Kısa tanıtım
IGBT modülü , STARPOWER tarafından üretilmiştir. 1700V 225A.
Özellikler
Düşük V CE (sat ) Çukur IGBT tEKNOLOJİ
10 μs kısa devre kapasitesi i̇letişim
V CE (sat ) i̇le pozitif sıcaklık katsayı
Maksimum çapraz sıcaklık 175o C
Düşük endüktans vaka
Hızlı ve yumuşak ters geri kazanım paralel karşıt FWD
İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak
Tipik Uygulamalar
Motor için inverter d rIV
AC ve DC servoyu sürmek amplifikatörü
Kesintisiz güç r tedarik
Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
IGBT
Sembolik |
Açıklama |
Değer |
Birim |
V CES |
Toplayıcı-Sütücü Voltajı |
1700 |
V |
V GES |
Kapı-Emitör Voltajı |
±20 |
V |
Ben C |
Toplayıcı Akımı @ T C =25 o C
@ T C = 100o C
|
396
225
|
A |
Ben CM |
Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p = 1ms |
450 |
A |
P D |
Maksimum güç Dağılımı @ T j =175 o C |
1530 |
W |
Diyot
Sembolik |
Açıklama |
Değer |
Birim |
V RRM |
Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı |
1700 |
V |
Ben F |
Diyot Sürekli İleri Kur kira |
225 |
A |
Ben Fm |
Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms |
450 |
A |
Modül
Sembolik |
Açıklama |
Değer |
Birim |
T jmax |
En yüksek kavşak sıcaklığı |
175 |
o C |
T yapma |
Hareket noktası sıcaklığı |
-40 ile +150 arasında |
o C |
T STG |
Depolama Sıcaklığı Menzil |
-40'tan +125'e kadar |
o C |
V ISO |
İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min |
4000 |
V |
IGBT Özellikler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
|
V CE (sat)
|
Toplayıcıdan Verene
Doymak Voltajı
|
Ben C =225A,V GE =15V, T j =25 o C |
|
1.85 |
2.20 |
V
|
Ben C =225A,V GE =15V, T j =125 o C |
|
2.25 |
|
Ben C =225A,V GE =15V, T j =150 o C |
|
2.35 |
|
V GE (th ) |
Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj |
Ben C =9.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
Ben CES |
Toplayıcı Kes -OFF
Akım
|
V CE = V CES ,V GE =0V,
T j =25 o C
|
|
|
5.0 |
mA |
Ben GES |
Geçit-Emitör Sızıntıları Akım |
V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
İç kapı direnci - Ne? |
|
|
2.8 |
|
ω |
C ies |
Girdi Kapasitesi |
V CE =25V,f=1MHz,
V GE =0V
|
|
27.1 |
|
nF |
C res |
Geriye dönüştürme
Kapasite
|
|
0.66 |
|
nF |
Q G |
Geçit Ücreti |
V GE - Hayır. 15...+15V |
|
2.12 |
|
μC |
t d (oN ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =900V,I C =225A, R Git =3.3Ω, R Goff =6.2Ω, V GE =±15V,
T j =25 o C
|
|
187 |
|
ns |
t r |
Kalkma zamanı. |
|
76 |
|
ns |
t d (oFF ) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
587 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
350 |
|
ns |
E oN |
Aç Anahtarlama
Kayıp
|
|
56.1 |
|
mJ |
E oFF |
Kapatma Değiştirme
Kayıp
|
|
52.3 |
|
mJ |
t d (oN ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =900V,I C =225A, R Git =3.3Ω, R Goff =6.2Ω, V GE =±15V,
T j = 125o C
|
|
200 |
|
ns |
t r |
Kalkma zamanı. |
|
85 |
|
ns |
t d (oFF ) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
693 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
662 |
|
ns |
E oN |
Aç Anahtarlama
Kayıp
|
|
75.9 |
|
mJ |
E oFF |
Kapatma Değiştirme
Kayıp
|
|
80.9 |
|
mJ |
t d (oN ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =900V,I C =225A, R Git =3.3Ω, R Goff =6.2Ω, V GE =±15V,
T j = 150o C
|
|
208 |
|
ns |
t r |
Kalkma zamanı. |
|
90 |
|
ns |
t d (oFF ) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
704 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
744 |
|
ns |
E oN |
Aç Anahtarlama
Kayıp
|
|
82.8 |
|
mJ |
E oFF |
Kapatma Değiştirme
Kayıp
|
|
87.7 |
|
mJ |
|
Ben SC
|
SC Verileri
|
t P ≤ 10μs,V GE =15V,
T j =150 o C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V
|
|
900
|
|
A
|
Diyot Özellikler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birimler |
|
V F
|
Diyot ileriye
Voltaj
|
Ben F =225A,V GE =0V,T j =25 o C |
|
1.80 |
2.25 |
V
|
Ben F =225A,V GE =0V,T j = 125o C |
|
1.90 |
|
Ben F =225A,V GE =0V,T j = 150o C |
|
1.95 |
|
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V R =900V,I F =225A,
-di/dt=3565A/μs,V GE - Hayır. 15V T j =25 o C
|
|
63.0 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
352 |
|
A |
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
37.4 |
|
mJ |
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V R =900V,I F =225A,
-di/dt=3565A/μs,V GE - Hayır. 15V T j =125 o C
|
|
107 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
394 |
|
A |
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
71.0 |
|
mJ |
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V R =900V,I F =225A,
-di/dt=3565A/μs,V GE - Hayır. 15V T j =150 o C
|
|
121 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
385 |
|
A |
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
82.8 |
|
mJ |
NTC Özellikler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
R 25 |
Rating direnci |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
δR/R |
Değişim ile ilgili R 100 |
T C = 100 o C,R 100= 493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Güç
Dağılım
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B değeri |
R 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B değeri |
R 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B değeri |
R 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3433 |
|
K |
Modül Özellikler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
L CE |
Savrulan endüktansa |
|
20 |
|
nH |
R CC+EE |
Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal |
|
1.10 |
|
mΩ |
R - Yürü |
İlişki (İGB başına) T)
Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)
|
|
|
0.098
0.158
|
K/W |
|
R thCH
|
Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT)
Kürsüden ısı fıskiyesine (p) diyot)
Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)
|
|
0.029
0.047
0.009
|
|
K/W |
M |
Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M5 vida |
3.0
3.0
|
|
6.0
6.0
|
N.M |
G |
Ağırlık ile ilgili Modül |
|
350 |
|
g |
EN
