j =125o C

34.1

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

250

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

11.4

mJ

S çubuk

Geri kazanılmış Şarj

V Çubuk =600V,I F =225A,

-di/dt=4720A/μs,V GE =-8V LS =30nH ,T j =150o C

38.9

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

265

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

13.2

mJ

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

Çubuk 25

Rating direnci

5.0

kΩ

∆R/R

Değişim nın Çubuk 100

T C=100o Cr 100= 493.3Ω

-5

5

%

P25

Güç Dissipasyonu

20.0

mW

B 25/50

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/501/T 2-1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/801/T 2-1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

LCE

Savrulan endüktansa

15

nH

Çubuk - Yürü

Birleşim-Kabuk (her T1 -T4 IGBT) Birleşim-Kabuk (her D1/D4 D (iod) Birleşim-Kabuk (her D2/D3 D (iod) Birleşim-Kabuk (her D5/D6 D (iod)

0.070 0.122 0.156 0.122

K/W

Çubuk thCH

Kabuk-Işıl Tabanca (her T 1-T4 IGBT) Kabuk-Işıl Tabanca (her D1/D4 Diyot) Kabuk-Işıl Tabanca (her D2/D3 Diyot) Kabuk-Işıl Tabanca (her D5/D6 Diyot)

0.043 0.053 0.069 0.053

K/W

M

Montaj Döner, Vuruş: M5

3.0

5.0

N.M

G

Ağırlık nın Modül

250

g