GD150HFU120C8SD, IGBT Modülü, STARPOWER

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

IC

Toplayıcı Akımı @ T C=25o C@ T C=85o C

238

150

A

ICm

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

300

A

PD

Maksimum güç Dağılımı @ T vj =150o C

1237

G

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1200

V

IF

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

150

A

IFm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

300

A

Sembolik

AÇIKLAMA

Değer

BİRİM

T vjmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

150

o C

T vjop

Hareket noktası sıcaklığı

-40'tan +125'e kadar

o C

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada

2500

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

IC=150A,V GE =15V, T vj =25o C

2.90

3.35

V

IC=150A,V GE =15V, T vj =125o C

3.60

V GE (th)

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

IC=3.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.0

6.1

7.0

V

ICES

Toplayıcı Kesilir -OFF Mevcut

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Çubuk Gint

İç kapı direnci - Ne?

1.50

ω

Cies

Girdi Kapasitesi

V CE =30V,f=1MHz, V GE =0V

19.2

nF

Cres

Geriye dönüştürme Kapasite

0.60

nF

S G

Geçit Ücreti

V GE =-15…+15V

1.83

μC

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=150A, Çubuk G=6.8Ω,Ls=35nH, V GE =±15V,T vj =25o C

183

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

73.8

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

438

ns

t f

Sonbahar zamanı

33.0

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama Kayıp

12.8

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

5.31

mJ

t d (açık )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C=150A, Çubuk G=6.8Ω,Ls=35nH, V GE =±15V,T vj =125o C

185

ns

t çubuk

Kalkma zamanı.

74

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

476

ns

t f

Sonbahar zamanı

44.5

ns

Eaçık

Aç Anahtarlama Kayıp

15.5

mJ

EoFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

7.74

mJ

ISC

SC Verileri

t P≤ 10μs, V GE =15V,

T vj =125o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

975

A

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

V F

Diyot ileriye Voltaj

IF =150A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =150A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =150A,

-di/dt=2232A/μs,Ls=35nH, V GE =-15V, T vj =25o C

11.9

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

113

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

4.02

mJ

S çubuk

Geri Alınan Ücret

V Çubuk =600V,I F =150A,

-di/dt=2118A/μs,Ls=35nH, V GE =-15V, T vj =125o C

22.5

μC

IRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

139

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

8.58

mJ

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

BİRİM

Çubuk - Yürü

Kavşak -ile -Durum (perIGBT ) Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

0.101 0.257

K/W

Çubuk thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kasa-Soğutucu (pe r Diyot) Kasa-Soğutucu (per M odül)

0.028 0.071 0.010

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M5 vida Montaj Döner, M6 Çivit

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Ağırlık nın Modül

300

g