Kısa tanıtım
IGBT modülü , STARPOWER tarafından üretilmiştir. 1200V 1000A.
Özellikler
-
Düşük VCE(sat) Kanal IGBT T teknolojisi
- Kısa devre yeteneği
- Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
-
Maksimum çapraz sıcaklık 175o C
- Düşük endüktansa olan bir vaka
-
Hızlı ve yumuşak ters geri kazanım paralel karşıt FWD
- AMB teknolojisini kullanarak izole edilmiş bakır pinfin taban plaka
Tipik Uygulamalar
- Hibrit ve Elektrikli Araç
- Motorlu tahrik için inverter
- Kesintisiz güç kaynağı
Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T F=25oC, aksi belirtilmedikçe
IGBT
Sembolik |
AÇIKLAMA |
Değerler |
BİRİM |
V CES |
Toplayıcı-Sütücü Voltajı |
1200 |
V |
V GES |
Kapı-Emitör Voltajı |
±20 |
V |
ICN |
Uygulanan Kolektör Cu kiralık |
1000 |
A |
IC |
Toplayıcı Akımı @ T F =75o C |
765 |
A |
ICRM |
Tekrarlayan Zirve Toplayıcı Mevcut tp sınırlı tarafından T vjop |
2000 |
A |
PD |
Maksimum Güç Dağıtımı ation @ T F =75o C,T j =175o C |
1515 |
G |
Diyot
Sembolik |
AÇIKLAMA |
Değerler |
BİRİM |
V RRM |
Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş |
1200 |
V |
IFN |
Uygulanan Kolektör Cu kiralık |
1000 |
A |
IF |
Diyot Sürekli İleri Cu kiralık |
765 |
A |
IFRM |
Tekrarlayan Zirve İleri Mevcut tp sınırlı tarafından T vjop |
2000 |
A |
IFSM |
Akım ileri dalgalanma t p =10ms @ T vj =25o C@ T vj =150o C |
4100
3000
|
A |
I2t |
I2t- değer ,t p =10ms @ T vj =25o C @ T vj =150o C |
84000
45000
|
A2s |
Modül
Sembolik |
AÇIKLAMA |
Değer |
BİRİM |
T jmax |
En yüksek kavşak sıcaklığı |
175 |
o C |
T vjop |
Hareket noktası sıcaklığı |
-40 ile +150 arasında |
o C |
T STG |
Depolama sıcaklık aralığı |
-40'tan +125'e kadar |
o C |
V ISO |
İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada |
4000 |
V |
IGBT Özellikler T F =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
BİRİM |
|
V CE (sat)
|
Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı
|
IC=1000A,V GE =15V, T vj =25o C |
|
1.45 |
1.90 |
V
|
IC=1000A,V GE =15V, T vj =125o C |
|
1.65 |
|
IC=1000A,V GE =15V, T vj =175o C |
|
1.80 |
|
V GE (th) |
Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj |
IC=24.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C |
5.5 |
6.3 |
7.0 |
V |
ICES |
Toplayıcı Kesilir -OFF Mevcut |
V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C |
|
|
1.0 |
mA |
IGES |
Geçit-Emitör Sızıntıları Mevcut |
V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C |
|
|
400 |
nA |
Çubuk Gint |
İç kapı direnci - Ne? |
|
|
0.5 |
|
ω |
Cies |
Girdi Kapasitesi |
V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V |
|
51.5 |
|
nF |
Cres |
Geriye dönüştürme Kapasite |
|
0.36 |
|
nF |
S G |
Geçit Ücreti |
V GE =-15…+15V |
|
13.6 |
|
μC |
t d (açık ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C=900A,
Çubuk G=0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V,
T vj =25o C
|
|
330 |
|
ns |
t çubuk |
Kalkma zamanı. |
|
140 |
|
ns |
t d (((off) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
842 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
84 |
|
ns |
Eaçık |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
144 |
|
mJ |
EoFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
87.8 |
|
mJ |
t d (açık ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C=900A,
Çubuk G=0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V,
