GD200TLQ120L3S, IGBT-modul, 3-nivå, STARPOWER

Symbol

Beskrivning

Värden

Enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

Jag C

Samlarström @ T C =25o C

@ T C = 100o C

339

200

A

Jag CM

Pulsad samlarström t p = 1 ms

400

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j =175o C

1456

W

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1200

V

Jag F

Diod kontinuerlig framåtström hyra

75

A

Jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t p = 1 ms

150

A

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

650

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

Jag C

Samlarström @ T C =25o C

@ T C =95o C

158

100

A

Jag CM

Pulsad samlarström t p = 1 ms

200

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j =175o C

441

W

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

650

V

Jag F

Diod kontinuerlig framåtström hyra

100

A

Jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t p = 1 ms

200

A

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

Jag C = 100A,V Generella = 15 V, T j =25o C

1.40

1.85

V

Jag C = 100A,V Generella = 15 V, T j =125o C

1.65

Jag C = 100A,V Generella = 15 V, T j =150o C

1.70

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

Jag C =5.0mA ,V CE =V Generella , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

Jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V,

T j =25o C

1.0

mA

Jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

3.8

ω

C ies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

20.7

nF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

0.58

nF

Q G

Portavgift

V Generella =- 15...+15V

1.56

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =400V,I C = 100A, R G = 1. 1Ω,V Generella =± 15 V, T j =25o C

142

n

t r

Uppgångstid

25

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

352

n

t f

Hösttid

33

n

E på

Tänd Växling

Förlust

1.21

mJ

E avstängd

Avstängning

Förlust

3.90

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =400V,I C = 100A, R G = 1. 1Ω,V Generella =± 15 V, T j = 125o C

155

n

t r

Uppgångstid

29

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

440

n

t f

Hösttid

61

n

E på

Tänd Växling

Förlust

2.02

mJ

E avstängd

Avstängning

Förlust

5.83

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =400V,I C = 100A, R G = 1. 1Ω,V Generella =± 15 V, T j = 150o C

161

n

t r

Uppgångstid

30

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

462

n

t f

Hösttid

66

n

E på

Tänd Växling

Förlust

2.24

mJ

E avstängd

Avstängning

Förlust

6.49

mJ

Jag SC

SK-uppgifter

t P ≤ 10 μs, V Generella =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

800

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V F

Diod framåt

Spänning

Jag F =75A,V Generella =0V,T j =25o C

1.70

2.15

V

Jag F =75A,V Generella =0V,T j = 125o C

1.65

Jag F =75A,V Generella =0V,T j = 150o C

1.65

Q r

Återkrävt avgift

V R =400V,I F =75A,

-di/dt=3500A/μs,V Generella =- 15V T j =25o C

8.7

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

122

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

2.91

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V R =400V,I F =75A,

-di/dt=3500A/μs,V Generella =- 15V T j = 125o C

17.2

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

143

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

5.72

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V R =400V,I F =75A,

-di/dt=3500A/μs,V Generella =- 15V T j = 150o C

19.4

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

152

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

6.30

mJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

Jag C = 100A,V Generella = 15 V, T j =25o C

1.45

1.90

V

Jag C = 100A,V Generella = 15 V, T j =125o C

1.60

Jag C = 100A,V Generella = 15 V, T j =150o C

1.70

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

Jag C = 1.60mA,V CE =V Generella , T j =25o C

5.0

5.8

6.5

V

Jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V,

T j =25o C

1.0

mA

Jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

2.0

ω

C ies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

11.6

nF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

0.23

nF

Q G

Portavgift

V Generella =- 15...+15V

0.69

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =400V,I C = 100A, R G = 3,3Ω,V Generella =± 15 V, T j =25o C

44

n

t r

Uppgångstid

20

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

200

n

t f

Hösttid

28

n

E på

Tänd Växling

Förlust

1.48

mJ

E avstängd

Avstängning

Förlust

2.48

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =400V,I C = 100A, R G = 3,3Ω,V Generella =± 15 V, T j = 125o C

48

n

t r

Uppgångstid

24

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

216

n

t f

Hösttid

40

n

E på

Tänd Växling

Förlust

2.24

mJ

E avstängd

Avstängning

Förlust

3.28

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =400V,I C = 100A, R G = 3,3Ω,V Generella =± 15 V, T j = 150o C

52

n

t r

Uppgångstid

24

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

224

n

t f

Hösttid

48

n

E på

Tänd Växling

Förlust

2.64

mJ

E avstängd

Avstängning

Förlust

3.68

mJ

Jag SC

SK-uppgifter

t P ≤ 6 μs,V Generella = 15 V,

T j =150o C,V CC =360V, V CEM ≤ 650 V

500

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V F

Diod framåt

Spänning

Jag F = 100A,V Generella =0V,T j =25o C

1.55

2.00

V

Jag F = 100A,V Generella =0V,T j = 125o C

1.50

Jag F = 100A,V Generella =0V,T j = 150o C

1.45

Q r

Återkrävt avgift

V R =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V Generella =- 15V T j =25o C

3.57

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

99

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

1.04

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V R =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V Generella =- 15V T j = 125o C

6.49

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

110

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

1.70

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V R =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V Generella =- 15V T j = 150o C

7.04

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

110

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

1.81

mJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

R 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

δR/R

Avvikelse av R 100

T C = 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enhet

R tJC

Junction-to-Case (per T1, T4 IGBT)

Förbindelsepunkten till kassa (per D1,D4 Dio de)

Förbindelsepunkten till kassa (per T2, T3 IGBT)

Förbindning-till-kassa (per D2,D3 Dio de)

0.094

0.405

0.309

0.544

0.103

0.446

0.340

0.598

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per T1,T4 IGBT)

Kassa-till-kylare (per D1,D4 DIODE)

Hylsa till värmesänk (per T2,T3 IGBT)

Kassa-till-kylare (per D2,D3 DIODE)

Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.126

0.547

0.417

0.733

0.037

K/W

F

Monteringskraft Per Fäste

40

80

N

G

Vikt av Modul

39

g