Alla kategorier
Begär ett citat

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

IGBT-modul 1200V

IGBT-modul 1200V

Startsida/Produkter/IGBT-modul/IGBT-modul 1200V

GD600HFX120C6HA,IGBT Modul,STARPOWER

1200V 600A,C6.1

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD600HFX120C6HA
  • Introduktion
  • Översikt
Introduktion

Kort introduktion

IGBT-modul ,producerad av STARPOWER .1200V 600A.

Funktioner

  • Låg VCE(sat) Trench IGBT-teknik
  • 10 μs kortslutningsförmåga
  • VCE(sat) med positiv temperaturkoefficient
  • Maximal fjälltemperatur 175
  • Låg induktanshus
  • Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
  • Isolerad kopparbasplatt med DBC-teknik

Vanliga användningsområden

  • Hybrid- och elfordon
  • Inverterare för motordrivning
  • Oavbrutbar strömförsörjning

Absolut Maximal Betyg T F =25o C om inte i annat fall noterat

IGBT

Symbol

BESKRIVNING

Värde

Enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlarström @ T C=25o C @ T C=100o C

1108

600

A

ICm

Pulsad samlarström t p =1 ms

1200

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ T j =175o C

4054

W

Diod

Symbol

BESKRIVNING

Värde

Enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt ålder

1200

V

IF

Diod Kontinuerlig Framåt Cu rent

600

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

1200

A

Modul

Symbol

BESKRIVNING

Värde

Enhet

T jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

o C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

IGBT Egenskaper T C=25o C om inte i annat fall noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

IC= 600 A, V Generella =15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

IC= 600 A, V Generella =15V, T j =125o C

1.90

IC= 600 A, V Generella =15V, T j =150o C

1.95

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC=24.0mA ,V CE =V Generella , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Samlar Avbrott Avstängd Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd

0.7

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1MHz, V Generella =0V

62.1

nF

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

1.74

nF

QG

Portavgift

V Generella =-15…+15V

4.62

μC

t d ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 600A, R G=1.2Ω, LS =34nH , V Generella =±15V,T j =25o C

266

n

t r

Uppgångstid

82

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

400

n

t f

Hösttid

192

n

E

Tänd Växling Förlust

65.7

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

52.3

mJ

t d ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 600A, R G=1.2Ω, LS =34nH , V Generella =±15V,T j =125o C

282

n

t r

Uppgångstid

94

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

448

n

t f

Hösttid

290

n

E

Tänd Växling Förlust

96.2

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

67.3

mJ

t d ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C= 600A, R G=1.2Ω, LS =34nH , V Generella =±15V,T j =150o C

286

n

t r

Uppgångstid

94

n

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

459

n

t f

Hösttid

299

n

E

Tänd Växling Förlust

107

mJ

Eavstängd

Avstängning Förlust

70.3

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤10μs, V Generella =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

A

Diod Egenskaper T C=25o C om inte i annat fall noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

V F

Diod framåt Spänning

IF = 600 A, V Generella =0V,T j =25o C

1.95

2.40

V

IF = 600 A, V Generella =0V,T j =125o C

2.05

IF = 600 A, V Generella =0V,T j =150o C

2.10

Qr

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=5500A/μs, L S =34nH, V Generella =-15V,T j =25o C

23.8

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

260

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

11.7

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=4700A/μs, L S =34nH, V Generella =-15V,T j =125o C

65.1

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

293

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

26.4

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=4600A/μs, L S =34nH, V Generella =-15V,T j =150o C

76.7

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

306

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

30.6

mJ

NTC Egenskaper T C=25o C om inte i annat fall noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enhet

R 25

Nominellt motstånd

5.0

∆R/R

Avvikelse av R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-värde

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2 1/(298.15K))]

3433

K

Modul Egenskaper T C=25o C om inte i annat fall noterat

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enhet

R tJC

Tvättpunkt till Fall (perIGBT ) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.037 0.065

K/W

R thCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.028 0.050 0.009

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Vikt av Modul

350

g

Översikt

image(c537ef1333).png

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

Relaterad produkt

Har du frågor om några produkter?

Vårt professionella säljteam väntar på din konsultation.
Du kan följa deras produktlista och ställa frågor om vad du bryr dig om.

Begär ett citat

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

Få ett kostnadsfritt offertförslag

Vår representant kommer att kontakta dig inom kort.
E-post
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000