Tüm Kategoriler
Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

IGBT Modülü 1200V

IGBT Modülü 1200V

Ana Sayfa /  Ürünler /  IGBT modülü /  IGBT Modülü 1200V

GD200HFQ120C2SD,IGBT Modülü,STARPOWER

1200V 200A, Paket:C2

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD200HFQ120C2SD
  • Giriş
  • Çizelge
  • Eşdeğer Devre Şeması
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü ,üretildi STARPOWER . 1200V 200A.

Özellikler

  • Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
  • 10μs kısa devre kapasitesi
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • Maksimum birleşim sıcaklığı 175
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak

Tipik Uygulamalar

  • Aktarma modu güç kaynağı
  • Indüktif ısıtma
  • Elektronik kaynak

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T F =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

Açıklama

Değerler

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

B C

Toplayıcı Akımı @ T C =25o C @ T C =100o C

324

200

Bir

B CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

400

Bir

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T vj =175o C

1181

G

Diyot

Sembolik

Açıklama

Değerler

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1200

V

B F

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

200

Bir

B Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

400

Bir

Modül

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

T vjmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

o C

T vjop

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

o C

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada

2500

V

IGBT Özellikler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

B C =200A,V GE =15V, T vj =25o C

1.85

2.30

V

B C =200A,V GE =15V, T vj =125o C

2.25

B C =200A,V GE =15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

B C =8.00mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

B CES

Toplayıcı Kesilir -OFF Mevcut

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

B GES

Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci - Ne?

3.8

ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

21.6

nF

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

0.59

nF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =-15…+15V

1.68

μC

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =200A, Çubuk G =4.7Ω, L S =45nH , V GE =±15V,T vj =25o C

100

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

72

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

303

ns

t f

Sonbahar zamanı

71

ns

E üzerinde

Anahtarlama Kayıp

26.0

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

6.11

mJ

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =200A, Çubuk G =4.7Ω, L S =45nH , V GE =±15V,T vj =125o C

99

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

76

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

325

ns

t f

Sonbahar zamanı

130

ns

E üzerinde

Anahtarlama Kayıp

33.5

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

8.58

mJ

t d (üzerinde )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =200A, Çubuk G =4.7Ω, L S =45nH , V GE =±15V,T vj =150o C

98

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

80

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

345

ns

t f

Sonbahar zamanı

121

ns

E üzerinde

Anahtarlama Kayıp

36.2

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

9.05

mJ

B SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

750

Bir

Diyot Özellikler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V F

Diyot ileriye Voltaj

B F =200A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

B F =200A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

B F =200A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

Q çubuk

Geri kazanılmış Şarj

V Çubuk =600V,I F =200A,

-di/dt=1890A/μs,V GE =-15V, L S =45nH ,T vj =25o C

19.4

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

96

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

5.66

mJ

Q çubuk

Geri kazanılmış Şarj

V Çubuk =600V,I F =200A,

-di/dt=1680A/μs,V GE =-15V, L S =45nH ,T vj =125o C

29.5

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

106

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

8.56

mJ

Q çubuk

Geri kazanılmış Şarj

V Çubuk =600V,I F =200A,

-di/dt=1600A/μs,V GE =-15V, L S =45nH ,T vj =150o C

32.2

μC

B RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

107

Bir

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

9.24

mJ

Modül Özellikler T C =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

L CE

Savrulan endüktansa

20

nH

Çubuk CC+EE

Modül Bağlantı Direnci, Terminalden Çipe

0.35

Çubuk - Yürü

Kavşak -karşı -Vaka (perIGBT ) Çapraz-Kase (D başına) (iod)

0.127 0.163

K/W

Çubuk thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kasa-Soğutucu (pe r Diyot) Kasa-Soğutucu (per M odül)

0.036 0.046 0.010

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M6 Çivit

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Ağırlık nın Modül

300

g

Çizelge

Eşdeğer Devre Şeması

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

İlgili Ürün

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Uzman satış ekibimiz danışmanlık için sabırsızca bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000