GD450HFX120C2SA, IGBT-modul, STARPOWER

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

Jag C

Samlarström @ T C =25 o C @ T C =100 o C

704

450

A

Jag CM

Pulsad samlarström t p =1 ms

900

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T vj = 175 o C

2307

W

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

Jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

450

A

Jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

900

A

Symbol

Beskrivning

Värde

Enhet

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

Jag C = 450 A, V Generella =15V, T vj =25 o C

1.70

2.15

V

Jag C = 450 A, V Generella =15V, T vj =125 o C

1.95

Jag C = 450 A, V Generella =15V, T vj = 150 o C

2.00

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

Jag C = 18,0 mA ,V Ce = V Generella , T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V Ce = V CES ,V Generella =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

Jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V Ce =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

0.7

ω

C ies

Inmatningskapacitet

V Ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V

46.6

nF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

1.31

nF

Q G

Portavgift

V Generella =-15…+15V

3.50

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 450 A, R G = 1,5Ω,V Generella =± 15 V, Lärare =45 nH ,T vj =25 o C

284

n

t r

Uppgångstid

78

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

388

n

t f

Hösttid

200

n

E på

Tänd Växling Förlust

45.0

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

33.4

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 450 A, R G = 1,5Ω,V Generella =± 15 V, Lärare =45 nH ,T vj =125 o C

288

n

t r

Uppgångstid

86

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

456

n

t f

Hösttid

305

n

E på

Tänd Växling Förlust

60.1

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

48.4

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 450 A, R G = 1,5Ω,V Generella =± 15 V, Lärare =45 nH ,T vj = 150 o C

291

n

t r

Uppgångstid

88

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

472

n

t f

Hösttid

381

n

E på

Tänd Växling Förlust

63.5

mJ

E avstängd

Avstängning Förlust

52.1

mJ

Jag SC

SK-uppgifter

t P ≤10μs, V Generella =15V,

T vj = 150 o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1800

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V F

Diod framåt Spänning

Jag F = 450 A, V Generella =0V,T vj =2 5o C

1.90

2.35

V

Jag F = 450 A, V Generella =0V,T vj =125 o C

2.00

Jag F = 450 A, V Generella =0V,T vj = 150 o C

2.05

Q r

Återkrävt avgift

V R =600V,I F = 450 A,

-di/dt=4500A/μs,V Generella = 15 V, Lärare =45 nH ,T vj =25 o C

39.4

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

296

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

11.8

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V R =600V,I F = 450 A,

-di/dt=4100A/μs,V Generella = 15 V, Lärare =45 nH ,T vj =125 o C

58.6

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

309

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

17.7

mJ

Q r

Återkrävt avgift

V R =600V,I F = 450 A,

-di/dt=4000A/μs,V Generella = 15 V, Lärare =45 nH ,T vj = 150 o C

83.6

μC

Jag RM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

330

A

E rec

Omvänd återhämtning Energi

20.3

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enhet

L Ce

Strömavtryck

20

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd, terminal till chip

0.35

mΩ

R tJC

Tvättpunkt -till -Fall (perIGBT ) Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.065 0.119

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.031 0.057 0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

g