Tüm Kategoriler
Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

IGBT Modülü 1200V

IGBT Modülü 1200V

Ana Sayfa /  Ürünler /  IGBT modülü /  IGBT Modülü 1200V

GD200FFY120C6S,IGBT Modülü,STARPOWER

1200V 200A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD200FFY120C6S
  • Giriş
  • Çizelge
  • Eşdeğer Devre Şeması
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü ,sTARPOWER tarafından üretilmiştir. 1200V 200A.

Özellikler

  • Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • Düşük değişim kayıpları
  • Maksimum birleşim sıcaklığı 175
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak

Tipik Uygulamalar

  • Kesintisiz güç kaynağı
  • Indüktif ısıtma
  • Kaynak makinesi

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

Açıklama

Değerler

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

B C

Toplayıcı Akımı @ T C =25o C

@ T C = 100o C

309

200

Bir

B CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

400

Bir

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T =175o C

1006

G

Diyot

Sembolik

Açıklama

Değerler

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

1200

V

B F

Diyot Sürekli İleri Kur kira

200

Bir

B Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

400

Bir

Modül

Sembolik

Açıklama

Değerler

Birim

T jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

o C

T yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

o C

T STG

Depolama Sıcaklığı Menzil

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

IGBT Özellikler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

B C =200A,V GE =15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

B C =200A,V GE =15V, T j =125o C

1.95

B C =200A,V GE =15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

B C =5.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

B CES

Toplayıcı Kesilir -OFF

Mevcut

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

B GES

Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci - Ne?

4.0

ω

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =200A, Çubuk G = 1. 1Ω,V GE =±15V, T j =25o C

150

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

32

ns

t d (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

330

ns

t f

Sonbahar zamanı

93

ns

E üzerinde

Anahtarlama

Kayıp

11.2

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

11.3

mJ

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =200A, Çubuk G = 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 125o C

161

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

37

ns

t d (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

412

ns

t f

Sonbahar zamanı

165

ns

E üzerinde

Anahtarlama

Kayıp

19.8

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

17.0

mJ

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =200A, Çubuk G = 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 150o C

161

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

43

ns

t d (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

433

ns

t f

Sonbahar zamanı

185

ns

E üzerinde

Anahtarlama

Kayıp

21.9

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

19.1

mJ

B SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs,V GE =15V,

T j =150o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

800

Bir

Diyot Özellikler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V F

Diyot ileriye

Voltaj

B F =200A,V GE =0V,T j =25o C

1.65

2.10

V

B F =200A,V GE =0V,T j = 125o C

1.65

B F =200A,V GE =0V,T j = 150o C

1.65

Q çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

17.6

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

228

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

7.7

mJ

Q çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =125o C

31.8

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

238

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

13.8

mJ

Q çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =150o C

36.6

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

247

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

15.2

mJ

NTC Özellikler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

Çubuk 25

Rating direnci

5.0

δR/R

Değişim nın Çubuk 100

T C = 100 o C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Güç

Dağılım

20.0

mW

B 25/50

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/501/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/801/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B değeri

Çubuk 2=R 25exp [B 25/1001/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Modül Özellikler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

L CE

Savrulan endüktansa

21

nH

Çubuk CC+EE

Modül uç direnci e, Terminal'den Çip'e

1.80

Çubuk - Yürü

İlişki (İGB başına) T)

Çapraz-Kase (D başına) (iod)

0.149

0.206

K/W

Çubuk thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT)

Kürsüden ısı fıskiyesine (p) diyot)

Kasa-Soğutucu (per M odül)

0.031

0.043

0.009

K/W

M

Montaj Vida:M6

3.0

6.0

N.M

G

Ağırlık nın Modül

300

g

Çizelge

Eşdeğer Devre Şeması

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

İlgili Ürün

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Uzman satış ekibimiz danışmanlık için sabırsızca bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000