GD100HFQ120C1SD, IGBT-modul, STARPOWER

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

Jag C

Samlarström @ T C =25 o C @ T C =100 o C

162

100

A

Jag CM

Pulsad samlarström t p =1 ms

200

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T vj = 175 o C

595

W

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

Jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

100

A

Jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

200

A

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

Jag C =100A,V Generella =15V, T vj =25 o C

1.85

2.30

V

Jag C =100A,V Generella =15V, T vj =125 o C

2.25

Jag C =100A,V Generella =15V, T vj = 150 o C

2.35

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

Jag C =4,0 mA ,V Ce = V Generella , T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V Ce = V CES ,V Generella =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

Jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V Ce =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

7.5

ω

C ies

Inmatningskapacitet

V Ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V

10.8

nF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

0.30

nF

Q G

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

0.84

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =100A, R G =5.1Ω, V Generella =± 15 V, L S =45 nH ,T vj =25 o C

59

n

t r

Uppgångstid

38

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

209

n

t f

Hösttid

71

n

E på

Tänd Växling Förlust

11.2

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

3.15

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =100A, R G =5.1Ω, V Generella =± 15 V, L S =45 nH ,T vj =125 o C

68

n

t r

Uppgångstid

44

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

243

n

t f

Hösttid

104

n

E på

Tänd Växling Förlust

14.5

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

4.36

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =100A, R G =5.1Ω, V Generella =± 15 V, L S =45 nH ,T vj = 150 o C

71

n

t r

Uppgångstid

46

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

251

n

t f

Hösttid

105

n

E på

Tänd Växling Förlust

15.9

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

4.63

mJ

Jag SC

SK-uppgifter

t P ≤10μs, V Generella =15V,

T vj = 150 o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

400

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V F

Diod framåt Spänning

Jag F =100A,V Generella =0V,T vj =2 5o C

1.85

2.30

V

Jag F =100A,V Generella =0V,T vj =125 o C

1.90

Jag F =100A,V Generella =0V,T vj = 150 o C

1.95

Q r

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=961A/μs,V Generella =-15V L S =45 nH ,T vj =25 o C

7.92

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

46.4

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

2.25

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=871A/μs,V Generella =-15V L S =45 nH ,T vj =125 o C

15.0

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

54.5

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

5.08

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=853A/μs,V Generella =-15V L S =45 nH ,T vj = 150 o C

18.8

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

58.9

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

6.67

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enhet

L Ce

Strömavtryck

30

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.75

mΩ

R tJC

Tvättpunkt -till -Fall (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.252 0.446

K/W

R thCH

Fall -till -Värmesänkande (perIGBT )Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.157 0.277 0.050

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M5 Monteringsmoment Skruv M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Vikt av Modul

150

g