Tüm Kategoriler
Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

IGBT Modülü 1700V

IGBT Modülü 1700V

Ana Sayfa/Ürünler/IGBT modülü/IGBT Modülü 1700V

GD225HFX170C6S,IGBT Modülü,STARPOWER

IGBT Modülü, 1700V 300A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD225HFX170C6S
  • Tanıtım
  • Çizelge
Tanıtım

Kısa tanıtım

IGBT modülü , STARPOWER tarafından üretilmiştir. 1700V 225A.

Özellikler

Düşük V CE (sat ) Çukur IGBT teknoloji

10 μs kısa devre kapasitesi i̇letişim

V CE (sat ) ile pozitif sıcaklık katsayı

Maksimum çapraz sıcaklık 175ü C

Düşük endüktans durum

Hızlı ve yumuşak ters geri kazanım paralel karşıt FWD

İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak

Tipik Uygulamalar

Motor için inverter l rIV

AC ve DC servoyu sürüş amplifikatörü

Kesintisiz güç çubuk tedarik

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T C=25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1700

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

EC

Toplayıcı Akımı @ T C=25ü C

@ T C= 100ü C

396

225

K

ECm

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p = 1ms

450

K

PY

Maksimum güç Dağılımı @ T j =175ü C

1530

E

Diyot

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

1700

V

EF

Diyot Sürekli İleri Kur kira

225

K

EFm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

450

K

Modül

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

T jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

ü C

T yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

ü C

T STG

Depolama Sıcaklığı Menzil

-40'tan +125'e kadar

ü C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 dK

4000

V

IGBT Özellikler T C=25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

EC=225A,V GE =15V, T j =25ü C

1.85

2.20

V

EC=225A,V GE =15V, T j =125ü C

2.25

EC=225A,V GE =15V, T j =150ü C

2.35

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Gerilim

EC=9.0mA ,V CE =V GE , T j =25ü C

5.6

6.2

6.8

V

ECES

Toplayıcı Kesilir -OFF

Akım

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25ü C

5.0

mA

EGES

Geçit-Emitör Sızıntıları Akım

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25ü C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci - Ne?

2.8

ω

Cies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

27.1

nF

Cres

Geriye dönüştürme

Kapasite

0.66

nF

S E

Geçit Ücreti

V GE =- 15...+15V

2.12

μC

t l (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C=225A, Çubuk Git =3.3Ω, Çubuk Goff =6.2Ω, V GE =±15V,

T j =25ü C

187

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

76

ns

t l (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

587

ns

t f

Sonbahar zamanı

350

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama

Kayıp

56.1

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

52.3

mJ

t l (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C=225A, Çubuk Git =3.3Ω, Çubuk Goff =6.2Ω, V GE =±15V,

T j = 125ü C

200

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

85

ns

t l (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

693

ns

t f

Sonbahar zamanı

662

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama

Kayıp

75.9

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

80.9

mJ

t l (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C=225A, Çubuk Git =3.3Ω, Çubuk Goff =6.2Ω, V GE =±15V,

T j = 150ü C

208

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

90

ns

t l (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

704

ns

t f

Sonbahar zamanı

744

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama

Kayıp

82.8

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

87.7

mJ

ESC

SC Verileri

t P≤ 10μs,V GE =15V,

T j =150ü C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

900

K

Diyot Özellikler T C=25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Maks.

Birimler

V F

Diyot ileriye

Gerilim

EF =225A,V GE =0V,T j =25ü C

1.80

2.25

V

EF =225A,V GE =0V,T j = 125ü C

1.90

EF =225A,V GE =0V,T j = 150ü C

1.95

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V GE =- 15V T j =25ü C

63.0

μC

ERM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

352

K

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

37.4

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V GE =- 15V T j =125ü C

107

μC

ERM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

394

K

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

71.0

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V GE =- 15V T j =150ü C

121

μC

ERM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

385

K

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

82.8

mJ

NTC Özellikler T C=25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

Çubuk 25

Rating direnci

5.0

kΩ

δR/R

Değişim nın Çubuk 100

T C= 100 ü C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P25

Güç

Dağılım

20.0

mW

B 25/50

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/501/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/801/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/1001/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Modül Özellikler T C=25ü C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

Y CE

Savrulan endüktansa

20

nH

Çubuk CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

1.10

mΩ

Çubuk - Yürü

İlişki (İGB başına) T)

Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

0.098

0.158

K/W

Çubuk thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT)

Kürsüden ısı fıskiyesine (p) diyot)

Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

0.029

0.047

0.009

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M5 vida

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

E

Ağırlık nın Modül

350

e

Çizelge

image(c537ef1333).png

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

İlgili Ürün

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz sizin danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecek.
E-posta
Ad
Şirket adı
Mesaj
0/1000