GD600HTA120P6HT,IGBT Modul,STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värden

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

ICN

Implementerad samlare Cu rent

600

A

IC

Samlarström @ T F =90o C

450

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

1200

A

PD

Maximal effektförlust ation @ T F =75o C T j =175o C

1075

W

Symbol

BESKRIVNING

Värden

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd spänning generella

1200

V

IFN

Implementerad samlare Cu rent

600

A

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

450

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

1200

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T - Vad?

Operativ kryssnings temperatur kontinuerlig

För 10s inom en period av 30s, förekomst maximalt 3000 gånger under livslängd jag

-40 till +150 +150 till +175

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 mINUT

2500

V

d - Sväpnad.

Terminal till värmesink Terminal till terminal

9.0 9.0

mm

d Klar

Terminal till värmesink Terminal till terminal

4.5 4.5

mm

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC= 450 A, V Generella =15V, T j =25o C

1.40

V

IC= 450 A, V Generella =15V, T j =150o C

1.65

IC= 450 A, V Generella =15V, T j =175o C

1.70

IC= 600 A, V Generella =15V, T j =25o C

1.60

IC= 600 A, V Generella =15V, T j =150o C

1.90

IC= 600 A, V Generella =15V, T j =175o C

2.00

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=15.6mA ,V CE =V Generella , T j =25o C

6.4

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd

1.67

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=100kHz, V Generella =0V

81.2

nF

Cövriga

Utgångskapacitet

1.56

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

0.53

nF

QG

Portavgift

V CE =600V,I C =600A, V Generella =-8...+15V

5.34

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 600A,

R Gon =1,0Ω, R Goff = 2,2Ω, LS =22nH,

V Generella =-8V/+15V, T j =25o C

290

n

t r

Uppgångstid

81

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

895

n

t f

Hösttid

87

n

Epå

Tänd Växling Förlust

53.5

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

47.5

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 600A,

R Gon =1,0Ω, R Goff = 2,2Ω, LS =22nH,

V Generella =-8V/+15V, T j =150o C

322

n

t r

Uppgångstid

103

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

1017

n

t f

Hösttid

171

n

Epå

Tänd Växling Förlust

84.2

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

63.7

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 600A,

R Gon =1,0Ω, R Goff = 2,2Ω, LS =22nH,

V Generella =-8V/+15V, T j =175o C

334

n

t r

Uppgångstid

104

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

1048

n

t f

Hösttid

187

n

Epå

Tänd Växling Förlust

89.8

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

65.4

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤6μs, V Generella =15V,

2000

A

T j =175o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V F

Diod framåt Spänning

IF = 450 A, V Generella =0V,T j =25o C

1.80

V

IF = 450 A, V Generella =0V,T j =150o C

1.75

IF = 450 A, V Generella =0V,T j =175o C

1.70

IF = 600 A, V Generella =0V,T j =25o C

1.95

IF = 600 A, V Generella =0V,T j =150o C

1.95

IF = 600 A, V Generella =0V,T j =175o C

1.90

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F = 600A,

-di/dt=7040A/μs,V Generella =-8V LS =22nH ,T j =25o C

22.5

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

304

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

10.8

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F = 600A,

-di/dt=5790A/μs,V Generella =-8V LS =22nH ,T j =150o C

46.6

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

336

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

18.2

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F = 600A,

-di/dt=5520A/μs,V Generella =-8V LS =22nH ,T j =175o C

49.8

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

346

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

19.8

mJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

R 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

∆R/R

Avvikelse av R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

LCE

Strömavtryck

8

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.75

mΩ

p

Maximal tryck i kylcirkulationen uit

2.5

bar

R thJF

Tvättpunkt -till -Kylning Vätska (perIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per D jod) △V/ △t=10.0 dm 3/mINUT ,T F =75o C

0.081 0.118

0.093 0.136

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M5 Monteringsmoment Skruv M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Vikt av Modul

750

g