GD275MJS120L6S,IGBT Modülü,STARPOWER

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

B Çin

Uygulanan Toplayıcı C akım

275

Bir

B C

Toplayıcı Akımı @ T C =100o C

110

Bir

B CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

450

Bir

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1200

V

B FN

Uygulanan İleri Akım ent

275

Bir

B F

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

300

Bir

B Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

450

Bir

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1200

V

B FN

Uygulanan İleri Akım ent

275

Bir

B F

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

225

Bir

B Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

450

Bir

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1200

V

B FN

Uygulanan İleri Akım ent

275

Bir

B F

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

300

Bir

B Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

450

Bir

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

T jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

o C

T yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

o C

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada

3200

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

B C =225A,V GE =15V, T j =25o C

2.00

2.45

V

B C =225A,V GE =15V, T j =125o C

2.70

B C =225A,V GE =15V, T j =150o C

2.90

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

B C =9.00mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

B CES

Toplayıcı Kesilir -OFF Mevcut

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

B GES

Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci

1.7

ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

38.1

nF

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

0.66

nF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =-15…+15V

2.52

μC

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =225A, Çubuk G =2Ω,V GE =-8/+15V, L S =36nH ,T j =25o C

154

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

45

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

340

ns

t f

Sonbahar zamanı

76

ns

E üzerinde

Aç Anahtarlama Kayıp

13.4

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

8.08

mJ

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =225A, Çubuk G =2Ω,V GE =-8/+15V, L S =36nH ,T j =125o C

160

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

49

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

388

ns

t f

Sonbahar zamanı

112

ns

E üzerinde

Aç Anahtarlama Kayıp

17.6

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

11.2

mJ

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =225A, Çubuk G =2Ω,V GE =-8/+15V, L S =36nH ,T j =150o C

163

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

51

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

397

ns

t f

Sonbahar zamanı

114

ns

E üzerinde

Aç Anahtarlama Kayıp

18.7

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

12.0

mJ

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

B F =300A,V GE =0V,T j =25o C

1.60

2.05

V

B F =300A,V GE =0V,T j =125o C

1.60

B F =300A,V GE =0V,T j =150o C

1.60

Q çubuk

Geri kazanılmış Şarj

V Çubuk =600V,I F =225A,

-di/dt=5350A/μs,V GE =-8V L S =36nH ,T j =25o C

20.1

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

250

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

6.84

mJ

Q çubuk

Geri kazanılmış Şarj

V Çubuk =600V,I F =225A,

-di/dt=5080A/μs,V GE =-8V L S =36nH ,T j =125o C

32.5

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

277

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

11.5

mJ

Q çubuk

Geri kazanılmış Şarj

V Çubuk =600V,I F =225A,

-di/dt=4930A/μs,V GE =-8V L S =36nH ,T j =150o C

39.0

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

288

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

14.0

mJ

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

B F =225A,V GE =0V,T j =25o C

1.60

2.05

V

B F =225A,V GE =0V,T j =125o C

1.60

B F =225A,V GE =0V,T j =150o C

1.60

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

B F =300A,V GE =0V,T j =25o C

1.60

2.05

V

B F =300A,V GE =0V,T j =125o C

1.60

B F =300A,V GE =0V,T j =150o C

1.60

Q çubuk

Geri kazanılmış Şarj

V Çubuk =600V,I F =225A,

-di/dt=5050A/μs,V GE =-8V L S =30nH ,T j =25o C

18.6

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

189

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

5.62

mJ

Q çubuk

Geri kazanılmış Şarj

V Çubuk =600V,I F =225A,

-di/dt=4720A/μs,V GE =-8V L S =30nH ,T j =125o C

34.1

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

250

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

11.4

mJ

Q çubuk

Geri kazanılmış Şarj

V Çubuk =600V,I F =225A,

-di/dt=4720A/μs,V GE =-8V L S =30nH ,T j =150o C

38.9

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

265

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

13.2

mJ

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

Çubuk 25

Rating direnci

5.0

kΩ

∆R/R

Değişim nın Çubuk 100

T C =100o C r 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Güç Dissipasyonu

20.0

mW

B 25/50

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

L CE

Savrulan endüktansa

15

nH

Çubuk - Yürü

Birleşim-Kabuk (her T1 -T4 IGBT) Birleşim-Kabuk (her D1/D4 D (iod) Birleşim-Kabuk (her D2/D3 D (iod) Birleşim-Kabuk (her D5/D6 D (iod)

0.070 0.122 0.156 0.122

K/W

Çubuk thCH

Kabuk-Işıl Tabanca (her T 1-T4 IGBT) Kabuk-Işıl Tabanca (her D1/D4 Diyot) Kabuk-Işıl Tabanca (her D2/D3 Diyot) Kabuk-Işıl Tabanca (her D5/D6 Diyot)

0.043 0.053 0.069 0.053

K/W

M

Montaj Döner, Vuruş: M5

3.0

5.0

N.M

G

Ağırlık nın Modül

250

g