GD400HFU120C2S,IGBT Modul,STARPOWER

Symbol

Beskrivning

GD400HFU120C2S

Enheter

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

± 20

V

Jag C

Samlarström @ T C = 25℃

@ T C =80 ℃

660

400

A

Jag CM (1)

Pulsad samlarström t p =1 ms

800

A

Jag F

Diod kontinuerlig framström

400

A

Jag FM (1)

Diodens maximala framåtsträcka hyra

800

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j = 150℃

2660

W

T SC

Kortslutning Tåga tid @ T j =125 ℃

10

μs

T j

Maximal temperatur vid korsningen

150

℃

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

℃

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Monteringsmoment

Skruv för kraftterminalen:M6

2,5 till 5.0

N.M

Montering Skruv: M6

3,0 till 6.0

N.M

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V (BR )CES

Samlare-utgivare

Bristningsspänning

T j =25 ℃

1200

V

Jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V Ce = V CES ,V Generella =0V, T j =25 ℃

5.0

mA

Jag GES

Läckage i port-sändaren

Nuvarande

V Generella = V GES ,V Ce =0V, T j =25 ℃

400

nA

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare

Spänning

Jag C =4,0 mA ,V Ce = V Generella , T j =25 ℃

4.4

4.9

6.0

V

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

Jag C = 400 A,V Generella =15V, T j =25 ℃

3.10

3.60

V

Jag C = 400 A,V Generella =15V, T j = 125℃

3.45

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 400A, R G = 2,2Ω,V Generella = ± 15 V, T j =25 ℃

680

n

t r

Uppgångstid

142

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

638

n

t f

Hösttid

99

n

E på

Slå på växling

Förlust

19.0

mJ

E avstängd

Avstängning

Förlust

32.5

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 400A, R G = 2,2Ω,V Generella = ± 15 V, T j = 125℃

690

n

t r

Uppgångstid

146

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

669

n

t f

Hösttid

108

n

E på

Slå på växling

Förlust

26.1

mJ

E avstängd

Avstängning

Förlust

36.7

mJ

C ies

Inmatningskapacitet

V Ce =30V, f=1MHz,

V Generella =0V

33.7

nF

C övriga

Utgångskapacitet

2.99

nF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

1.21

nF

Jag SC

SK-uppgifter

T P ≤ 10μs,V Generella =15 V, T j =25 ℃ ,

V CC =600 V, V CEM ≤ 1200V

2600

A

R Gint

Inre portresis - Självklart.

0.5

ω

L Ce

Strömavtryck

18

nH

R CC + EE ’

Modul blymotstånd ce, Terminal till chip

T C =25 ℃

0.32

m ω

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt

Spänning

Jag F =400A

T j =25 ℃

1.95

2.35

V

T j = 125℃

1.85

Q r

Återkrävt avgift

Jag F = 400A,

V R = 600 V,

en bredd på minst 10 mm, V Generella - Det är inte sant. 15V

T j =25 ℃

24.1

μC

T j = 125℃

44.3

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

T j =25 ℃

220

A

T j = 125℃

295

E rec

Omvänd återhämtning Energi

T j =25 ℃

13.9

mJ

T j = 125℃

24.8

Symbol

Parameter

Typ.

Max.

Enheter

R θ JC

Sammanslagning till fall (per IG) BT)

0.047

K/W

R θ JC

Sammanslagning till fall (per D) Jod)

0.096

K/W

R θ CS

Fläckar och skärmar (förlängd)

0.035

K/W

G

Vikt av Modul

350

g