GD450HFX120C2SA, IGBT-modul, STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C @ T C=100o C

704

450

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

900

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T vj =175o C

2307

W

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

450

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

900

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

T vjmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T vjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC= 450 A, V Generella =15V, T vj =25o C

1.70

2.15

V

IC= 450 A, V Generella =15V, T vj =125o C

1.95

IC= 450 A, V Generella =15V, T vj =150o C

2.00

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=18.0mA ,V CE =V Generella , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd förhandsbeskrivning

0.7

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz, V Generella =0V

46.6

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

1.31

nF

QG

Portavgift

V Generella =-15…+15V

3.50

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 450 A, R G= 1,5Ω,V Generella =± 15 V, Lärare =45nH ,T vj =25o C

284

n

t r

Uppgångstid

78

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

388

n

t f

Hösttid

200

n

Epå

Tänd Växling Förlust

45.0

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

33.4

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 450 A, R G= 1,5Ω,V Generella =± 15 V, Lärare =45nH ,T vj =125o C

288

n

t r

Uppgångstid

86

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

456

n

t f

Hösttid

305

n

Epå

Tänd Växling Förlust

60.1

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

48.4

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 450 A, R G= 1,5Ω,V Generella =± 15 V, Lärare =45nH ,T vj =150o C

291

n

t r

Uppgångstid

88

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

472

n

t f

Hösttid

381

n

Epå

Tänd Växling Förlust

63.5

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

52.1

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤10μs, V Generella =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1800

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V F

Diod framåt Spänning

IF = 450 A, V Generella =0V,T vj =25o C

1.90

2.35

V

IF = 450 A, V Generella =0V,T vj =125o C

2.00

IF = 450 A, V Generella =0V,T vj =150o C

2.05

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F = 450 A,

-di/dt=4500A/μs,V Generella = 15 V, Lärare =45nH ,T vj =25o C

39.4

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

296

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

11.8

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F = 450 A,

-di/dt=4100A/μs,V Generella = 15 V, Lärare =45nH ,T vj =125o C

58.6

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

309

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

17.7

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R =600V,I F = 450 A,

-di/dt=4000A/μs,V Generella = 15 V, Lärare =45nH ,T vj =150o C

83.6

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

330

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

20.3

mJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

LCE

Strömavtryck

20

nH

R CC+EE

Modul blymotstånd, terminal till chip

0.35

mΩ

R tJC

Tvättpunkt -till -Fall (perIGBT ) Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.065 0.119

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.031 0.057 0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

g