GD200HFQ120C2SD,IGBT Modülü,STARPOWER

Sembolik

AÇIKLAMA

Değerler

BİRİM

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

EC

Toplayıcı Akımı @ T C=25ü C @ T C=100ü C

324

200

K

ECm

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

400

K

PY

Maksimum güç Dağılımı @ T vj =175ü C

1181

E

Sembolik

AÇIKLAMA

Değerler

BİRİM

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1200

V

EF

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

200

K

EFm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

400

K

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

T vjmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

ü C

T vjop

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

ü C

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

ü C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada

2500

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

EC=200A,V GE =15V, T vj =25ü C

1.85

2.30

V

EC=200A,V GE =15V, T vj =125ü C

2.25

EC=200A,V GE =15V, T vj =150ü C

2.35

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Gerilim

EC=8.00mA ,V CE =V GE , T vj =25ü C

5.6

6.2

6.8

V

ECES

Toplayıcı Kesilir -OFF Akım

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25ü C

1.0

mA

EGES

Geçit-Emitör Sızıntıları Akım

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25ü C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci - Ne?

3.8

ω

Cies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

21.6

nF

Cres

Geriye dönüştürme Kapasite

0.59

nF

S E

Geçit Ücreti

V GE =-15…+15V

1.68

μC

t l (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=200A, Çubuk E=4.7Ω, Y S =45nH , V GE =±15V,T vj =25ü C

100

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

72

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

303

ns

t f

Sonbahar zamanı

71

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama Kayıp

26.0

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

6.11

mJ

t l (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=200A, Çubuk E=4.7Ω, Y S =45nH , V GE =±15V,T vj =125ü C

99

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

76

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

325

ns

t f

Sonbahar zamanı

130

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama Kayıp

33.5

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

8.58

mJ

t l (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=200A, Çubuk E=4.7Ω, Y S =45nH , V GE =±15V,T vj =150ü C

98

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

80

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

345

ns

t f

Sonbahar zamanı

121

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama Kayıp

36.2

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

9.05

mJ

ESC

SC Verileri

t P≤ 10μs, V GE =15V,

T vj =150ü C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

750

K

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Maks.

Birimler

V F

Diyot ileriye Gerilim

EF =200A,V GE =0V,T vj =25ü C

1.85

2.30

V

EF =200A,V GE =0V,T vj =125ü C

1.90

EF =200A,V GE =0V,T vj =150ü C

1.95

S çubuk

Geri kazanılmış Şarj

V Çubuk =600V,I F =200A,

-di/dt=1890A/μs,V GE =-15V, Y S =45nH ,T vj =25ü C

19.4

μC

ERM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

96

K

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

5.66

mJ

S çubuk

Geri kazanılmış Şarj

V Çubuk =600V,I F =200A,

-di/dt=1680A/μs,V GE =-15V, Y S =45nH ,T vj =125ü C

29.5

μC

ERM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

106

K

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

8.56

mJ

S çubuk

Geri kazanılmış Şarj

V Çubuk =600V,I F =200A,

-di/dt=1600A/μs,V GE =-15V, Y S =45nH ,T vj =150ü C

32.2

μC

ERM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

107

K

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

9.24

mJ

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Maks.

BİRİM

Y CE

Savrulan endüktansa

20

nH

Çubuk CC+EE

Modül Bağlantı Direnci, Terminalden Çipe

0.35

mΩ

Çubuk - Yürü

Kavşak -ile -Durum (perIGBT ) Çapraz-Kase (D başına) (iod)

0.127 0.163

K/W

Çubuk thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kasa-Soğutucu (pe r Diyot) Kasa-Soğutucu (per M odül)

0.036 0.046 0.010

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M6 Çivit

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

E

Ağırlık nın Modül

300

e