GD100HFQ120C1SD, IGBT-modul, STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C @ T C=100o C

162

100

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

200

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T vj =175o C

595

W

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

100

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

200

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC=100A,V Generella =15V, T vj =25o C

1.85

2.30

V

IC=100A,V Generella =15V, T vj =125o C

2.25

IC=100A,V Generella =15V, T vj =150o C

2.35

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=4.0mA ,V CE =V Generella , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

7.5

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz, V Generella =0V

10.8

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

0.30

nF

QG

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

0.84

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=100A, R G=5.1Ω, V Generella =± 15 V, LS =45nH ,T vj =25o C

59

n

t r

Uppgångstid

38

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

209

n

t f

Hösttid

71

n

Epå

Tänd Växling Förlust

11.2

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

3.15

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=100A, R G=5.1Ω, V Generella =± 15 V, LS =45nH ,T vj =125o C

68

n

t r

Uppgångstid

44

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

243

n

t f

Hösttid

104

n

Epå

Tänd Växling Förlust

14.5

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

4.36

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C=100A, R G=5.1Ω, V Generella =± 15 V, LS =45nH ,T vj =150o C

71

n

t r

Uppgångstid

46

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

251

n

t f

Hösttid

105

n

Epå

Tänd Växling Förlust

15.9

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

4.63

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤10μs, V Generella =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

400

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V F

Diod framåt Spänning

IF =100A,V Generella =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =100A,V Generella =0V,T vj =125o C

1.90

IF =100A,V Generella =0V,T vj =150o C

1.95

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=961A/μs,V Generella =-15V LS =45nH ,T vj =25o C

7.92

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

46.4

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

2.25

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=871A/μs,V Generella =-15V LS =45nH ,T vj =125o C

15.0

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

54.5

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

5.08

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=853A/μs,V Generella =-15V LS =45nH ,T vj =150o C

18.8

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

58.9

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

6.67

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

LCE

Strömavtryck

30

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.75

mΩ

R tJC

Tvättpunkt -till -Fall (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.252 0.446

K/W

R thCH

Fall -till -Värmesänkande (perIGBT )Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.157 0.277 0.050

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M5 Monteringsmoment Skruv M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Vikt av Modul

150

g