GD300MPX120C6SA,IGBT-modul,STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värde

Enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C @ T C=100o C

468

300

A

ICRM

Upprepande Höjdpunkt Samlar Nuvarande tp begränsad av T vjop

600

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T vj =175o C

1530

W

Symbol

BESKRIVNING

Värde

Enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

300

A

IFrån och med den 1 januari

Upprepande Höjdpunkt Framåt Nuvarande tp begränsad av T vjop

600

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

Enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

300

A

IFrån och med den 1 januari

Upprepande Höjdpunkt Framåt Nuvarande tp begränsad av T vjop

600

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

Enhet

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC=300A,V Generella =15V, T vj =25o C

1.70

2.15

V

IC=300A,V Generella =15V, T vj =125o C

1.95

IC=300A,V Generella =15V, T vj =150o C

2.00

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=12.0mA ,V CE =V Generella , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott – Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

2.5

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz, V Generella =0V

31.1

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

0.87

nF

QG

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

2.33

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=300A, R G=2.4Ω,Ls=35nH, V Generella =±15V,T vj =25o C

215

n

t r

Uppgångstid

53

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

334

n

t f

Hösttid

205

n

Epå

Tänd Växling Förlust

21.5

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

20.7

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=300A, R G=2.4Ω,Ls=35nH, V Generella =±15V,T vj =125o C

231

n

t r

Uppgångstid

59

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

361

n

t f

Hösttid

296

n

Epå

Tänd Växling Förlust

30.1

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

28.1

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=300A, R G=2.4Ω,Ls=35nH, V Generella =±15V,T vj =150o C

240

n

t r

Uppgångstid

62

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

376

n

t f

Hösttid

311

n

Epå

Tänd Växling Förlust

32.9

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

29.9

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤10μs, V Generella =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1200

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt Spänning

IF =300A,V Generella =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =300A,V Generella =0V,T vj =125o C

1.90

IF =300A,V Generella =0V,T vj =150o C

1.95

Qr

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F =300A,

-di/dt=2937A/μs, Ls=70nH, V Generella =-15V,T vj =25o C

36.3

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

235

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

15.7

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F =300A,

-di/dt=2720A/μs, Ls=70nH, V Generella =-15V,T vj =125o C

61.3

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

257

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

27.5

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F =300A,

-di/dt=2616A/μs, Ls=70nH, V Generella =-15V,T vj =150o C

68.8

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

262

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

30.8

mJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt Spänning

IF =300A,V Generella =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =300A,V Generella =0V,T vj =125o C

1.90

IF =300A,V Generella =0V,T vj =150o C

1.95

Qr

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F =300A,

-di/dt=5683A/μs,Ls=35nH, V Generella =-15V,T vj =25o C

36.2

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

290

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

13.4

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F =300A,

-di/dt=4958A/μs,Ls=35nH, V Generella =-15V,T vj =125o C

56.6

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

301

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

22.2

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F =300A,

-di/dt=4673A/μs,Ls=35nH, V Generella =-15V,T vj =150o C

65.9

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

306

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

26.3

mJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

R 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

∆R/R

Avvikelse av R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2– 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2– 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2– 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enhet

LCE

Strömavtryck

35

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

1.45

mΩ

R tJC

Tvättpunkt – till – Fall (perIGBT – inverter ) Förbindelse mellan junction och kassa (per diod-inverter er) Förbindelse mellan junction och kassa (per diod-3-nivå er)

0.098 0.176 0.176

K/W

R thCH

Förbindelse mellan kassa och sink (per IGBT-inverter er) Förbindelse mellan kassa och sink (per diod-i nverter) Förbindelse mellan kassa och sink (per diod-3- nivå) Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.033 0.059 0.059 0.009

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Vikt av Modul

350

g