GD200HFQ120C2SD,IGBT-modul,STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värden

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C @ T C=100o C

324

200

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

400

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T vj =175o C

1181

W

Symbol

BESKRIVNING

Värden

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

200

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

400

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC=200A,V Generella =15V, T vj =25o C

1.85

2.30

V

IC=200A,V Generella =15V, T vj =125o C

2.25

IC=200A,V Generella =15V, T vj =150o C

2.35

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=8.00mA ,V CE =V Generella , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

3.8

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz, V Generella =0V

21.6

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

0.59

nF

QG

Portavgift

V Generella =-15…+15V

1.68

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=200A, R G=4.7Ω, LS =45nH , V Generella =±15V,T vj =25o C

100

n

t r

Uppgångstid

72

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

303

n

t f

Hösttid

71

n

Epå

Tänd Växling Förlust

26.0

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

6.11

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=200A, R G=4.7Ω, LS =45nH , V Generella =±15V,T vj =125o C

99

n

t r

Uppgångstid

76

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

325

n

t f

Hösttid

130

n

Epå

Tänd Växling Förlust

33.5

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

8.58

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=200A, R G=4.7Ω, LS =45nH , V Generella =±15V,T vj =150o C

98

n

t r

Uppgångstid

80

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

345

n

t f

Hösttid

121

n

Epå

Tänd Växling Förlust

36.2

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

9.05

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤10μs, V Generella =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

750

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt Spänning

IF =200A,V Generella =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =200A,V Generella =0V,T vj =125o C

1.90

IF =200A,V Generella =0V,T vj =150o C

1.95

Qr

Återställd Laddning

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=1890A/μs,V Generella = 15 V, LS =45nH ,T vj =25o C

19.4

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

96

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

5.66

mJ

Qr

Återställd Laddning

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=1680A/μs,V Generella = 15 V, LS =45nH ,T vj =125o C

29.5

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

106

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

8.56

mJ

Qr

Återställd Laddning

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=1600A/μs,V Generella = 15 V, LS =45nH ,T vj =150o C

32.2

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

107

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

9.24

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

LCE

Strömavtryck

20

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd, terminal till chip

0.35

mΩ

R tJC

Tvättpunkt -till -Fall (perIGBT ) Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.127 0.163

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.036 0.046 0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

g