YMIBD800-17,IGBT Modul,Dubbel Switch IGBT,CRRC

(Symbol)

(Parameter)

(Prövningsvillkor)

(value)

(enhet)

VCES

Kollektor-emitterspänning

V GE = 0V, TC= 25 。C

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

TC= 25 。C

± 20

V

I C

Kollektor-sändare ström

TC = 80 。C

800

A

I C ((PK)

Spetsström för kollektorn

t P=1 ms

1600

A

P max

Max. strömförlust från transistorn

Tvj = 150 。C, TC = 25 。C

6.94

kW

I 2t

Diod I 2t

VR = 0V, t P = 10 ms, Tvj = 125 。C

120

kA2s

Visol

Isoleringsspänning per modul

(gemensamma slutar till basplattan),

AC RMS,1 min, 50 Hz,TC= 25 。C

4000

V

Q PD

Delutsläpp per modul

IEC1287. V1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS, TC= 25 。C

10

pC

(Symbol )

(Parameter)

(Prövningsvillkor)

(Min )

(Typ )

(Max )

(Enhet )

I CES

Kollektorns avskärmningsström

V GE = 0V,VCE = VCES

1

mA

V GE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

25

mA

I GES

Gate läckström

V GE = ±20V, VCE = 0V

4

μA

V GE (TH)

Porttröskelspänning

I C = 40mA, V GE = VCE

5.00

5.70

6.50

V

VCE (sat)(*1)

Kollektor-sändarens mättningsspänning

V GE = 15V, I C = 800A

2.30

2.60

V

V GE = 15 V, I C = 800 A,Tvj = 125 °C

2.80

3.10

V

I F

Diodström framåt

likström DC

800

A

I FRM

Diodens maximala framström

t P = 1ms

1600

A

VF(*1)

Diodens framåtspänning

I F = 800A

1.70

2.00

V

I F = 800A, Tvj = 125 °C

1.80

2.10

V

C ies

Inmatningskapacitet

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

60

nF

Q g

Portavgift

± 15 V

9

μC

C res

Omvänd överföringskapacitet

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

-

nF

L M

Modulinduktans

20

nH

R INT

Intern resistans för transistor

270

μΩ

I SC

Kortslutningsström, ISC

Tvj = 125°C, VCC = 1000V,

V GE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt,

IEC 6074-9

3700

A

avstängning

Avstängningens fördröjningstid

I C =800A

VCE =900V

L ~ 100nH

V GE = ±15V

RG(ON) = 2.2Ω

RG(OFF)= 2.2Ω

890

n

t f

Hösttid

220

n

E OFF

Energiförlust vid avstängning

220

mJ

td (på)

Tidsfördröjning för på-

320

n

t r

Uppgångstid

190

n

EON

Energiförlust vid påstart

160

mJ

Q rr

Diodens återvinningsavgift

I F = 800A

VCE = 900V

diF/dt =4000A/us

260

μC

Jag är

Diodens omvänd återvinningström

510

A

E rec

Diodens återvinning av energi

180

mJ

avstängning

Avstängningens fördröjningstid

I C =800A

VCE =900V

L ~ 100nH

V GE = ±15V

RG(ON) = 2.2Ω

RG(OFF)= 2.2Ω

980

n

t f

Hösttid

280

n

E OFF

Energiförlust vid avstängning

290

mJ

td (på)

Tidsfördröjning för på-

400

n

t r

Uppgångstid

250

n

EON

Energiförlust vid påstart

230

mJ

Q rr

Diodens återvinningsavgift

I F = 800A

VCE = 900V

diF/dt =4000A/us

420

μC

Jag är

Diodens omvänd återvinningström

580

A

E rec

Diodens återvinning av energi

280

mJ