1200V 1000A
Kısa tanıtım
IGBT modülü , STARPOWER tarafından üretilmiştir. 1200V 1000A.
Özellikler
Tipik Uygulamalar
Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T F=25oC, aksi belirtilmedikçe
IGBT
Sembolik |
Açıklama |
Değerler |
Birim |
V CES |
Toplayıcı-Sütücü Voltajı |
1200 |
V |
V GES |
Kapı-Emitör Voltajı |
±20 |
V |
Ben Çin |
Uygulanan Kolektör Cu kiralık |
1000 |
A |
Ben C |
Toplayıcı Akımı @ T F =75 o C |
765 |
A |
Ben CRM |
Tekrarlayan Zirve Toplayıcı Akım tp sınırlı - Ne? T vjop |
2000 |
A |
P D |
Maksimum Güç Dağıtımı ation @ T F =75 o C ,T j =175 o C |
1515 |
W |
Diyot
Sembolik |
Açıklama |
Değerler |
Birim |
V RRM |
Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş |
1200 |
V |
Ben FN |
Uygulanan Kolektör Cu kiralık |
1000 |
A |
Ben F |
Diyot Sürekli İleri Cu kiralık |
765 |
A |
Ben FRM |
Tekrarlayan Zirve İleri Akım tp sınırlı - Ne? T vjop |
2000 |
A |
Ben FSM |
Akım ileri dalgalanma t p =10ms @ T vj = 25o C @ T vj =150 o C |
4100 3000 |
A |
Ben 2t |
Ben 2t- değer ,t p =10 bayan @ T vj =25 o C @ T vj =150 o C |
84000 45000 |
A 2s |
Modül
Sembolik |
Açıklama |
Değer |
Birim |
T jmax |
En yüksek kavşak sıcaklığı |
175 |
o C |
T vjop |
Hareket noktası sıcaklığı |
-40 ile +150 arasında |
o C |
T STG |
Depolama sıcaklık aralığı |
-40'tan +125'e kadar |
o C |
V ISO |
İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada |
4000 |
V |
IGBT Özellikler T F =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
V CE (sat) |
Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı |
Ben C =1000A,V GE =15V, T vj =25 o C |
|
1.45 |
1.90 |
V |
Ben C =1000A,V GE =15V, T vj =125 o C |
|
1.65 |
|
|||
Ben C =1000A,V GE =15V, T vj =175 o C |
|
1.80 |
|
|||
V GE (th ) |
Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj |
Ben C =24.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C |
5.5 |
6.3 |
7.0 |
V |
Ben CES |
Toplayıcı Kes -OFF Akım |
V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C |
|
|
1.0 |
mA |
Ben GES |
Geçit-Emitör Sızıntıları Akım |
V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
İç kapı direnci - Ne? |
|
|
0.5 |
|
ω |
C ies |
Girdi Kapasitesi |
V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V |
|
51.5 |
|
nF |
C res |
Geriye dönüştürme Kapasite |
|
0.36 |
|
nF |
|
Q G |
Geçit Ücreti |
V GE =-15…+15V |
|
13.6 |
|
μC |
t d (oN ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C =900A, R G =0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V, T vj =25 o C |
|
330 |
|
ns |
t r |
Kalkma zamanı. |
|
140 |
|
ns |
|
t d (((off) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
842 |
|
ns |
|
t f |
Sonbahar zamanı |
|
84 |
|
ns |
|
E oN |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
144 |
|
mJ |
|
E oFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
87.8 |
|
mJ |
|
t d (oN ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C =900A, R G =0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V, T vj =125 o C |
|
373 |
|
ns |
t r |
Kalkma zamanı. |
|
155 |
|
ns |
|
t d (((off) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
915 |
|
ns |
|
t f |
Sonbahar zamanı |
|
135 |
|
ns |
|
E oN |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
186 |
|
mJ |
|
E oFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
104 |
|
mJ |
|
t d (oN ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C =900A, R G =0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V, T vj =175 o C |
|
390 |
|
ns |
t r |
Kalkma zamanı. |
|
172 |
|
ns |
|
t d (((off) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
950 |
|
ns |
|
t f |
Sonbahar zamanı |
|
162 |
|
ns |
|
E oN |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
209 |
|
mJ |
|
E oFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
114 |
|
mJ |
|
Ben SC |
SC Verileri |
t P ≤8μs,V GE =15V, T vj =150 o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V |
|
3200 |
|
A |
t P ≤6μs,V GE =15V, T vj =175 o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V |
|
3000 |
|
A |
Diyot Özellikler T F =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birimler |
V F |
Diyot ileriye Voltaj |
Ben F =1000A,V GE =0V,T vj =25 o C |
|
1.60 |
2.05 |
V |
Ben F =1000A,V GE =0V,T vj =125 o C |
|
1.70 |
|
|||
Ben F =1000A,V GE =0V,T vj =175 o C |
|
1.60 |
|
|||
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V R =600V,I F =900A, -di/dt=4930A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,T vj =25 o C |
|
91.0 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine Geri kazanım akımı |
|
441 |
|
A |
|
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
26.3 |
|
mJ |
|
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V R =600V,I F =900A, -di/dt=4440A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH , T vj =125 o C |
|
141 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine Geri kazanım akımı |
|
493 |
|
A |
|
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
42.5 |
|
mJ |
|
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V R =600V,I F =900A, -di/dt=4160A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH , T vj =175 o C |
|
174 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine Geri kazanım akımı |
|
536 |
|
A |
|
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
52.4 |
|
mJ |
NTC Özellikler T F =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
R 25 |
Rating direnci |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Değişim ile ilgili R 100 |
T C =100 o C r 100= 493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Güç Dağılım |
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B değeri |
R 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B değeri |
R 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B değeri |
R 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
K |
Modül Özellikler T F =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
L CE |
Savrulan endüktansa |
|
20 |
|
nH |
R CC + EE ’ |
Modül Bağlantı Direnci, Terminalden Çipe |
|
0.80 |
|
mΩ |
R thJF |
Kavşak -için -Soğutma Sıvı (perIGBT )Birleştirme-soğutma sıvısı (D başına) (iod) △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,T F =75 o C |
|
|
0.066 0.092 |
K/W |
M |
Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M5 vida |
3.0 3.0 |
|
6.0 6.0 |
N.M |
G |
Ağırlık ile ilgili Modül |
|
400 |
|
g |
P |
En yüksek basınç soğutma devresine |
|
|
3 |
bar |
∆p |
Basınç Düşüşü Soğutma Çember - Çabuk ∆V/∆t=10.0dm 3/min;T F =25 o C;Soğutma Sıvı=50% Su/50% Etilen Glikol |
|
47 |
|
mbar |
Profesyonel satış ekibimiz danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.