GD150PIY120C6SN, IGBT Modülü, STARPOWER

Sembolik

AÇIKLAMA

Değerler

BİRİM

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

IC

Toplayıcı Akımı @ T C=25o C @ T C=100o C

292

150

A

ICm

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

300

A

PD

Maksimum güç Dağılımı @ T j =175o C

1111

G

Sembolik

AÇIKLAMA

Değerler

BİRİM

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1200

V

IF

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

150

A

IFm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

300

A

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1600

V

IO

Ortalama Çıkış Akımı 5 0Hz/60Hz, sinus dalga

150

A

IFSM

Akım ileri dalgalanma t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

1600

1400

A

I2t

I2t-değeri,t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

13000

9800

A2k

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

IC

Toplayıcı Akımı @ T C=25o C @ T C=100o C

200

100

A

ICm

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

200

A

PD

Maksimum güç Dağılımı @ T j =175o C

833

G

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1200

V

IF

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

50

A

IFm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

100

A

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

T jmax

Maksimum Birleşim Sıcaklığı (inverter,fren) Maksimum Birleşim Sıcaklığı (diktleme)

175

150

o C

T yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

o C

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada

2500

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

IC=150A,V GE =15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=150A,V GE =15V, T j =125o C

1.95

IC=150A,V GE =15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Gerilim

IC=6.00mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Toplayıcı Kesilir -OFF Akım

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Geçit-Emitör Sızıntıları Akım

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci - Ne?

2.0

ω

Cies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

15.5

nF

Cres

Geriye dönüştürme Kapasite

0.44

nF

S G

Geçit Ücreti

V GE =-15 ...+15V

1.17

μC

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=150A, Çubuk G=1. 1Ω,V GE =±15V, T j =25o C

96

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

30

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

255

ns

t f

Sonbahar zamanı

269

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama Kayıp

8.59

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

12.3

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=150A, Çubuk G=1. 1Ω,V GE =±15V, T j =125o C

117

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

37

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

307

ns

t f

Sonbahar zamanı

371

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama Kayıp

13.2

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

16.8

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=150A, Çubuk G=1. 1Ω,V GE =±15V, T j =150o C

122

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

38

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

315

ns

t f

Sonbahar zamanı

425

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama Kayıp

14.8

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

18.1

mJ

ISC

SC Verileri

t P≤ 10μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

600

A

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Maks.

Birimler

V F

Diyot ileriye Gerilim

IF =150A,V GE =0V,T j =25o C

1.85

2.25

V

IF =150A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

IF =150A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =150A,

-di/dt=4750A/μs,V GE =-15V T j =25o C

8.62

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

177

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

5.68

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =150A,

-di/dt=3950A/μs,V GE =-15V T j =125o C

16.7

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

191

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

10.2

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =150A,

-di/dt=3750A/μs,V GE =-15V T j =150o C

19.4

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

196

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

12.1

mJ

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

V F

Diyot ileriye Gerilim

IC=150A, T j =150o C

1.00

V

IÇubuk

Ters akım

T j =150o C,V Çubuk =1600V

3.0

mA

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

IC=100A,V GE =15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=100A,V GE =15V, T j =125o C

1.95

IC=100A,V GE =15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Gerilim

IC=4.00mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Toplayıcı Kesilir -OFF Akım

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Geçit-Emitör Sızıntıları Akım

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci - Ne?

7.5

ω

Cies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

10.4

nF

Cres

Geriye dönüştürme Kapasite

0.29

nF

S G

Geçit Ücreti

V GE =-15 ...+15V

0.08

μC

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=100A, Çubuk G=1.6Ω,V GE =±15V, T j =25o C

170

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

32

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

360

ns

t f

Sonbahar zamanı

86

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama Kayıp

5.90

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

6.05

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=100A, Çubuk G=1.6Ω,V GE =±15V, T j =125o C

180

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

42

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

470

ns

t f

Sonbahar zamanı

165

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama Kayıp

9.10

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

9.35

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=100A, Çubuk G=1.6Ω,V GE =±15V, T j =150o C

181

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

43

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

480

ns

t f

Sonbahar zamanı

186

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama Kayıp

10.0

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

10.5

mJ

ISC

SC Verileri

t P≤ 10μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

400

A

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

V F

Diyot ileriye Gerilim

IF =50A,V GE =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

IF =50A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

IF =50A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =50A,

-di/dt=1400A/μs,V GE =-15V T j =25o C

6.3

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

62

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

1.67

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =50A,

-di/dt=1400A/μs,V GE =-15V T j =125o C

10.1

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

69

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

2.94

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =50A,

-di/dt=1400A/μs,V GE =-15V T j =150o C

11.5

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

72

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

3.63

mJ

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

Çubuk 25

Rating direnci

5.0

kΩ

∆R/R

Değişim nın Çubuk 100

T C=100 o Cr 100= 493.3Ω

-5

5

%

P25

Güç

Dağılım

20.0

mW

B 25/50

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

LCE

Savrulan endüktansa

40

nH

Çubuk CC+EE Çubuk AA ’+CC ’

Modül Kurşun Direnci nce, Terminal'den Çip'e

4.00 3.00

mΩ

Çubuk - Yürü

Kavşak -ile -Durum (perIGBT -değiştiriciler ) Birleme-Noktası ile Vucuta (her DIOD-inverter başına ter) Bağlantıdan-Kabuk (her Diyatoda-diktiç) er) Kavşak -ile -Durum (perIGBT -fren )

Bağlantıdan-Kabuk (her Diyatoda-br ake)

0.135 0.300 0.238 0.180 0.472

K/W

Çubuk thCH

Durum -ile -Isı çubuğu (perIGBT -değiştiriciler )Kabuktan-Işığına (her Diyatoda- değiştirici) Kasa-Isı Sigortası (her Diyod için) ctifier Durum -ile -Isı çubuğu (perIGBT -fren )

Kasa-Isı Sigortası (her Dio de-fren) Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

0.118 0.263 0.208 0.158 0.413 0.009

K/W

E

Montaj Döner, Vuruş: M5

3.0

6.0

N.M