GD600HFX170C6S,IGBT Modul,STARPOWER

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V CES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

IC

Samlar Nuvarande @ T C=25o C

@ T C= 100o C

1069

600

A

ICm

Pulsad Samlar Nuvarande t p =1ms

1200

A

PD

Maximal Ström Dissipation @ T j =175o C

4166

W

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1700

V

IF

Diod kontinuerlig framström

600

A

IFM

Diodens maximala framåtriktade ström t p =1 ms

1200

A

Symbol

BESKRIVNING

Värde

ENHET

T jmax

Maximal temp av korsningen natur

175

o C

T - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

o C

T STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

o C

V ISO

Isolering Spänning RMS , f=50 Hz , t=1 mINUT

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

V CE (satt )

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

IC= 600A, V Generella =15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

IC= 600A, V Generella =15V, T j =125o C

2.25

IC= 600A, V Generella =15V, T j =150o C

2.35

V Generella (th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

IC= 12.0mA ,V CE =V Generella ,T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kollektorns avskärmning

Nuvarande

V CE =V CES ,V Generella =0V,

T j =25o C

5.0

mA

IGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella =V GES ,V CE =0V,

T j =25o C

400

nA

R Gint

Inre portmotstånd

1.1

ω

Cies

Inmatningskapacitet

V CE =25V, f=1 MHz ,

V Generella =0V

72.3

nF

Cres

Omvänd överföring

Kapacitet

1.75

nF

QG

Portavgift

V Generella =- 15...+15V

5.66

μC

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V, IC= 600A, R G= 1,0Ω, V Generella =± 15 V, T j =25o C

160

n

t r

Uppgångstid

67

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

527

n

t f

Hösttid

138

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

154

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

132

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V, IC= 600A, R G= 1,0Ω, V Generella =± 15 V, T j = 125o C

168

n

t r

Uppgångstid

80

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

585

n

t f

Hösttid

168

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

236

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

189

mJ

t d (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V, IC= 600A, R G= 1,0Ω, V Generella =± 15 V, T j = 150o C

192

n

t r

Uppgångstid

80

n

t d (avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

624

n

t f

Hösttid

198

n

Epå

Tänd Växling

Förlust

259

mJ

Eavstängd

Avstängning

Förlust

195

mJ

ISC

SK-uppgifter

t P≤10μs, V Generella =15V,

T j =150o C,V CC = 1000 V, V CEM ≤ 1700V

2400

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt

Spänning

IF = 600A, V Generella =0V, T j =25o C

1.80

2.25

V

IF = 600A, V Generella =0V, T j = 125o C

1.90

IF = 600A, V Generella =0V, T j = 150o C

1.95

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V, IF = 600A,

-di /dt = 6700A/μs, V Generella =- 15V T j =25o C

153

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

592

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

76.5

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V, IF = 600A,

-di /dt = 6700A/μs, V Generella =- 15V T j =125o C

275

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

673

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

150

mJ

Qr

Återkrävt avgift

V R = 900 V, IF = 600A,

-di /dt = 6700A/μs, V Generella =- 15V T j =150o C

299

μC

IRM

Höjdpunkt omvänd

Återställningsström

690

A

Erec

Omvänd återhämtning Energi

173

mJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

ENHET

R 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

δR/R

Avvikelse av R 100

T C= 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

- Jag är inte... värde

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

- Jag är inte... värde

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

- Jag är inte... värde

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

ENHET

LCE

Strömavtryck

20

nH

R CC ’+EE ’

Modul blymotstånd, terminal till Chip

1.10

mΩ

R tJC

Tvättpunkt -till -Fall (för IGBT )

Tvättpunkt -till -Fall (för Diod )

0.036

0.073

K/W

R thCH

Fall -till -Värmesänkande (för IGBT )

Fall -till -Värmesänkande (för Diod )

Hylsa till värmesänka (per modul)

0.027

0.055

0.009

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Montering Vridmoment , Skruv M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

Vikt av Modul

350

g