T vj =125o C
|
|
373 |
|
ns |
t çubuk |
Kalkma zamanı. |
|
155 |
|
ns |
t d (((off) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
915 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
135 |
|
ns |
Eaçık |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
186 |
|
mJ |
EoFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
104 |
|
mJ |
t d (açık ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C=900A,
Çubuk G=0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V,
T vj =175o C
|
|
390 |
|
ns |
t çubuk |
Kalkma zamanı. |
|
172 |
|
ns |
t d (((off) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
950 |
|
ns |
t f |
Sonbahar zamanı |
|
162 |
|
ns |
Eaçık |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
209 |
|
mJ |
EoFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
114 |
|
mJ |
|
ISC
|
SC Verileri
|
t P≤8μs,V GE =15V,
T vj =150o C,V CC =800V,
V CEM ≤1200V
|
|
3200
|
|
A
|
|
t P≤6μs,V GE =15V,
T vj =175o C,V CC =800V,
V CEM ≤1200V
|
|
3000
|
|
A
|
Diyot Özellikler T F =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birimler |
|
V F
|
Diyot ileriye Voltaj |
IF =1000A,V GE =0V,T vj =25o C |
|
1.60 |
2.05 |
V
|
IF =1000A,V GE =0V,T vj =125o C |
|
1.70 |
|
IF =1000A,V GE =0V,T vj =175o C |
|
1.60 |
|
S çubuk |
Geri Alınan Ücret |
V Çubuk =600V,I F =900A,
-di/dt=4930A/μs,V GE =-8V, LS =40nH ,T vj =25o C
|
|
91.0 |
|
μC |
IRM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
441 |
|
A |
E- Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
26.3 |
|
mJ |
S çubuk |
Geri Alınan Ücret |
V Çubuk =600V,I F =900A,
-di/dt=4440A/μs,V GE =-8V, LS =40nH ,
T vj =125o C
|
|
141 |
|
μC |
IRM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
493 |
|
A |
E- Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
42.5 |
|
mJ |
S çubuk |
Geri Alınan Ücret |
V Çubuk =600V,I F =900A,
-di/dt=4160A/μs,V GE =-8V, LS =40nH ,
T vj =175o C
|
|
174 |
|
μC |
IRM |
Çığ tersine
Geri kazanım akımı
|
|
536 |
|
A |
E- Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
52.4 |
|
mJ |
NTC Özellikler T F =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
BİRİM |
Çubuk 25 |
Rating direnci |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Değişim nın Çubuk 100 |
T C=100 o Cr 100= 493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P25 |
Güç
Dağılım
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B değeri |
Çubuk 2=R 25exp [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B değeri |
Çubuk 2=R 25exp [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B değeri |
Çubuk 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
K |
Modül Özellikler T F =25o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Min. |
Tipik. |
Max. |
BİRİM |
LCE |
Savrulan endüktansa |
|
20 |
|
nH |
Çubuk CC ’+EE ’ |
Modül Bağlantı Direnci, Terminalden Çipe |
|
0.80 |
|
mΩ |
|
Çubuk thJF
|
Kavşak -ile -Soğutma Sıvı (perIGBT )Birleştirme-soğutma sıvısı (D başına) (iod) △V/ △t=10.0 dm 3/dK ,T F =75o C |
|
|
0.066 0.092 |
K/W |
M |
Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M5 vida |
3.0 3.0 |
|
6.0 6.0 |
N.M |
G |
Ağırlık nın Modül |
|
400 |
|
g |
P |
En yüksek basınç soğutma devresine |
|
|
3 |
çubuk |
∆p |
Basınç Düşüşü Soğutma Çember - Çabuk
∆V/∆t=10.0dm 3/min;T F =25o C;Soğutma Sıvı=50% Su/50% Etilen Glikol
|
|
47 |
|
mbar |