GD600HFX120C2SA,IGBT Modul,STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C

@ T C= 100o C

925

600

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

1200

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T j =175o C

3000

W

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1200

V

IF

Diod kontinuerlig framåtström hyra

600

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

1200

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 mINUT

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

IC= 600 A, V Generella =15V, T j =25o C

1.65

2.00

V

IC= 600 A, V Generella =15V, T j =125o C

1.95

IC= 600 A, V Generella =15V, T j =150o C

2.00

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=24.0mA ,V CE =V Generella , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

0.5

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=100kHz, V Generella =0V

60.8

nF

Cres

Omvänd överföring

Kapacitet

1.84

nF

QG

Portavgift

V Generella =- 15...+15V

4.64

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 600A, R G=1.2Ω,L S =20nH, V Generella =±15V,T j =25o C

308

n

t r

Uppgångstid

42

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

431

n

t f

Hösttid

268

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

15.7

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

51.3

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 600A, R G=1.2Ω, LS =20nH ,

V Generella =±15V,T j =125o C

311

n

t r

Uppgångstid

49

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

467

n

t f

Hösttid

351

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

31.1

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

69.4

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 600A, R G=1.2Ω, LS =20nH ,

V Generella =±15V,T j =150o C

313

n

t r

Uppgångstid

51

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

475

n

t f

Hösttid

365

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

34.8

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

71.1

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤ 10 μs, V Generella =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V F

Diod framåt

Spänning

IF = 600 A, V Generella =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

IF = 600 A, V Generella =0V,T j = 125o C

1.90

IF = 600 A, V Generella =0V,T j = 150o C

1.95

Qr

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=13040A/μs,V Generella =- 15 V, T j =25o C

38.1

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

524

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

34.9

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=11220A/μs,V GE=- 15 V, T j = 125o C

82.8

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

565

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

54.4

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=11040A/μs,V GE=- 15 V, T j = 150o C

94.7

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

589

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

55.8

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

LCE

Strömavtryck

20

nH

R CC+EE

Modulledningsresistans nce, terminal till chip

0.35

mΩ

R tJC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.050

0.080

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT)

Högsta värmeeffekt (p) diod)

Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.033

0.052

0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

g