Süper-birleşim MOSFET

Süper-birleşim MOSFET (Metal Oksit Yarı İletken Alan Etkili Transistör), geleneksel VDMOS tabanlı olarak yanal elektrik alanı kontrolüne sahiptir; bu da dikey elektrik alanı dağılımını ideal bir dikdörtgene yaklaştırır. Bu yapı, cihazın dayanma gerilimini aynı epi-tabaka direnci korunurken yaklaşık %20 artırır. İçin ürünler aynı dayanma gerilimi özellikleri için süper-birleşim teknolojisinin birim alan üzerindeki iletim durumu direnci, geleneksel yapıya kıyasla 1/8’den daha düşük seviyelere indirilebilir; böylece iletim ve kesim durumu karakteristikleri arasında sinerjik bir optimizasyon sağlanır.
Süper-birleşim MOSFET serimiz, derin oluk teknolojisi ve çoklu epitaksiyel süreçler kullanılarak üretilmiştir; düşük iletim durumu direnci ve kapısı yüküne sahiptir. Bu özellik, iletim ve kesim durumundaki kayıpları önemli ölçüde azaltır ve bu nedenle yüksek güç yoğunluğu ve yüksek verimlilik gerektiren güç elektroniği dönüştürme sistemleri için özellikle uygundur.

Süper-birleşim MOSFET’in OBC’de (On-Board Charger) Uygulama Özeti

Süper-birleşim MOSFET’in OBC’de (On-Board Charger) Uygulama Özeti
Elektrikli araçlar ve hibrit araçlar için ideal şarj konumları, şarj istasyonlarıyla sınırlı değildir. Elektrik sağlayan herhangi bir nokta şarj yeri olarak beklenmektedir. Taşıt içi şarj cihazı (OBC), alternatif akımı aracı şarj etmek için gerekli doğru akıma dönüştüren bir cihazdır. Bu cihaz, aracı evde evine ya da işyerinde şarj etmenizi sağlar. Kapasitesi, şarj gücünü ve verimliliğini belirler ve doğrudan kullanıcı deneyimini etkiler.