GD200HFQ120C2SD,IGBT Modülü,STARPOWER

Sembolik

AÇIKLAMA

Değerler

BİRİM

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

IC

Toplayıcı Akımı @ T C=25o C @ T C=100o C

324

200

A

ICm

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

400

A

PD

Maksimum güç Dağılımı @ T vj =175o C

1181

G

Sembolik

AÇIKLAMA

Değerler

BİRİM

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1200

V

IF

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

200

A

IFm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

400

A

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

T vjmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

o C

T vjop

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

o C

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada

2500

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

IC=200A,V GE =15V, T vj =25o C

1.85

2.30

V

IC=200A,V GE =15V, T vj =125o C

2.25

IC=200A,V GE =15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

IC=8.00mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Toplayıcı Kesilir -OFF Mevcut

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci - Ne?

3.8

ω

Cies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

21.6

nF

Cres

Geriye dönüştürme Kapasite

0.59

nF

S G

Geçit Ücreti

V GE =-15…+15V

1.68

μC

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=200A, Çubuk G=4.7Ω, LS =45nH , V GE =±15V,T vj =25o C

100

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

72

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

303

ns

t f

Sonbahar zamanı

71

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama Kayıp

26.0

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

6.11

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=200A, Çubuk G=4.7Ω, LS =45nH , V GE =±15V,T vj =125o C

99

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

76

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

325

ns

t f

Sonbahar zamanı

130

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama Kayıp

33.5

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

8.58

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=200A, Çubuk G=4.7Ω, LS =45nH , V GE =±15V,T vj =150o C

98

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

80

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

345

ns

t f

Sonbahar zamanı

121

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama Kayıp

36.2

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

9.05

mJ

ISC

SC Verileri

t P≤ 10μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

750

A

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V F

Diyot ileriye Voltaj

IF =200A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =200A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF =200A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

S çubuk

Geri kazanılmış Şarj

V Çubuk =600V,I F =200A,

-di/dt=1890A/μs,V GE =-15V, LS =45nH ,T vj =25o C

19.4

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

96

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

5.66

mJ

S çubuk

Geri kazanılmış Şarj

V Çubuk =600V,I F =200A,

-di/dt=1680A/μs,V GE =-15V, LS =45nH ,T vj =125o C

29.5

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

106

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

8.56

mJ

S çubuk

Geri kazanılmış Şarj

V Çubuk =600V,I F =200A,

-di/dt=1600A/μs,V GE =-15V, LS =45nH ,T vj =150o C

32.2

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

107

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

9.24

mJ

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

LCE

Savrulan endüktansa

20

nH

Çubuk CC+EE

Modül Bağlantı Direnci, Terminalden Çipe

0.35

mΩ

Çubuk - Yürü

Kavşak -ile -Durum (perIGBT ) Çapraz-Kase (D başına) (iod)

0.127 0.163

K/W

Çubuk thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kasa-Soğutucu (pe r Diyot) Kasa-Soğutucu (per M odül)

0.036 0.046 0.010

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M6 Çivit

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Ağırlık nın Modül

300

g